MOSIC是金屬—氧化物半導體積體電路的英文簡寫。是以金屬—氧化物—半導體場效應電晶體為主要元件構成的積體電路。該電路的製造結構簡單，隔離方便。電路尺寸較小且功耗低。MOS（金屬—氧化物—半導體）管是一種雙向器件，設計靈活性很高。一般來說MOS積體電路功耗低，集成度很高，可以用作數位積體電路。但是這種積體電路的缺點是速度較低，驅動能力比較弱。

按電晶體的溝道導電類型，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS電晶體結合成一個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS積體電路。隨著工藝技術的發展，CMOS積體電路已成為積體電路的主流，工藝也日趨完善和複雜 ，由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。按柵極材料可分為鉛柵、矽柵、矽化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進入亞微米（0.5～1微米）和強亞微米（0.5微米以下）量級 。

鎢加熱子在高溫下和鍍膜裝置裡的殘餘氣體會發生反應，作為氧化物會被蒸發掉。並且加熱子會和被蒸發物質鋁發生反應形成Na+，這樣以來加熱子應用在MOSIC上的問題就比較嚴重了。因此，為了減少Na+的污染，執法之前要加長脫氣的時間並且升高溫度，加熱到鎢絲發紅而又不會導致鋁發生熔化現象。脫氣時蒸發電壓為4~6V，電流50~55A，時間為1分鐘最好。在此條件下進行蒸發鍍膜可以一定程度上克服因蒸發沾汙而造成漏電使結特性變壞。

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鎢鑭電極主要是通過粉末冶金法制備的。它是在鎢粉中添加1%、1.5%或2%的的氧化鑭，經過摻雜、還原、垂熔、旋鍛和拉伸制得鎢鑭電極。鎢鑭電極具有良好的焊接性能，使用壽命長，且無放射性污染，被認為是釷鎢電極的最佳替代品，廣泛應用於鎢極惰性氣體保護焊（TIG焊）和等離子體焊接和切割領域。通過電性能比較發現，鑭鎢電極的電性能優於鈰鎢電極和釷鎢電極，且鑭鎢電極中的氧化鑭的遷移率、蒸發率低，能形成較好的燕尾搭接組織，具有較好的高溫蠕變性能。

經過旋鍛加工後，La₂O₃質點均勻分佈在鎢晶粒、晶界上。坯條在加工中如果控制不當，很容易出現分層或脫皮。另外旋鍛過程中送料速度過快也會導致分層或脫皮。

對鎢鑭電極和鈰鎢電極進行電性能實驗瞭解La和Ce的分佈情況。在直流200A，20min，電極端部處於高溫2600~3000℃下，La₂O₃和CeO₃由中心向表面遷移，向尖端遷移。它們的平均含量由邊緣逐漸減少，到中心部分已經幾乎沒有La₂O₃和Ce₂O₃。其中CeO₃的遷移和蒸發較快。

在觀察電性能實驗後的電極顯微組織發現，電極的晶粒都是沿軸向長大，其中晶粒鈰鎢電極和鎢鑭電極的長寬比分別為（3:1~15:1）、（3:1~7:1）。鎢鑭電極內分佈著大量的氣泡和少量的La₂O₃質點，且晶界是燕尾搭接組織，可以組織晶界橫向滑移，所以它的耐熱震、蠕變性能較好。由此可知鎢鑭電極的電性能較好。

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