三酸化タングステンは触媒にケトンの収率を調製するさまざまな要素に影響を受ける。さらに違い晶型のWO3の触媒剤はケトンの収率の影響を考察するために、表を分析し：

以上の表を見ると、焼成温度の変化につれて、触媒剤WO3の結晶が変わって、しかし、ケトンの収率の変化は明らかではない。WO3の結晶はこの反応が影響に大きくない説明することがでる。しかし、メタノールの溶剤を加入する時、ケトンの収率はない溶剤により高める。

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三酸化タングステンは触媒にケトン収率を調製するのははWO3の繰り返し使用性に影響を受ける。理想のWO3の触媒剤は高い選択で、良好な抗酸化安定性があるべきだ。だから、WO3の触媒剤の繰り返し使用の性能は非常に重要なことである。解媒の調整する過程の中で、反応が終わり時、触媒剤が回収される。そして、分離したWO3は80℃で1.5hを乾燥して、100℃で0.5hを乾燥し、そして繰り返し使用を行う。以下のデータはWO3繰り返し使用の回数がケトンの収率に影響するの分析：

以上の表のデータを見抜くことができて、WO3は繰り返し5回を使って、ケトンの収率が80％以上である。これはWO3が良好な繰り返し実用性があることが説明することができる。

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電界変色フィルムの材料は各種の有機と無機の化合物を含んでで、その中に研究が最も多く酸化タングステンである。その主要な調整方法は真空熱蒸発、電子ビーム蒸発、スパッタ、気相沈澱、電着沈澱とゾルゲル法などである。電界変色フィルムは一定温度の熱処理を加えて、その接着性と循環使用の寿命を高めることができる。しかし、高温で熱処理を加えてはフィルムの応答時間と変色幅に影響する。

一般的物理の調製方法は高い温度の熱処理を経て、例えば電子ビーム蒸発法が500e熱処理が必要です。スパッタリング法が200～300e必要である。これらの方法はコストが高く、技術が複雑で、およびよく工芸の条件の要求が高いから、一定の制限を受ける。化学の調製方法の中でゾルゲル法は設備が簡単に、フィルムが均一および大面積に調製しやすい低温の調製方法である。しかし、一般的100e以上の熱処理が必要である。例えばアルコール塩法は250eの熱処理で、イオン交換法が150eで、ハロゲン法は120e必要である。

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電界変色フィルムの材料は各種の有機と無機の化合物を含んでで、その中に研究が最も多く酸化タングステンである。その主要な調整方法は真空熱蒸発、電子ビーム蒸発、スパッタ、気相沈澱、電着沈澱とゾルゲル法などである。電界変色フィルムは一定温度の熱処理を加えて、その接着性と循環使用の寿命を高めることができる。しかし、高温で熱処理を加えてはフィルムの応答時間と変色幅に影響する。

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（1）空気の浄化：常温でナノ酸化タングステンは触媒を作る。空気中の酸素と水蒸気などは汚染物質に酸化さらて空気がきれいになる。例えば、硫化物、窒化物、有機物などの有害ガスである。このほか、産業の排気ガスは光触媒の分解を行うなどである。

（2）防霧：ナノ酸化タングステンフィルムは基片上にめっきて、粉体のナノ酸化タングステンに比べる。その比表面積が大きいので、親水性はとても良い。大量の水蒸気は酸化タングステンフィルムに滴て均一の水膜を形成するとき、強烈な紫外線の光はナノ酸化タングステンのフィルムが強い酸化させる能力になる。だから、吸着の大量の有機物は汚染のない水と二酸化炭素を分解することができる。

（3）抗生物質：ナノ酸化タングステンは光触媒の過程の中で大量の光電と光生正孔を生むことができる。上の発生のフォトエレクトロンと光生正孔を利用して光触媒の表面の吸着水を酸化されてライト基とマイナスイオン酸素二を形成する。それは細菌の細胞あるいは細く菌内組分と反応して、細菌を徹底的に殺す。このように有効なのウイルスの釈放有毒汚染物質、汚染をを再び防止することができる。

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双電荷の注入あるいわ抽出のメカニズムの提出は人々がWO3機能材料の光変色の本質を深く認識がある。そして、各種の光変色材料と部品に関するの研究を推進する。タングステンの化学反応の角度から理解し、光変色の効果はタングステン原子の可逆酸化の還元過程である。電子帯の角度から分析して、光変色の過程はUV励起価電子帯電子遷移電子正孔対伝導帯まで後に形成され、光生電子はW6 +がW5+に変わて、発生したホールは酸化結晶やフィルム表面吸着水で、プロトンH +を形成した後拡散に結晶やフィルムにと酸化タングステンを結合してタングステン靑銅構造を発生する。それによって靑いを呈する。しかし、このメカニズムはWO3-x（x＜0.3）は光変色に備えないの原因を説明できない、

以上のメカニズムの分析に基づいて、人々は各種の合成方法を利用して酸化タングステンフィルムの光変色性能を優れた。成功的に酸化タングステンフィルムの材料は知能窓、光子の部品（光情報記憶、光コントロール）とWO3 /エネルギー複合太陽電池などの分野を応用される。

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酸化タングステンの光触媒活性は主に材料の表面積と体積比に決まって、紫外光に照らされて酸化タングステンの結晶材料の表面が電子を生成する。表面で溶存酸素原子が電子を捕獲しマイナスイオン酸素を生成する。そした、相応のホールは酸化タングステンの表面のイオン氢氧根と水の分子を吸着して、酸化氢氧根の自由基に酸化される。それによって強い酸化性の作用で染料に二酸化炭素と水を分解する。酸化タングステンは無毒触媒として、混じ正孔酸化出力は高くて、自然界の含有量は比較的豊富なため、有効に分解するシルク加工中に発生した有機染料汚染の重要な触媒の一つである。

だから、触媒の効率を向上するために、人々はさまざまな方法を使って酸化タングステンナノ結晶のいくつかの特殊な構造面を暴露される。例えば陽極の酸化物を用いて誌向の介孔状の酸化タングステンを調製する。酸化チタンに修飾して、WO3の複合物の触媒活性をよく改善する。

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調製した材料は複口径の介穴の要路があり、双穴径を形成するの原因はシリコンタングステンがSiO 2要路を充填する時に足りないかもしれない。あるいは酸化タングステンの形成する過程中分子の間での重合は要路が空けることをもたらす。だから、SiO2を除去する時に要路が大きくなっった。しかも、形成して双穴径はエタノールと蒸留水を分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質の比例は3：1時、600℃で煆焼して酸化タングステン介穴材料の構造パラメータを調整する。これがみえて、エタノールを分散剤として調整する酸素化タングステン介穴材料の比表面積と穴体積がを蒸留水の分散剤により高い。

室温でエチルアルコールは介穴シリカエタノールの表面で接触角が11℃で、水は介穴二酸化ケイ素の表面の接触角が26℃である。エタノールは蒸留水により介穴二酸化珪素は良いの湿潤特性があることを説明する。シリコンタングステンは二酸化ケイ素に入って介孔材料を形成するに有利である。

また、介穴シリカを硬テンプレートとして、シリコンタングステンと複合して、HFを処理し二酸化ケイ素を除去する。調整した大きな比表面積と双穴径の介穴酸化タングステンを得られる。ベストの調製条件は：シリコンタングステンと介シリカ複合材料の比例は（m（NULLNULL WO3）/ m（SiO 2）3：1から4：1の間で、600-750℃で煆焼する。にエタノールを分散剤が複合時、所得の介穴WO3の比表面積と孔体積は蒸留水を分散剤により大きい。これは主にエタノールは蒸留水により二酸化珪素介穴にもっと良いの湿潤性能を持つ。

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エチルアルコールを分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質に比べて、600℃の煆焼とHFを処理後で、酸化タングステン介穴材料の小角XRD図を得られる。見ることができて、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質はm（NULLNULLWO3）/ m（SiO2）2：1時に、小角XRD図内の回折峰は明らかではありません。これは構造の秩序度が悪いことを説明する。また、N 2吸着-脱別表徴中の比表面積は40.7m2・g-1で、600℃煆焼の比表面積68.0m2・g-1より低下がある。その材料の比例は3：1と4：1時、辺りで明らかな回折峰（211）があり、その質量比の範囲に構造が良い酸化タングステンの介穴材料を調整することができる。.シリコンタングステンとシリコン介穴の材料の比例は5：1時に、小角XRD図内の回折峰はあまり著しくない。その構造の秩序性が悪く、タングステンの含有量が高いかもしれない。

一方、エタノールと蒸留水を分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質の比例は3：1時、600℃の煆焼とHFの処理後で酸化タングステンのN2を吸着-脱離する。N2吸着-脱着など温線は相対圧力（p / p0）が0.1-0.2の間に弱い突ほどがある。また、相対圧力は0.6 - 0.8ぐらいで吸着曲線が明らかに突ほどがある。しかも、吸着枝と脱離枝の間で明らかな遅れ環があり、これはN2要路で発生の毛管凝縮現象を引き起こす。これも調製した材料は介穴の要路があることを表明する。

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複合材料は煆焼を通して、酸化ケイ素要路内のシリコンタングステンは酸化タングステンを転化する。焼成の温度は酸化タングステン結晶と介穴構造に影響がある。.本文は550-950℃の間で、違いアニール温度は酸化タングステン介穴構造の影響を探索した。エタノールを分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質はm（NULLNULL WO3）/ m（SiO 2）3：1で、違い温度で煆焼したHFのタングステン酸化を処理する。アニールの温度が５５０℃の時には、小さな基本は無回折峰えである。これは構造の秩序度はとても悪く説明する。同時に、N 2吸着-脱別表徴中の比表面積は42.7m2・g-1で、600℃を煆焼後の比表面積の68.0m2・g-1に比べて著しい低下がある。

また、焼成の温度が600-750℃時は、２θ＝1の辺りで明らかな回折峰があり、煆焼の時SiO 2硬テンプレート内の酸化タングステン結晶の属性がより良くことを説明する。しかも、HFの処理後で酸化タングステンの介穴構造の秩序度がより良い。しかし、小角回折の中で、峰の二級回折峰を観察しなく、介穴の構造は良い秩序性を形成しないことを説明する。.アニールの温度850と950℃に達する後、結構んの秩序度が悪く、温度が高すぎて部分の酸化タングステンを揮発するかもしれない。その構造の秩序度に影響する。

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