氧化钨陶瓷

氧化钨压敏陶瓷是指电阻值随着外加电压变化有显著非线性变化的半导体陶瓷。其具有非线性伏安特性，在某一临界电压下，压敏电阻陶瓷的电阻值非常高，几乎没有电流，但当超过这一临界电压时，电阻将急剧变化，并有电流通过，随电压的少许增加，电流会很快增大。

烧结气氛对氧化钨陶瓷的微观结构和电学特性有很大的影响。真空、气氛等缺氧气氛烧结能够促使氧化钨陶瓷中产生更多的氧空位，导致晶格中的晶面间距增大，使其图谱中衍射峰向小角度方向移动。

氧空位能够改变氧化钨晶格中的钨氧键之间的角度，而几种相结构之间的主要不同点就是键之间的角度不同，这可能是氧化钨陶瓷在室温下为两相共存或多相共存的原因。在缺氧气氛中烧结时，氧化钨陶瓷中缺失的氧原子得不到补充，使得氧化钨陶瓷晶粒生长和致密化受到抑制；氧化钨产生的氧空位使电导率较高，使其导电行为符合欧姆定律。将在缺氧气氛烧结的氧化钨陶瓷再放置到空气或氧气气氛中进行第二次烧结，能够使氧化钨陶瓷的晶粒重新生长，使氧化钨陶瓷的致密度得到提高。在此过程中，晶界吸附氧与氧化钨陶瓷中的电子结合，形成一定宽度的电子耗尽层，即在晶界形成肖特基势垒，使氧化钨陶瓷出现压敏特性。缺氧气氛烧结的再放置到空气或氧气气氛中第二次烧结得到的氧化钨陶瓷样品，压敏电阻明显增大，漏电流减小，非线性系数增大。

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