本发明提供一种高密度大面积超薄钨铜合金粉末生坯的制备方法。步骤如下：

1）配粉：按拟制备合金材料的成分百分比要求，将钨粉末和铜粉末进行称重配比，其中钨元素含量为60~95%，铜元素含量为40~5%；

2）混粉：将配比后 的元素混合粉末在混料机中进行1~8小时的充分均匀混合；

3）制粒：把小颗粒的混合粉末制成团粒，团粒粒度控制在20~200um；　

4）烘干：把制好的粉末团粒放在烘箱中烘干，烘干温度为80~120℃，烘干时间为30~120分 钟；　

5）制坯：采用粉末轧机，将制粒烘干后的钨铜合金粉末辊压轧制成0.5~1.5mm厚的薄板生坯，粉末轧制时轧辊压力控制在5~15t，轧辊线速度为50~150mm/min，薄板钨铜合金粉末生坯厚度可根据需要通过调整轧辊间隙而自行调节。

本发明得到的钨铜合金粉末生坯厚度较薄，相对密度较高，宽度和长度可根据需要任意裁剪，而不需要更换模具，并可实现连续生产。

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本发明提供一种钨制品的生产方法。属于金属粉末制造成品领域，它包括钨粉制备、压制成型、烧结致密、机械磨削，本发明的特征在于用高温还原钨粉，高压成型钨制品，在适宜温度和时间下烧结，钨制品采用真空吸附法磨削。步骤如下：

1）在高温下还原钨粉，在室温下，采用12~27 t/cm²的高压强，在刚性模中，用单轴双向法，直接把钨粉压制成密度为80~93%以上理论密度的钨制品；

2）在1350~2000℃温度下用氢气保护烧结2~4小时，然后强冷或缓冷，得到尺寸变化不大于生坯1/2000的致密金属钨制品。

注：表面磨削采用专门真空吸附模具，使钨制品达到较高的精度和光洁度。

本方法除生产纯钨半导体支承材料外还可用于生产复合材料钨制品。

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本发明介绍一种透气强排水式纳米钨粉还原炉。

包括推舟机构、炉门、废气点火或回收管、透气舟皿、纳米氧化钨粉、舟皿透气底板、炉管、正压供H₂多孔气垫、加热板、排水气流通道、炉壳、水冷套、正压供气系统、炉架。其特征在于：

1）炉管的底部设有一个能够正压供H₂气的多孔气垫，多孔气垫的表面按不同密度均匀的开有很多小孔，多孔气垫内均匀的分成3~6路供气通道并与各小孔联通，在多孔气垫的右端与外部正压供气系统连接，正压透气式供气系统中，供H₂气的方向是由炉管底部垂直向上并穿过每个底部有孔的舟皿；

2）舟皿结构上采用了双层透气式舟皿，舟皿的底部架空，在舟皿透气底板与多孔气垫之间形成一个H₂气均压室，H₂气经均压缓冲后，再穿过舟皿的透气底板。

本发明的优点在于：物料损失少，实收率高；生产的纳米钨粉，平均粒径≤35.5nm，粒径分布宽度很窄45~50nm范围；设备结构简单，造价低，容易推广。

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本发明提供一种碳化钨精轧辊制造工艺。步骤如下：

1）装粉，将碳化钨硬质合金粉均匀捣实地装入填有下垫及芯棒的模具内，然后放入上垫和上封，模具的大小根据所需压制轧辊规格，并考虑碳化钨硬质合金粉末在冷等静压过程中的压缩系 数和真空烧结时的收缩系数而定；

2）冷等静压处理，将装好粉的模具８放入冷等静压机的油缸内进行冷等静压处理，压力为1.5~2t/cm²；

3）粗加工，将脱模后的辊坯车削加工到所需尺寸，即粗加工后的辊坯还需留有合金在真空烧结时的收 缩余量；

4）烧结，将车削后的辊坯经1380~1400℃保温60~70分钟的真空烧结处理，保温时间不能小于1小时；

5）无损检测，烧结后的轧辊需逐个进行无损检测，对辊内存有空隙及外观不符要求的辊坯再进行一次热等静压处理，而对无缺陷的 可直接进行精加工，也可与有缺陷的一起进行热等静压处理；

6）热等静压处理，采用氩气传递1000大气压，1360℃保温90分钟处理；

7）精加工，将符合内在和外观质量的辊坯按定货规格要求进行精加工。

采用本发明制造的碳化钨精轧辊经上钢二厂使用1年，每槽轧制吨位与同类进口辊相当，碎辊率小于进口辊，经轧制2409t后仅磨耗0.25mm，完全可替代进口辊，且每公斤售价为300元与80美元/公斤的进口辊相比，不仅节省外汇，也大大降低了线材生产厂的成本。

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