我国湖南的柿竹园钨钼铋多金属矿属于大型矽卡岩型多金属矿体，矿石中有价矿物含量多，嵌布关系复杂，品位都较低，主要共生钨、钼、铋、铁和萤石等二十多种矿，分选困难。如何有效分离综合回收其中的有价矿物，已成为国内外的学者专业研究的学术热点。

溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一，它通过高速运动的离子轰击靶材，产生的原子放射出来累积在基体的表面，形成镀膜，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。

大规模集成电路经常使用钨靶材进行真空溅镀，尤其需要使用大尺寸的钨靶材，目前的半导体领域中，大尺寸的钨靶材的直径为300mm～450mm，厚度为6mm～15mm。可是随着半导体行业的发展，这种尺寸的钨靶材已不能满足工业需求。

在半导体工业中，靶材组件是由符合溅射性能的靶材及能与所述靶材结合并具有一定强度的背板构成。背板可以在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用，并具有传导热量的功效。例如，可以选用金属钨作为靶材，选用具有足够强度，且导热、导电性也较高的铜或铜合金材料作为背板以组成靶材组件。

大规模集成电路经常使用钨靶材进行真空溅镀，尤其需要使用大尺寸的钨靶材，目前的半导体领域中，大尺寸的钨靶材的直径为300mm～450mm，厚度为6mm～15mm。可是随着半导体行业的发展，需要更大尺寸的钨靶材。

仲钨酸铵是制备钨制品的重要原料。目前工业上生产钨粉的工艺主要是先将仲钨酸铵煅烧成蓝钨，然后在氢气中进行还原制备钨粉。这种方法制的钨粉粒度大多在2～4μm之间，已成为在军工和医疗器械等领域制备钨合金的主要原料。

氧化钨压敏陶瓷是指电阻值随着外加电压变化有显著非线性变化的半导体陶瓷。其具有非线性伏安特性，在某一临界电压下，压敏电阻陶瓷的电阻值非常高，几乎没有电流，但当超过这一临界电压时，电阻将急剧变化，并有电流通过，随电压的少许增加，电流会很快增大。

为了进一步阐明氢化的效果和确定氧化钨的表面化学状态，我们对氧化钨进行了X-射线光电子能谱分析。如图所示是三种氧化钨样品的XPS全谱图、W-4f谱图和O-1s谱图。从图中可以看出，三种氧化钨样品中含有W元素，O元素和少量的C元素。其中C-1s峰的存在归因于来自XPS仪器本身的非自然碳氢化合物。并且从全谱图来看，三种样品各峰无明显变化。

等离子体共振效应是一种物理光学现象。它利用光在玻璃与氧化钨薄膜界面处发生全内反射时渗透到氧化钨薄膜内的消失波,引发氧化钨中的自由电子产生表面等离子。在过去数十年中，局域表面等离子共振效应被简单的认为是贵金属纳米颗粒的光学属性，然而，随着半导体和氧化物纳米晶体中的 LSPR 的发现，这种观点正在发生变化。关于半导体和氧化钨材料的等离子共振效应多是通过掺杂贵金属来实现。

氢气环境中高温退火是得到含有氧空位的非化学计量的氧化钨结构的一种有效的方法。但是需要注意的是氢气是一种易燃易爆气体，在高温下更是容易发生爆炸。而高温条件又是必不可少的，它起到克服活化能障碍的作用。