本发明提供一种改进的钨插销结构的工艺流程。传统的钨插销工艺是随着集成电路工艺特征线宽缩小的要求而发展起来的，主要解决铝物理气相沉积而产生的现象。步骤如下：

1）采用物理气相沉积的方法淀积钨和其化合物作为扩散阻挡层；

2）经退火后，仅用氢气还原六氟化钨的化学气相沉积方法填充接触孔（CONTACT）和对接孔（VIA），形成钨插销（PLUG）结构。

该技术从而简化了流程，提高了生产率，降低了费用，提高了安全性，具有填充效果好、集成度高的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、价格昂贵、生产效率低和控制困难的问题，其中较为突出的是在钛和氮化钛淀积、钨的化学气相沉积方法中需要多步进行而导致的问题。

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本发明提供一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法。步骤如下：

1）提供一半导体基底，其包含有至少一钨插塞及一内金属介电层；

2）钨金属的化学机械研磨制程的前段研磨，采用标准钨研磨浆，于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行； 

3）钨金属的化学机械研磨制程的后段研磨，采用一氧化物研磨浆（使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量），于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行。

本发明可以避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。

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本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模，以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下：

1）在半导体衬底上形成金属布线；

2）形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分；

3）固化光致抗蚀剂膜图形；

4）在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜；

5）利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理，从而形成金属氯化物薄膜；

6）除去光致抗蚀剂膜图形；

7）将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀；

8）除去金属氯化物薄膜形成钨布线。

本发明提供足够的工艺余量，从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。

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本发明提供一种钨基高比重合金板的制备方法。步骤如下：　　　　

1）将Fsss费氏平均粒度在2.8~3.2μｍ的钨（W）粉与镍（Ni）粉、铁（Fe）粉、微量的钴（Co）粉和钇（Y）粉混料机内混料压坯；

2）将坯料在氢气体保护下，烧结炉内在以15℃/min速率升温至1490℃~1500℃保温2小时制得板坯；

3）将制得的板坯用不锈钢板作为包套材料，进行包套轧制。

注：轧制温度为700℃~900℃，开坯时第一道次的加工率为25%~30%，随后每道次加工率为18%~23%，总加工率达45%~50%时在真空度为6×10^-3Pa，温度为1000℃~1250℃条件下，保温1~2ｈ进行真空热处理来消除应力；随后选择在700℃~900℃进行轧制，每道次加工率达到20%~25%之间，总加工率达到70%~80%时可获得良好的中间板材；再采用1000℃~1100℃温度退火，进行最终轧制后。

本发明获得的钨基高比重合金板具有优异机械性能，可广泛应用于医疗电子、核军工、化学冶金、机械加工等行业的生产流程少，适于批量化生产W-Ni-Fe板材。

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本发明提供一种钨基高比重合金薄板的制备方法。步骤如下：

1）配粉：按拟制备合金材料的成分百分比要求，将钨及其它合金粉末进行称重配比，并进行均匀混合；

2）制粒：把小颗粒的混合粉末，添加适量的粘结剂，制成流动性好的团粒；团粒粒度控制在20~100μm；

3）粉轧制坯：采用粉末轧机，将制粒后合金粉末制成1~3mm厚的薄板坯；

4）高温烧结：在氢气保护气氛炉中，在1450℃~1500℃进行1~5小时的液相高温烧结；

5）冷轧：通过板材轧机进行冷轧加工即可制得钨基高比重合金薄板。

本发明的有益效果是：周期短；能耗低；无污染；成品率高；设备投资小；占用场地小；可应用到生产中。

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本发明提供一种碳化钨基硬质合金粉末的制备方法。其涉及塑性成形技术、粉末冶金技术和快速成形技术。组分及其质量百分比含量如下：WC：86~95%，Co：4~8%，Al：1~3%，Ti-C：0~2%，VC：0~2%，其余为不可避免的微量杂质。步骤如下：

1）按上述原料粉末用量分批投料预球磨，直至球磨粉末中WC粉末颗粒细化至亚微米或纳米级，Co-Al相均匀分布，所有组分充分混合后再高能球磨至Co-Al相均匀包覆WC相；

2）采用电流快速烧结法成形固结球磨碳化钨基硬质合金粉末。

本发明不仅可以节约战略资源钴和降低材料成本，而且该材料还达到了工业应用水平，有良好的推广应用前景。

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本发明提供一种钨钴钛硬质合金的制备方法，包括将碳化钨碳化钛的复式碳化物与碳化钨粉、钴粉经配料、球磨、干燥、掺成型剂、压制成型和烧结等步骤。步骤如下：

1）复式碳化物中TiC与WC的重量比为30：70~40：60，在配料时Ti的含量为（4.8~5.3）wt%，并且选用（1.2~1.8）μm与（6~8）μm的WC粉按80：20～60:40的重量比搭配；

2）在配料时Co的含量控制在7.7~8.3wt%，加入0.5~2.0wt%的Ni。

使用该方法制备的钨钴钛硬质合金既能解决硬质合金刀片在使用时磨损过快和易烧刀等问题，又不增加粘结金属Co的含量，降低钨钴钛硬质合金的成本。

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本发明提供一种碳化钨碳化钛钴硬质合金复合粉末的制备方法。复合粉末的重量成分范围在WC55~75%、TiC15~35%、Co余量，步骤如下：

1）将含钨、钴、钛的可溶性盐按比例溶于水中，搅拌均匀；

2）将上述溶液雾化成小液滴，液滴尺寸小于１μｍ，同时用热空气干燥造粒，进气温度20~300℃，出气温度100~200℃；

3）将收集到的粉末在600~800℃陪烧1~5小时，再进行WC-TiC-Co硬质合金复合粉末。

本发明可以大大减省现有的工艺，并且所制备出的碳化钨碳化钛钴硬质合金复合粉末成分和组织均匀，粒度可达到纳米级水平。

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本发明提供一种用两步离子交换法制备高纯仲钨酸铵的方法。用离子交换法经吸附、解吸、蒸发结晶制备仲钨酸铵的过程。步骤如下：

1）用多孔强碱性阴离子交换树脂从碱性溶液中吸附钨，解吸液酸化到pH2.5~4；

2）用丙烯酸型弱碱性阴离子交换树脂吸附，用氨水解吸，蒸发结晶制得高纯仲钨酸铵。

注：氨水解吸时采用装有界面排液管的离子交换柱，以迅速避开pH6~8的仲钨酸铵结晶区，防止晶体析出。

本发明实现固定床氨水解吸。解吸液中三氧化钨浓度可达250~300g/L，对磷、砷、硅、锡等杂质有很好的净化作用，对钼也有一定净化效果,钨的回收率可达99%。

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本发明提供一种密闭式盐酸分解白钨矿制备钨酸的方法。步骤如下：

1）备料：首先将原料矿粉置于球磨机中研磨成粒度为60~40μm细粉，或直接将白钨矿浆按要求称量、待用，盐酸亦按要求称量、待用；

2）分解处理：将盐酸加入反应釜密闭预热至50~60℃后，再加入称量、待用的矿粉或人造白钨矿浆，亦或将称量的盐酸、矿粉或人造白钨矿浆同时加入反应釜密闭后，在搅拌条件下加热带压分解反应60~90分钟，至终酸值达60~150g/L；反应温度为100~140℃、压力为0.1~0.6MPa；

3）过滤洗涤：将经2分解处理后的料液减压排入过滤器，并通入热水过滤、洗涤，即得固体钨酸（Ｈ₂ＷO₄）产品。

本发明由于将盐酸和白钨矿粉或人造白钨矿浆在密闭、带压加热、搅拌的条件下分解反应，从而大大提高了白钨矿分解的效率，降低盐酸耗量30~35%，避免了HCl气体对环境的污染和热能的耗散，节能30%左右，生产率可提高25~30%。因而该发明具有盐酸耗量低、能耗低、对环境污染小并可有效提高生产率等特点。从而克服了常规酸分解法需加入的盐酸量大，在高温状态下敞口反应，污染空气、酸耗量及能耗高、生产率低等弊病。

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