過飽和度用濃差推動力△c（△c=c-c0）【其中c為溶液過飽和濃度，即溶液主體濃度 ；c0為溶解度飽和濃度，即平衡飽和濃度】。有學術認為仲鎢酸銨晶體生長過程分為： 非基元反應、結晶介質擴散和介面反應三個步驟。某一時刻的瞬間過飽和度△c決定於 

結晶過程過飽和生成（聚合反應）和消除（相變反應）的差值。與△c相關的線性生長速率（r1）和品質生長速率（rm）可定量反映它們的變化關係：

r1=K1△c1, （k1位元線速率常數）

rm=Km s△c1， （km為品質速率常數，s為已有晶粒總表面積）

故，rm=kms2√ri/k1

結晶全過程及仲鎢酸銨過飽和生成和消除速度的變化經歷3個階段，如下圖：

 

由圖可知，階段Ⅰ:誘導期，rm=0，仲鎢酸銨結晶過程過飽和生成速度增大，△c1不斷升高。階段Ⅱ：出現晶核，rm>0，過飽和生成速度始終大於消除速度，相變反應為結晶過程的限制性環節。反應前期，由於s較小，△c依然升高，相變反應有s控制。隨著s增大，由r1表徵的△c達到最大值後開始下降，相變反應由△c控制。階段Ⅲ：由於s增大，過飽和消除速度與生成速度相等，rm出現最大值。rm值隨過飽和生成速度等量下降，聚合反應為結晶過程的限制性環節。顯然，此階段的rm值同時可作為過飽和生成速度的量度。