纳米钨铜复合材料兼具钨与铜的优良特性，广泛应用于电极材料、电接触材料、电子封装材料和热沉材料等，但是钨、铜元素互不溶解、熔点相差大、润湿性差且烧结后致密度低的缺点导致了钨铜复合材料性能的降低、生产成本的提高。

金属掺杂是指多种物质混杂在一起。在化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。掺杂可以使材料、基质产生特定的电学、磁学和光学等性能，从而使其具有特定的价值或用途。

氧化钨材料按维度可分为零维纳米球体、一维纳米纤维和纳米管、二维纳米片和三维互连结构。而不同维度的氧化钨材料在其性能上也有着不同的差异。

氧化钨横向异质结构原则上是通过在第一种材料的现有区域的边缘处连续生长第二种材料。通过在氧化钨二维晶体生长过程中对其气相反应物原位调节的方式，能够制备得到氧化钨横向异质结结构。Raman和光致发光映射的表征表明其具有清晰的结构和光学调制。

析氢反应产生氢气的快慢在很大程度上取决于电催化剂。为了适应工业化生产，电催化剂不仅要有低的过电势，而且要价格低廉、含量丰富并且要具有良好的循环稳定性和催化稳定性。氧化钨是常用作析氢反应电催化剂的材料之一。与 Pt 等金属相比，它价格低廉，含量丰富。并且 氧化钨在硫酸电解液中可以形成具有高电子和质子传导性能的钨青铜。

制备氧化钨异质结最常用的方法就是化学气相沉积法(CVD)。CVD 法的基本原理是在氧化钨基底上生长一种二维晶体，然后在此基础上生长不同的二维材料，从而形成二维异质结构。其主要的操作流程是将反应物以气体的形式通入反应容器中，之后发生化学反应后以固体的形式沉积在基底上。

光驱动的光催化反应被认为是解决当前能源和环境问题的最有希望的策略之一。光催化技术是光和催化的合成词，是指在光和催化剂共同存在下的化学反应。氧化钨用作光催化剂时不仅可以降解各种有机污染物，而且能够用于水氧化、裂解水及二氧化碳还原等方面。

氧化钨是一种研究最广泛的 n 型半导体光催化剂，可普遍应用于有机染料降解、水氧化、水裂解和二氧化碳还原方面。氧化钨材料具有较窄的带隙，约为 2.2-2.8 e V，受形貌和化学计量属性影响。

利用液相剥离的方法剥离成功了氧化钨超薄纳米片，并将其用于电致变色性能研究。该纳米片厚度仅为 1.4 nm，尺寸为 500 nm。通入不同电压时，氧化钨超薄纳米片颜色在无色和深蓝色之间发生可逆转换。该研究重点比较了氧化钨超薄纳米片和块体氧化钨的电致变色性能。

亚化学计量的氧化钨（WO_3-x）是一种晶格中含有大量氧缺陷的氧化钨结构。氧化钨中氧的部分缺失会影响到其电子能带结构并使其导电性增大。氧化钨还原反应通常伴随着结构的变化。