本发明提供一种钨铜连接方法，步骤如下：

1）在钨的连接表面加工出波形沟槽；并将该波形沟槽连接面打磨，然后清洗；

2）将纯铜的一面加工成与钨连接面大小相同的平面，并将该平面打磨，然后清洗；

3）熔覆：将纯铜平面置于钨的波形沟槽连接面上，共同放入石墨模具内，置于真空扩散炉中，升温至1150~1200℃，保温10~40分钟，使纯铜在钨的波形沟槽连接面上形成一均匀的熔覆层，然后缓慢冷却；

4）将钨的熔覆层磨平，之后用丙酮超声清洗，吹干后备用；

5）将铜合金的连接面磨平，之后用丙酮超声清洗，吹干后备用；

6）叠放装配：将步骤4）、5）处理后的钨、铜合金的连接面相对叠合为焊件，置于扩散炉真空室中，并用上、下压头压紧；

7）真空扩散焊：将焊件加热至850~900℃，保温45~90分钟，连接压力3~12MPa，真空度为3×10^-3Pa，保温时间结束后，焊件随炉冷却，待真空室温度冷却至100℃以下时，即可开炉取出连接好的焊件。

本发明方法不采用钎料或着中间层，工艺操作简便、成本低、连接效果好，为钨与铜异种金属连接开辟了新的途径，便于推广应用。

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本发明提供一种钨酸锌晶体的掺杂去色工艺，属于钨酸盐系列晶体制作领域。这种工艺一般以Sb₂O₃或Bi₂O₃或银作掺杂去色剂，步骤如下：

1）在去色时，先要把ZnO、WO₃和掺杂材料研成粉末混匀后装入坩锅内，装入浮力提拉单晶炉中；

2）以ZnWO₄晶体为籽晶，加温到1230℃左右以生长出无色钨酸锌晶体，其ZnWO₄的总重量与掺杂材料的重量比、提拉速度、旋转速率和降温速率等参数是因掺杂材料而异的。它以Nb₂O₅为掺杂材料，它与ZnWO₄的总重量之比为2×10^-5~1×10^-4，其提拉速度在3~6mm/h、旋转速率在20~30转/分、生长结束后的降温速率在40~60℃/h之间，可得到无色的大尺寸钨酸锌晶体，发光性能与纯钨酸锌晶体无异，能量分辨率可达13%~14%。

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本发明提供一种新的制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺。包括粉末准备，添加诱导剂及混料，模压自动成型和等静压覆压，预烧结，液铜浸渗工艺步骤。步骤如下：　

1）粉末准备：取纯度≥99.95%，平均费氏粒度为３~８微米的钨粉，取纯度≥99.95%，平均粒度为-300目的电解铜粉待用；　

2）添加诱导剂及混料将所述电解铜粉作为诱导剂与所述钨粉在粉末混料机中混合均匀；　

3）压制成型：包括将所述混合料按照预定形状模压自动成型，和对模压自动成型后的钨铜生坯进行等静压覆压处理；　

4）预烧结：对步骤3压制成型后的钨铜生坯在钼丝炉中进行预烧结，得到钨铜合金坯体；　

5）液铜浸渗　在渗铜炉中盛装纯度≥99.95%的液态电解铜，将预烧结得到的钨铜合金坯体浸入1200~1400℃的所述液态电解铜中进行液铜浸渗处理1~2.5个小时，该处理过程在还原性气体或还原性气体和惰性气体的混合气的保护下进行，而后将钨铜合金坯体从液态电解铜中提出，进行冷却，得到钨铜合金。　

步骤2中所述电解铜粉的加入量占所述钨铜合金总重量的0~6%，步骤2中所述电解铜粉的加入量与步骤5中所述液态电解铜的渗入量之和占钨铜合金总重量的15~25%。

为克服现有的钨铜热沉和封装材料的品质不够优良，制备成本高、生产效率低的问题，采用该工艺制备钨铜热沉和电子封装材料所用成本低、生产效率高并且制得的钨铜热沉和电子封装材料结构致密、在各个方面都表现出优越的性能。

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本发明提供一种钨酸盐单晶的制备方法。步骤如下：

1）用分子式为X_ⅡWO₄或X_ⅠX_Ⅲ（WO₄）₂（其中，X_Ⅰ表示一价金属元素，X_Ⅱ表示二价金属元素，X_Ⅲ表示三价金属元素）的钨酸盐生产钨酸盐单晶，所述钨酸盐是通过一起加热三氧化钨和二价金属氧化物或碳酸盐，三氧化钨和一价金属氧化物或碳酸盐以及三价金属氧化物，或它们的氧化物或碳酸盐而获得的；

2）在氧分压低于大气中氧分压的系统中，在100~1550℃下加热上述的氧化物和/或碳酸盐，然后加热生长的钨酸盐单晶而获得的所说的钨酸盐单晶。

其可以用作为探测辐射如X－射线或γ－射线的闪烁体，此外，所述钨酸盐单晶具有提高的热导率，其可以用作为双波长激光器的激光器基质。

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