钨合金网球拍配重块Ⅲ

对网球拍进行配重就能控制平衡的原理是什么?
 
在一场网球比赛中,选手要尽量控制击球力度以保证球能够落到最佳击球点的位置,也就是网球拍的中心。对于相同重量的球拍来说,由于每个人对击球力道的把握不尽相同,因此无法保证不同的人使用相同重量的球拍就能够在每一次击球时都能正好落在球拍的中心点位置上。那么如何改善这一差异化的问题,使得每个使用者都能很好地把握球拍从而达到自己理想的击球力度和平衡性呢?答案就是配重,即为网球拍增加配重块。
 
由于网球拍的重量和整体结构在制造出来之后就已经固定了,那么为网球拍增加配重的方法就是改变它的配重位置。在网球拍特定的位置上增加合适的配重块就可以改善每个人对力道把握不同导致击球偏离中心的问题。这是由于在网球拍边缘增加适量的配重可以使球拍稍微偏离中心,从而调整选手击球时的力度和速度,保证击球时球能够到达中心的准确性。而这一小小的变动,则可以大大地改善选手在赛场上的发挥情况。
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钨合金网球拍配重块Ⅱ

为什么要对网球拍进行配重?
 
配重的目的就是为了保持某个物件平衡的特性,使其在使用过程中保持良好的可控的性能。对于网球拍来说也是一样的,配重就是为了增加网球拍在使用时的击球平衡性、保证使用者在击球过程中有着较好可控的力度把握。网球拍的平衡点,即球拍的重心,它和球拍的中点与挥拍的力量是成正比的。根据力学原理,平衡性相同的球拍,如果重量越大那么挥拍的力量也就越大;反之,如果球拍的重量越小,使用者挥拍的力度就会越小。
 
使用者对于挥拍力量的掌控对比赛中的表现起着至关重要的作用。有研究表明,对于两把重量相同的球拍,如果球拍的平衡越靠近球拍拍头,那么挥拍的力量就会越大。但是由于个体差异化的特性,没有任何两个选手可以用同样重量的网球拍以同样的力度击球。这样一来,如果比赛中不同国家的选手使用相同重量的网球拍就会使其在比赛中难以发挥最佳的状态。依此看来,为网球拍增加重量合适的配重件就显得尤为关键。
钨合金网球拍配重
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钨合金网球拍配重块Ⅰ

网球拍配重块指的是将配重块安装在网球拍边缘从而达到改变平衡来改善选手击球力度把握的目的,网球拍配重主要是由无毒环保材料钨合金制成。用钨合金制成的配重件(下图为不同形状的钨合金配重件)按照配重用途可以将其划分为普通钨合金配重件和特殊钨合金配重件。
钨合金配重件
普通钨合金配重件顾名思义就是可以由粗加工来完成配重件的制造,它对配重件表面和精度的要求都不高,且重量和体积相对都较大,主要用作平衡配重块,比如:船用压舱配重块。
 
特殊钨合金配重件相对于普通钨合金配重件来说其制造工艺则要精细得多,配重件的形状比较复杂,且重量和体积也比较小。特殊钨合金配重件主要配重用途在于如高尔夫球头配重、时钟配重、手表配重、汽车的曲轴配重、大型机械的飞轮配重以及网球拍配重等等。为什么要对网球拍进行配重,其原因是什么?用配重来控制网球拍平衡性的原理是什么?可以作为网球拍配重的材料又有哪些呢?
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温度和时间对制取仲钨酸铵的影响

试验在10L反应锅中进行,采用夹套蒸汽加热,电接点温度计控制温度,转速调节器控制搅拌速度,每次试液体积为8L,试液经结晶过滤后,所得APT晶体在100℃下烘干,其松装密度用常规法测定,平均粒度用费氏粒度仪测定,粒度分布用筛分法测定,结晶形貌用显微镜观察。
 
温度的影响
试验情况如图。随着蒸发温度的提高,APT晶体的成长速度大于其成核速度,而使其粒度增粗,APT的松装比重增大(见图)。这是由于,温度升高,分子运动加快,分子相互碰撞的机会增多,有利于晶粒长大。晶粒表面上平面晶粒生成速度受温度影响很大.温度增加10℃,速度要增加2~4倍,所以温度增加对晶粒长大最为显著。试验还观察到在结晶槽壁上的APT晶粒远较其它部位为粗。这可能是由于蒸汽间接加热,槽壁的温度比其它部位为高,有利于晶粒长大。试验还发现,高温下的结晶比低温时的结晶颗粒规则,粒度分布比较均匀。

温度对APT松装密度的影响
 
时间的影响
蒸发结晶包括升温时间(升温速度)和蒸发时间(蒸发速度)。当升温时间快,溶液中大部分游离氨在短时间内被赶出,使溶液的PH很快下降,从而使过饱和度增大,而快速形成较多晶核,使颗粒度变细。蒸发时间长,则有衬于小晶体不断溶解,大晶体不断长大。结晶后的APT在过滤前成化一段时间晶体长大的情形更为明显。试验还发现,在一定真空度的条件下,蒸发速度加快,所得APT的松装密度显著减小。
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硫酸铜沉淀法从钨酸钠溶液中除钼

在钨矿石强碱分解过程中,杂质钼会与钨一同进入钨酸钠溶液中。因而,如何从钨矿碱浸出液中分离除去钼,达到粗钨酸钠溶液的深度净化,是目前提高钨产品质量和扩大资源综合利用而亟待解决的重大课题。经典的硫化物沉淀法净化钨酸钠溶液仍是目前钨冶金中普遍采用的方法。该法的优点是简单易行,能将溶液中部分钼除去;其缺点是在三硫化钼的 沉淀过程中不可避免的会放出有毒气体硫化氢污染生产环境,除钼效果不够好,钨损失大。溶剂萃取法对于粗钨酸钠溶液中的净化除杂所 用的典型萃取剂有中性含磷萃取剂、酸性含磷萃取剂、含氮萃取剂、含硫萃取剂、含氧萃取剂等。由于存在选择性、分相效果、毒性、经济效益等方面的问题,上述萃取剂尚未广泛使用。用硫酸铜为沉淀剂除去钨酸钠溶液中的钼,是一种简单实用的方法。
 
此方法的大概操作过程为:使钼酸钠优先与硫化钠反应形成硫代钼酸盐,钨化合物仍以钨酸盐形式保留在溶液中。硫化后的粗钨酸钠溶液加入硫酸铜,硫代钼酸根与之结合生成难溶化合物沉淀,实现钨钼的分离。接下来再看看它的试验方法,首先用稀硫酸和稀氢氧化钠溶液调钨酸钠溶液至所需pH值,加入一定量硫化钠,控制适当的硫化温度和时间进行硫化。硫化完成后,加入一定量硫酸铜,控制适当的温度和时间进行反应。反应完成后,热过滤,取滤液测其三氧化钨和钼含量。通过实验可得知:
1.采用硫化钠为硫化剂,硫酸铜为沉淀剂,沉淀硫代钼酸根,能达到钼和钨的有效分离。
2.硫化时的较佳条件为硫化钠加入量为理论量的3倍,硫化温度70℃,硫化时间90 min ,调钨酸钠溶液pH为7.2,沉淀温度80℃,沉淀时间120分钟,沉淀剂硫酸铜用量为理论量的5倍时沉淀效率最高。
3.沉淀物经氧化处理可以回收钼,残留的铜化合物可经处理返回沉淀工序。用硫酸铜沉淀法除去粗钨酸钠溶液中的钼,具有试剂便宜易得,无硫化氢气体产生,操作条件易于控制掌握等优点。该方法流程简单,原材料来源广泛,操作条件易于掌握控制,污染小。
 
 
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弱碱性阴离子交换树脂从钨酸钠中除钼

为了分离钨和钼,人们研究了离子交换法、溶剂萃取法等方法。这些方法主要用于从钨酸盐溶液中深度除去少量杂质钼或从钼酸盐溶液中深度除去少量杂质钨,当溶液中杂质钼或钨的含量过高时,上述方法难以适用。而利用弱碱性阴离子交换树脂的方法就能有效地从硫化后的钨酸钠溶液中吸附除钼。
 
众所周知,钥对硫的亲和力远远大于钨对硫的亲和力,在弱碱性条件下,溶液中的MoO2-4可以被优先硫化为硫代钥酸根离子MoOxS2-4-x ,而钨则仍以WO2-4的形式存在。MoOxS2-4-x 对碱性阴离子交换树 脂具有很强的亲和力,树脂的碱性越强,MoOxS2-4-x对 其亲和力越大。但是当用强碱性阴离子交换树脂吸附 MoOxS2-4-x时,所吸附的MoOxS2-4-x很难被解吸下来,需在解吸剂中加入氧化剂次氯酸钠或H202,将MoOxS4-x氧化后方可被解吸下来。这不仅增加了操 作难度,而且造成了对树脂的氧化。而伯胺型弱碱性阴离子交换树脂对钨酸盐溶液中低含 量MoOxS2-4-x的吸附和解吸行为,虽然树脂对钼的吸附容量很小,但树脂所吸附的MoOxS2-4-x易于被NaOH 溶液解吸下来,从而克服了MoOxS2-4-x难以解吸的困难。如能进一步提高树脂对铝的吸附容量,则将具有良好的应用前景。由离子交换平衡原理可知,离子交换树脂的吸附容量随溶液中待吸附离子平衡浓度的增加而增大。因此弱碱性阴离子交换树脂(伯胺型)对钨酸钠溶液中高浓度 MoOxS2-4-x的吸附及解吸行为,能提高树脂的吸附容量,并使之具有工业应用价值。
 
根据这一方法得出以下结论,1.以伯胺型弱碱性阴离子交换树脂吸附钨酸盐溶液中的MoOxS2-4-x,当溶液中钼浓度较高时,树脂对钥的吸附容量显著提高,动态吸附时, 钼的吸附容量也能达到较高值,具有实用价值。同时,吸附了MoOxS2-4-x的树脂可用浓度例如为1.0 rno/L的 NaOH溶液进行解吸,解吸率达到97.3%.2. 对于含有碳酸钠的含钼钨酸盐溶液,以NaHS 作为硫化剂可以显著提高钼的吸附率和吸附容量,从而克服了由于碳酸根的竞争吸附而带来的对钼吸附效果的不利影响。3. 由于在离子交换柱内存在着MoOxS2-4-x对WO2-4的排代过程,因此动态吸附过程中钼的吸附容量及除相效果均优于静态吸附过程。因此,利用弱碱性阴离子交换树脂的方法能有效地从硫化后的钨酸钠溶液中吸附除钼。
 
 
 
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纳米硬质合金粉末的合成

纳米晶硬质合金首先要经过合成晶粒更为细小的纳米粉末,其中主要包括机械合金化(Mechanical Alloying, MA)、喷射转换法、原位渗碳还原法以及共沉淀法等几种较为常见的合成方法。

1.机械合金化(MA)

机械合金化法主要是通过采用高能量的机械驱动力在低温下合成材料,高能球磨机是其中最为常用的工具之一。目前用机械合金化法合成纳米硬质合金粉末的研究主要有两个方向:其一是利用机械合金化法将钨W和碳C合成纳米WC粉末,另一种则是将碳化钨WC与钴Co粉末混合后,通过高能球磨的方法使其粉碎细化从而达到纳米复合材料的要求。国内的学者成功地将W、C、Co混合球磨后合成出纳米级的WC-Co复合粉末。此外先后利用机械化学法,即用三氧化钨(WO3)和镁(Mg)与碳(C)在氮气(N2)或氢气(H2)-氩气(Ar)等惰性气体氛围下混合球磨,发生爆炸反应(生成W和MgO后,W与C发生扩散反应,生成W2C和WC)制备出纳米级别的碳化物WC,晶粒度约为4-20nm。该方法操作简单,工序易行,有较高的生产效率,缺点就是由于制备出的粉末晶粒尺寸细小,往往会由于与球体或罐体发生摩擦而造成粉末污染。

2. 喷射转换法

喷射转化法又被称为热化学法或流态床法。美国一些相关领域的学者研制出的该方法,其通过偏钨酸铵和氯化钴(CoCl2·nH2O)水溶液或Co(en)3WO4和硫酸(H2WO4)水溶液经过喷雾干燥以及流化床还原(流化床还原是一种直接还原生产原料的技术工艺,其通过建造还原铁矿的流化床还原炉内结构的耐火组合物)和碳化反应生成组织成分均匀的纳米粉末(约20-50nm)。

纳米硬质合金粉末

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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能3/3

三氧化钨(WO3)陶瓷的赛贝克(Seebeck)系数受金属氧化物掺杂影响。金属氧化物氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)掺杂的WO3陶瓷,Seebeck系数都随着温度升高而逐渐增大,且都为负值,说明三者都为n型热电材料。SnO2与CuO掺杂WO3陶瓷Seebeck系数绝对值都在不同程度上提高,由于SnO2本身就具有很高的Seebeck系数,因此掺杂SnO2的WO3陶瓷的Seebeck系数绝对值会随着掺杂浓度增加而变大,而掺杂CuO的WO3陶瓷当掺杂浓度为1.0mol%时样品具有最高的Seebeck系数绝对值。掺杂La3O2的WO3陶瓷Seebeck系数绝对值在不同的程度上都要比纯WO3陶瓷小,这是因为掺杂La3O2后导致电子浓度增加,因为Seebeck系数与电子浓度成反比关系,所以降低了Seebeck系数绝对值。三者的Seebeck系数绝对值都会随着温度的升高而变大。
 
受金属氧化物掺杂的影响,三氧化钨(WO3)热电功率因子会发生改变。La3O2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多,可是功率因子随着掺杂浓度的增大又成下降趋势,La3O2掺杂虽然提高了WO3陶瓷的电导率,但同时也降低WO3陶瓷Seebeck系数绝对值,导致不同掺杂浓度的WO3陶瓷功率因子相差很大,当掺杂浓度为0.5mol%时,功率因子最大。SnO2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多,因为SnO2本身具有良好的热电性能,所以掺杂SnO2的WO3陶瓷具有很高的电导率与Seebeck系数绝对值,当掺杂浓度为10.0mol%时,功率因子最大。CuO掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高很多,CuO掺杂同时提高了WO3陶瓷的电导率与Seebeck系数绝对值,因此功率因子得到了很大程度上的提高,当掺杂浓度为1.0mol%时,功率因子最大。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能2/3

选用氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)金属氧化物掺杂三氧化钨(WO3)陶瓷,分析这三种掺杂WO3陶瓷微观结构的影响。低浓度La3O2掺杂明显促进了WO3晶粒的生长,,掺杂后晶粒的尺寸都变大了,但是当掺杂的浓度继续上升时,晶粒尺寸开始变小,晶粒生长又被抑制了;SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,使晶粒的尺寸明显小于未掺杂WO3陶瓷,而且随着浓度增加逐渐变得更小;而CuO却促进了晶粒的生长,而且随着浓度增长而变大。La3O2与SnO2的掺杂使得WO3陶瓷的孔隙率变小并且随着掺杂浓度增加更变小,而CuO的孔隙率在掺杂浓度为1.0mol%左右到达小。随着掺杂浓度的增加,掺杂La3O2与CuO会存在同一种现象,即掺杂浓度大于溶解度都会出现第二相,分别为La2WO6、CuWO4,第二相都是由掺杂物与WO3发生反应生成的,这点与铁系金属氧化物类似;而掺杂SnO2出现的第二相为SnO2,这点与铁系金属氧化物、氧化镧以及氧化铜都不同,比较特别。
 
掺杂La3O2、SnO2及CuO对WO3陶瓷电导率的到影响。掺杂La3O2和CuO明显增加WO3陶瓷的电导率,随着掺杂浓度的增加,电导率上升至最大数值后开始下降,La3O2与CuO掺杂浓度分别为0.5mol%与5.0mol%时,WO3陶瓷具有最大电导率,电导率出现下降是因为掺杂浓度上升在WO3陶瓷晶界上产生第二相,使得晶界间的流动性降低,同时也使得晶粒间的空隙附着于晶界附近,导致电导率下降。而掺杂SnO2的WO3陶瓷虽然也会因为掺杂浓度增加在晶界间出现第二相即SnO2,但是SnO2具有更好的电导率,所以WO3陶瓷的电导率会继续上升,浓度为10.0mol%时出现最大电导率。而且三者的电导率都会随着环境温度的上升而增加。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能1/3

当发现某种材料具有新的特性时,研究者一方面会想怎么将这种材料直接用于产品制作,另一方面会想着通过什么方式去增强这种材料这一方面的性能,提高利用效率。一般从这三方面入手来增强材料性能:更新材料的制备流程、改进制备工艺参数;掺杂或者合成复合材料;材料热处理。掺杂是改善材料某一特性最直接、有效的方式,本文主要目的是为了探究掺杂能否改善三氧化钨(WO3)陶瓷的热电性能。
氧化镧、氧化锡、氧化铜
既然掺杂目的是为了提高WO3陶瓷的热电性能,而电导率是判断热电性能高低的一项总要指标,在一般情况下电导率与热电性能高低是成正比的,因此选择电导率普遍比较好的金属氧化物来作为掺杂物。之前在《铁系金属氧化物掺杂对三氧化钨陶瓷热电性能影响》文章中探究的是铁系金属氧化物氧化铁、氧化钴和氧化镍的掺杂对WO3陶瓷热电性能的影响,本文选的掺杂物是铁系金属以外的氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)这三种金属氧化物。制备掺杂三氧化钨陶瓷的过程。本文采用将掺杂物与三氧化钨固体混在一些研磨成粉,研磨后的粉末经过干燥、预烧、混合浆料后烧结成陶瓷片。从微观结构、电导率、赛贝克(Seebeck)系数以及功率因子这四个方面来作比较,对比掺杂前后WO3陶瓷的变化以及三种掺杂陶瓷在这四个方面上得区别,从而得出哪种掺杂物对WO3陶瓷热电改善效果最佳。
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2024年1月份赣州钨协预测均价与下半月各大型钨企长单报价。

 

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