微电子技术中大规模集成电路集成度的提高对材料提出了更高要求，传统的Si基器件已不再适用。高纯钨或超纯钨(5N或6N) 由于具有高电子迁移抗力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数，广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。

高纯钨具有对电子迁移的高电阻特性和高温稳定性，能够形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接和障碍金属。此外，高纯钨还常用于制造靶材、航空材料等,因此，金属的纯度对于金属的应用起着非常重要的作用，痕量杂质的存在都会影响金属的特性，这就对高纯钨的分析测试方法提出了较高的要求。

高纯钨粉是指纯度高于99.999%以上的纯钨，一般标准为3N或4N，超纯钨粉是指纯度达到99.99999%和99.999999%的钨粉，一般标准为5N或6N。高纯钨及其硅化物主要用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等，市场价格昂贵。

钨是生产特殊钢的主要元素，广泛用于炼制高速工具钢、合金机构钢、弹簧钢、耐热钢、不锈钢和磁钢等一系列钢种。广泛应用于国计民生的诸多领域 ，上至上天入地的材料，下至生活中的必需品都离不开钨。

在金属氧化物催化剂中， 三氧化钨因催化活性较高， 使用寿命较长及再生对其结构影响较小等特点使其在商业应用上受到广泛重视，三氧化钨是一种重要的催化活性材料，用WO₃既可以做主催化剂又可以做辅助催化剂 。

近年来，三氧化钨作为一种潜能材料在各种应用领域特别是在气敏传感器方面引起了广泛关注，特别是纳米三氧化钨，可以制备合成国防中不可或缺的探测敏感系统，监测生物，原子核武器和化学物质，还可以为计算机系统提供纳米的虚拟的模拟训练系统，同时，还为高性能的通信系统提供了很多便利条件。

薄膜敏感材料是研究和开发集成传感器和智能传感器的基础，纳米三氧化钨是一种很典型的 N 型半导体气敏材料，它具有较大的比表面积、稳定的化学性质、带隙较宽，对多种有毒气体都具有较好灵敏度，可以有效地提高气敏元件的灵敏度和响应速度，是良好的气敏薄膜材料。

三氧化钨（WO₃）是一种过渡金属的氧化物，它既是一种 n 型半导体材料， 也是一种“d⁰”氧化物，这种双重身份使其同时具备诸多特点，近年来，纳米三氧化钨作为一种潜能材料在各种应用领域特别是在气敏传感器方面引起了广泛关注。

机械破碎法是是依靠球磨机内介质的重力以及旋转产生的挤压力对物料进行摩擦、冲击、剪切作用而实现对物料的细化。是制取超细三氧化钨粉的一种较常用的方法。

氧化钨是一种钨酸酐，是钨酸盐类产品，氧化钨包括三氧化钨和二氧化钨，实际工业生产中很少见有二氧化钨的制品。常见的几种氧化钨为：二氧化钨、三氧化钨、蓝色氧化钨、紫色氧化钨，它们是由于氧含量的不同而展现出各自独特的物理和化学性质。