太阳能光电化学电池制氢（PEC)技术是基于太阳能和水，而这两种物质都是可再生的，PEC技术没有副产品，不会给环境带来污染，且同时适用于小规模应用和大规模开发。因此，该技术是直接利用太阳能制氢最具有吸引力的制氢途径。组成光电极的半导体材料的性能决定了PEC的效率，与传统的二氧化钛、氧化锌半导体材料相比，三氧化钨具有较窄的禁带宽度 (2.5eV)，可吸收太阳光谱中波长大于500nm可见光的优势，且价格低廉，有良好的化学稳定性、无毒性、不发生光腐蚀，是一种良好的太阳能应用半导体材料。



本文讲述一种以仲钨酸铵（APT）为原料制备纳米三氧化钨薄膜的方法，具有前驱液稳定，可重复使用、简化生产工艺、降低成本，所得产物纯度高、与基底结合牢固、不受尺寸限制及良好的光电性能等优点。
所用到试剂：APT，改性剂（可为柠檬酸，聚乙二醇辛基苯基醚，油酸或乙酰丙酮）、去离子水、分散剂。其中分散剂的作用是构成大量的网状交织结构，在干燥、高温成晶过程中不易产生裂缝；而改性剂的作用提高前驱液的稳定性，另外在高温条件薄膜生长的过程中，能防止纳米三氧化钨颗粒团聚，导致薄膜脱落。
镀膜基底：铝、不锈钢、玻璃、石墨或硅片。

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退火温度（Annealing Temperature）为引物和模板结合时候的温度参数，当50%的引物和互补序列表现为双链DNA分子时的温度，它是影响PCR特异性的较重要因素。在理想状态下，退火温度足够低，以保证引物同目的序列有效退火，同时还要足够高，以减少非特异性结合。合理的退火温度从55℃到70℃。退火温度一般设定比引物的 Tm低5℃。在模板变性后温度快速冷却至40℃～60℃(某个退火温度)的时候，可使引物和模板发生结合。由于模板DNA比引物复杂得多，引物和模板之间的碰撞结合机会远远高于模板互补链之间的碰撞，这就使PCR后期的过程成为可能。

表1-1 退火温度对三氧化钨薄膜氢敏性能的影响：

从以上表格数据可以看出，退火温度越高，薄膜氢敏感性越差。当温度达到高温（＞400℃），薄膜由无色透明变成蓝色，对氢气几乎没有响应。这可能是因为退火温度越高，三氧化钨薄膜结构越致密，对氢气的吸附越困难；当退火温度＞400℃后，薄膜物质由非晶态变成结晶态，结构的变化导致薄膜的颜色变深，因此氢敏性能较差。

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