鎢酸鈉催化二元醇和腈的氧化反應
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- 發佈於:2015-12-30, 週三 20:25
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鎢酸鈉溶液中的離子交換動力學
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鎢酸鈉中三氧化鎢含量的測定
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溶液過飽和度對仲鎢酸銨物理性質的影響 3/3
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- 發佈於:2015-12-30, 週三 19:52
溶液過飽和度對仲鎢酸銨物理性質的影響 2/3,请见以下网址:
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溶液過飽和度對仲鎢酸銨物理性質的影響 2/3
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溶液過飽和度對仲鎢酸銨物理性質的影響 1/3,请见以下网址:
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溶液過飽和度對仲鎢酸銨物理性質的影響 1/3
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中國鎢業發展現狀
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- 發佈於:2015-12-30, 週三 18:25
上世紀80年代中期,中國鎢礦開採陷入了亂采濫挖,造成國際鎢價市場嚴重混亂,鎢原料市場供大於求,鎢價猛跌,最低降至30美元/噸度以下,而中國國內鎢精礦價格降至1萬元/噸以下。之後,中國出臺了一系列的行業監管政策,開採治理整頓、資源整合、總量控制,加強行業自律,慢慢鎢業發展發展現狀良好在整治後,中國鎢業有了以下好的發展方向。
1.資源保護程度有所提高
中國在03年-12年累計投入鎢礦勘探金額為17.2億元,新查明鎢資源儲量(WO3)近300萬噸。2010年,國土資源部實施了“找礦突破戰略行動”,加強老礦山找礦工作,鎢礦勘察工作取得了新的突破。中國政府不僅在鎢礦的勘探中投入了大量資金,對於鎢礦的保護也十分的重視,使得每年的鎢礦資源儲量都有所增加,2009年-2011年增加幅度最大。
2.產能產量保持增長
1907年,中國江西西華山發現了鎢礦。之後在贛、湘、粵等地陸續發現鎢礦山,隨之投入人工開採,形成了中國早期的鎢業。新中國成立前35年,中國累計產量23.7萬噸,占全球產量的29.80%。1914年至2014年,全球累計鎢精礦產量343.91萬噸,其中中國產量186.00萬噸,占全球總量的54.08%。
尤其是中國進入新世紀以來,中國鎢精礦產量增速加快。由於經濟高速增長,以及市場價格的回升,拉動鎢市場需求增長,刺激了鎢礦產量的增加。
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伯恩獲5億增資加碼藍寶石,露笑科技出資2億
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- 分類:藍寶石長晶爐-鎢制品新聞
- 發佈於:2015-12-30, 週三 17:11
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塗層硬質合金工藝技術
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- 發佈於:2015-12-30, 週三 16:58
塗層硬質合金在原有的化學氣相沉積法(CVD)以及物理氣相沉積法(PVD)的基礎上加以改進,發展出了一些新的塗層技術。
1.化學氣相沉積(CVD)
化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)始於二十世紀七十年代,它是半導體工業中應用最為廣泛的技術,也適用於大多數金屬以及合金材料。簡單來說,它的原理就是將兩種或兩種以上的原材料以氣態的形式導入反應室中,使他們發生充分的化學反應,形成一種新的複合材料,沉積到基體上。從塗層硬質合金刀具來說,該工藝是在高溫下(通常在800-1200℃)真空爐通過真空鍍膜或電弧蒸鍍將塗層材料沉積在硬質合金刀具的基體表面。CVD還可具體劃分為超溫超厚控制技術、中溫CVD、等離子體CVD、真空CVD、流動層CVD、熱解射流、流體床等等。但是該方法也存在一些缺點,如傳統的CVD工藝由於高溫沉積易形成脆性的金屬中間相,使得產品性能下降。
2. 物理氣相沉積(PVD)
物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition, PVD)是指利用物理過程實現物質的轉移,將原子或分子轉移到基材表面,主要是在真空條件下採用低電壓、大電流的電弧放電技術,利用氣體放電使靶材蒸發並使得蒸發物質與氣體都發生電離,利用電場的加速作用,使被蒸發物質及其反應產物沉積在基材上。其所具有的優點是能將某些具有優良性能(如高硬度、高強度、耐磨性優良、熱膨脹係數小)的微粒噴塗在硬質合金基體上,使得其具有更好的綜合性能。PVD也可分為離子濺射、真空蒸發、高能離子脈衝、離子鍍(電弧離子鍍、射頻離子鍍、熱陰極離子鍍、空心陰極離子鍍、直流放電離子鍍、活性反應離子鍍)等等。PVD法相較於CVD法沉積處理溫度較低,一般在500℃以下,且無需後續熱處理;在600℃以下對刀具類材料抗彎強度無影響,薄膜內部應力狀態為壓應力,更適用於硬質合金精密複雜刀具的塗層。但是相比之下,PVD工藝操作相對複雜,對環境要求較高,且塗層迴圈使用週期和均勻性都不及CVD法。
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三氧化鎢和鎢酸鋇的電輸運 Ⅲ
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- 發佈於:2015-12-30, 週三 16:35
在相變過程中,壓力降低了勢壘的高度,電荷更加容易在褐釔鈮礦和BaWO4-II中通過,從而降低了弛豫時間。平均的弛豫時間導致了總的弛豫頻率的增加,這種增加的弛豫頻率也表示頻響特性是隨著壓力的增加而呈現的是電感特性的。對於BaWO4粉末樣品的晶界來說,從2.6到6.9GPa的壓力範圍內,晶界的啟動能是–9.09meV/GPa,表明啟動能隨著壓力的增大而呈現降低趨勢。
從6.9到8.9GPa,晶界啟動能也呈現下降趨勢,其降低的速率遠大於2.6-6.9GPa壓力區間晶粒啟動能的降低速率。晶界啟動能隨著壓力的變化趨勢說明在2.6-8.9GPa的壓力區間範圍內,壓力對啟動能起到負的貢獻作用,電荷載流子通過晶界變得更加容易。當壓力超過8.9GPa時,相反地晶界啟動能隨著壓力增加而增大。這說明在8.9-13.7GPa的壓力範圍內,壓力對啟動能的變化呈正貢獻作用,並且電荷載流子傳導更加困難。超過13.7GPa的結構相變後,啟動能又隨著壓力增大而減小使電荷載流子的傳輸更加容易。
阻抗譜中的晶粒圓弧說明在7GPa的結構相變首先發生在晶粒內部,然後過渡到晶界。晶粒和晶界弛豫頻率的變化也是由結構相變引起的。在6.9-8.9GPa的壓力區間內,晶界啟動能的減小表明壓力對啟動能起到負的貢獻作用,電荷載流子更容易通過晶界。此外,在6.9-8.9GPa內上升的晶粒和晶界弛豫頻率也說明在相變過程中的弛豫過程需要更短的時間。因此。可得利用直流電阻率和交流阻抗譜測試手段,並結合同步輻射X射線衍射方法,分析可得高壓下體材料WO3、納米WO3和BaWO4的電學性質和結構的變化規律。
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