采用电沉积法制备WO3薄膜
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2015年2月11日(水曜)17:37に公開
- 作者: cq
- 参照数: 3004
电沉积法的原理是在电解液中通入电流进行电解,从而在工作电极表面得到沉积薄膜。Thierry采用电沉积法制备了WO3薄膜,Monk利用电沉积法成功制备了含多种金属氧化物的WO3薄膜,并对其电致变色性能与纯WO3薄膜进行了对比研究。该法制备WO3薄膜的基本过程为:将2g 金属钨粉(99.99%分析纯)溶解在10mL且浓度为30%的过氧化氢溶液中,待放热反应结束后,再添加100mL蒸馏水和20mL无水乙醇;以透明导电玻璃为工作电极,纯净铂片为阳极,在450mV的电势下电解60min,即可在工作电极上得到WO3薄膜。此外采用新鲜配制的Na2 WO4和H2 SO4 的悬浮液电沉积以及直接采用Na2WO4溶液电沉积,也可以制备出WO3薄膜。与其他方法相比,用电沉积法制备WO3薄膜,设备简单,不需要高温以及高真空度,可控性强。该法在制备复合氧化物薄膜上具有优势,尤其是制备电负性较大的氧化物薄膜。
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采用化学气相沉积法制备WO3薄膜
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2015年2月11日(水曜)17:34に公開
- 作者: cq
- 参照数: 3704
化学气相沉积(CVD)是利用气体原料在气相中通过化学反应形成并经过成核、生长两个阶段合成薄膜、粒子、晶须等固体材料的工艺过程。CVD技术有多种,如快热CVD、等离子体增强CVD、低压CVD等。采用CVD制备WO3薄膜也是一种常用的方法。Maruyama等用W(CO)6作为原料,加热到60~100 ℃,产生蒸气,再用载气N2将产生的蒸气以300cm3/min的流速载入,W(CO)6在反应室中分解,可使WO3沉积到基底上。后来Ma-ruyama又采用P-CVD(photo-CVD)方法对化学气相沉积进行了改进,在沉积过程中加入一低压汞灯,增加了WO3沉积率并提高了薄膜质量。化学气相沉积法具有多功能、工艺可控、过程连续且产品纯度高等特点,但成本高,规模扩大困难,不适合薄膜的工业化制备。
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采用真空蒸发法制备WO3薄膜
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- 2015年2月11日(水曜)17:29に公開
- 作者: cq
- 参照数: 2774
目前制备WO3 薄膜的方法有:蒸发法、溅射法、溶胶-凝胶法、电子束蒸发法、化学蒸气沉
积法、阳极氧化法、电沉积法、脉冲准分子激光沉积法、离子镀法等。由于其中有的方法技术复杂、工艺条件苛刻,因此其应用受到限制。目前使用较多的是蒸发法、磁控溅射法、溶胶-凝胶法等。其中溅射法具有稳定、方便、快速、薄膜均匀等特点,蒸发法也具有快速、稳定、薄膜纯度高的优点,但都存在仪器庞大、成本昂贵的问题,所以小型实验室多采用仪器简单、成本低、易大面积成膜的溶胶-凝胶法。
真空蒸发法的原理是在高真空条件和不同气氛(高纯惰性气体)中,对WO3进行加热蒸发,依靠气态WO3在惰性气体介质中冷凝形成微粒薄膜。Benjamin等采用此法成功研制成了WO3薄膜,基本过程为:在真空室中(~1.33×10-3Pa)加热WO3粉末,蒸气在基片上冷凝,即得WO3薄膜。薄膜的厚度及成膜速率可以通过膜厚监控仪监控。利用真空法制备WO3薄膜,加热源也发展为电弧加热、电子束加热、激光束加热等,其中电子束蒸发制备WO3薄膜得到了较好的发展。真空蒸发法制备的薄膜纯度高、颗粒分散性好,通过改变、控制气氛压力和温度,可制得颗粒尺寸不同的纳米薄膜。但该法成本高,不适宜制备大面积的薄膜。
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采用溅射法制备WO3薄膜
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- 2015年2月11日(水曜)17:32に公開
- 作者: cq
- 参照数: 2595
溅射法是用高能量惰性气体离子轰击固体表面(靶),使固体原子(或分子)从表面射出,并沉积到衬底或工件表面形成薄膜的方法,属于物理气相沉积的一种。溅射法又分为直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射、中频溅射与脉冲溅射、偏压溅射、离子束溅射等。其中磁控溅射技术因具有沉积速度较高、工作气体压力较低等特点而应用最为广泛。AMonteiro等采用直流磁控反应溅射法在ITO玻璃衬底上沉积了WO3 薄膜,膜厚为360~570nm,是通过溅射出来的钨原子与氧气反应沉积而成的,研究表明该薄膜的光学特性与薄膜中的氧空位有很大关系。KAguir等采用交流磁控反应溅射法在SiO2/Si 衬底上沉积WO3 薄膜,金属钨作为靶,混合气体为氧气和氩气,薄膜厚度约为50nm,在400 ℃温度下进行退火处理,用于制作O3气体传感器,研究表明该薄膜在一定温度下对O3非常灵敏。AAAkl 等以钨作靶材,ITO玻璃作为衬底,气体为氧气和氩气的混合气体,氧气和氩气的分压分别为30%和70%,为了得到不同形态的薄膜,采用对衬底加热和不加热两种实验,最后得到无定形薄膜和晶体形态的薄膜,在无定形薄膜中发现有晶体颗粒的存在,且随着衬底温度的升高,晶体颗粒数量的增加要比其尺寸的增大更快一些,同时薄膜的电导率与薄膜成分中的氧含量有着密切关系。
用溅射法制备纳米薄膜材料有以下优点:(1)可制备多种金属包括高熔点和低熔点金属的纳米薄膜;(2)能制备多组元的化合物纳米薄膜材料;(3)制备参数易控制、粒径较均匀。但是该法的成本较高,不适宜大面积制备薄膜。
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WO3纳米薄膜
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- 2015年2月11日(水曜)17:27に公開
- 作者: cq
- 参照数: 2713
纳米微粒是指粒度介于1~100nm之间的粒子。纳米微粒区别于宏观物体结构的特点是它具有较大的比表面积,并且表面原子数、表面能和表面张力随粒径的减小而急剧增加。由于表面原子数的增多,原子配位不满以及高的表面能,导致了纳米微粒表面存在许多缺陷。纳米微粒的这种结构特征使其表现出体积效应、表面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应,从而在磁性材料、电子材料、光子材料、高致密材料的烧结、催化、传感、陶瓷增韧等方面具有广泛的应用前景。纳米料材料已成为当今乃至21世纪材料领域最富有吸引力的热门研究课题之一。
近年来,纳米薄膜的制备技术得到了不断发展。纳米薄膜由于具有特殊的光、电、磁等性能而越来越受到人们的重视,特别是作为光学材料的研究发展很快。WO3是典型的电致变色材料,具有高的变色效率和相对较低的价格,一直以来是人们首选的无机电致变色化合物。Deb最早报道了WO3薄膜的电致变色特性并对其变色机理作了解释。许多研究工作表明,WO3薄膜尤其是非晶态氧化钨薄膜有着广阔的应用前景,可制备各种电致变色装置和灵巧调光窗(智能窗),实现对太阳光的智能调控,改善生存环境,节约能源。
WO3不仅是典型的电致变色材料,也是一种常用的气敏材料,具有气致变色特性。随着对环境保护意识的增强,人们已相继开发出了各种各样的气体传感器。WO3作为一种高灵敏度气敏材料,特别是作为氧化氮、硫化氢、氨气、氢气等的气敏材料的应用,近年来受到材料科学者的普遍关注。
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