采用溅射法制备WO3薄膜
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2015年2月11日(水曜)17:32に公開
- 作者: cq
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溅射法是用高能量惰性气体离子轰击固体表面(靶),使固体原子(或分子)从表面射出,并沉积到衬底或工件表面形成薄膜的方法,属于物理气相沉积的一种。溅射法又分为直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射、中频溅射与脉冲溅射、偏压溅射、离子束溅射等。其中磁控溅射技术因具有沉积速度较高、工作气体压力较低等特点而应用最为广泛。AMonteiro等采用直流磁控反应溅射法在ITO玻璃衬底上沉积了WO3 薄膜,膜厚为360~570nm,是通过溅射出来的钨原子与氧气反应沉积而成的,研究表明该薄膜的光学特性与薄膜中的氧空位有很大关系。KAguir等采用交流磁控反应溅射法在SiO2/Si 衬底上沉积WO3 薄膜,金属钨作为靶,混合气体为氧气和氩气,薄膜厚度约为50nm,在400 ℃温度下进行退火处理,用于制作O3气体传感器,研究表明该薄膜在一定温度下对O3非常灵敏。AAAkl 等以钨作靶材,ITO玻璃作为衬底,气体为氧气和氩气的混合气体,氧气和氩气的分压分别为30%和70%,为了得到不同形态的薄膜,采用对衬底加热和不加热两种实验,最后得到无定形薄膜和晶体形态的薄膜,在无定形薄膜中发现有晶体颗粒的存在,且随着衬底温度的升高,晶体颗粒数量的增加要比其尺寸的增大更快一些,同时薄膜的电导率与薄膜成分中的氧含量有着密切关系。
用溅射法制备纳米薄膜材料有以下优点:(1)可制备多种金属包括高熔点和低熔点金属的纳米薄膜;(2)能制备多组元的化合物纳米薄膜材料;(3)制备参数易控制、粒径较均匀。但是该法的成本较高,不适宜大面积制备薄膜。
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