上世纪80年代中期，中国钨矿开采陷入了乱采滥挖，造成国际钨价市场严重混乱，钨原料市场供大于求，钨价猛跌，最低降至30美元/吨度以下，而中国国内钨精矿价格降至1万元/吨以下。之后，中国出台了一系列的行业监管政策，开采治理整顿、资源整合、总量控制，加强行业自律，慢慢钨业发展现状良好。在整治后，中国钨业有了以下好的发展方向。
1.资源保护程度有所提高
中国在03年-12年累计投入钨矿勘探金额为17.2亿元，新查明钨资源储量（WO3）近300万吨。2010年，国土资源部实施了“找矿突破战略行动”，加强老矿山找矿工作，钨矿勘察工作取得了新的突破。中国政府不仅在钨矿的勘探中投入了大量资金，对于钨矿的保护也十分的重视，使得每年的钨矿资源储量都有所增加，2009年-2011年增加幅度最大。
2.产能产量保持增长
1907年，中国江西西华山发现了钨矿。之后在赣、湘、粤等地陆续发现钨矿山，随之投入人工开采，形成了中国早期的钨业。新中国成立前35年，中国累计产量23.7万吨，占全球产量的29.80%。1914年至2014年，全球累计钨精矿产量343.91万吨，其中中国产量186.00万吨，占全球总量的54.08%。
尤其是中国进入新世纪以来，中国钨精矿产量增速加快。由于经济高速增长，以及市场价格的回升，拉动钨市场需求增长，刺激了钨矿产量的增加。

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涂层硬质合金在原有的化学气相沉积法（CVD）以及物理气相沉积法（PVD）的基础上加以改进，发展出了一些新的涂层技术。

1.化学气相沉积（CVD）

化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition, CVD）始于二十世纪七十年代，它是半导体工业中应用最为广泛的技术，也适用于大多数金属以及合金材料。简单来说，它的原理就是将两种或两种以上的原材料以气态的形式导入反应室中，使他们发生充分的化学反应，形成一种新的复合材料，沉积到基体上。从涂层硬质合金刀具来说，该工艺是在高温下（通常在800-1200℃）真空炉通过真空镀膜或电弧蒸镀将涂层材料沉积在硬质合金刀具的基体表面。CVD还可具体划分为超温超厚控制技术、中温CVD、等离子体CVD、真空CVD、流动层CVD、热解射流、流体床等等。但是该方法也存在一些缺点，如传统的CVD工艺由于高温沉积易形成脆性的金属中间相，使得产品性能下降。

2. 物理气相沉积（PVD）

物理气相沉积法（Physical Vapor Deposition, PVD）是指利用物理过程实现物质的转移，将原子或分子转移到基材表面，主要是在真空条件下采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使得蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在基材上。其所具有的优点是能将某些具有优良性能（如高硬度、高强度、耐磨性优良、热膨胀系数小）的微粒喷涂在硬质合金基体上，使得其具有更好的综合性能。PVD也可分为离子溅射、真空蒸发、高能离子脉冲、离子镀（电弧离子镀、射频离子镀、热阴极离子镀、空心阴极离子镀、直流放电离子镀、活性反应离子镀）等等。PVD法相较于CVD法沉积处理温度较低，一般在500℃以下，且无需后续热处理；在600℃以下对刀具类材料抗弯强度无影响，薄膜内部应力状态为压应力，更适用于硬质合金精密复杂刀具的涂层。但是相比之下，PVD工艺操作相对复杂，对环境要求较高，且涂层循环使用周期和均匀性都不及CVD法。

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鲁日是条美国的河流，福特曾在20年代初在那建立了鲁日汽车厂，其中最著名的是汽车总装车间，因规模庞大，相当于一座城市，所以在这里简说为“鲁日城”。

鲁日时代来源于福特凭借T型汽车所创造的鲁日城，在那个年代，福特从采矿到汽车生产，所有的供应都是依靠自身。这种发展模式在传统制造领域我们称它为鲁日 时代，而互联网领域则是阿里所倡导的生态系统。在这种模式中，所有的主营业务能够相互生存，关联性极强。这样不但能够抵御外来竞争对手的侵蚀，而且在其中也能寻找到新的盈利点。

鲁日汽车制造厂是福特汽车公司的核心企业，是一个非常大的工厂型社区，以全部加工场所聚集于一处的超大流水线作业著称全球。所以“鲁日”一般代指流水线及其附加概念。

说波音也有“鲁日时代”就是说，波音公司有一段时间也曾经在一个地方把所有东西都造出来组装在一起，比如钨合金副翼配重等。但是波音现在是全球加工全球制造，只在最后到达汇聚地点进行组装。所以说“曾经”有过鲁日时代。

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在相变过程中，压力降低了势垒的高度，电荷更加容易在褐钇铌矿和BaWO4-II中通过，从而降低了弛豫时间。平均的弛豫时间导致了总的弛豫频率的增加，这种增加的弛豫频率也表示频响特性是随着压力的增加而呈现的是电感特性的。对于BaWO4粉末样品的晶界来说，从2.6到6.9GPa的压力范围内，晶界的激活能是–9.09meV/GPa，表明激活能随着压力的增大而呈现降低趋势。

从6.9到8.9GPa，晶界激活能也呈现下降趋势，其降低的速率远大于2.6-6.9GPa压力区间晶粒激活能的降低速率。晶界激活能随着压力的变化趋势说明在2.6-8.9GPa的压力区间范围内，压力对激活能起到负的贡献作用，电荷载流子通过晶界变得更加容易。当压力超过8.9GPa时，相反地晶界激活能随着压力增加而增大。这说明在8.9-13.7GPa的压力范围内，压力对激活能的变化呈正贡献作用，并且电荷载流子传导更加困难。超过13.7GPa的结构相变后，激活能又随着压力增大而减小使电荷载流子的传输更加容易。

阻抗谱中的晶粒圆弧说明在7GPa的结构相变首先发生在晶粒内部，然后过渡到晶界。晶粒和晶界弛豫频率的变化也是由结构相变引起的。在6.9-8.9GPa的压力区间内，晶界激活能的减小表明压力对激活能起到负的贡献作用，电荷载流子更容易通过晶界。此外，在6.9-8.9GPa内上升的晶粒和晶界弛豫频率也说明在相变过程中的弛豫过程需要更短的时间。因此。可得利用直流电阻率和交流阻抗谱测试手段，并结合同步辐射X射线衍射方法，分析可得高压下体材料WO3、纳米WO3和BaWO4的电学性质和结构的变化规律。

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在高压下BaWO4的电输运性质研究中，为了获得更精确的数据，用绝缘垫片技术，防止在实验中引入附加阻抗的误差。利用在DAC表面集成的微电路，测量BaWO4的高压原位阻抗谱，研究了晶粒和晶界效应，可得其压致弛豫现象和激活能。对粉末多晶样品BaWO4来说，两个阻抗半圆弧融合在一起，电阻较大时，导线的电感对样品阻抗的影响较小，无需修正数据。然而，并不是所有的实验中都能测量出清晰的半圆弧，有些阻抗谱也会在高频区展现出不完整的半圆弧，而在低频区展现被压缩的半圆弧。经过测量技术改进，可以清楚的在高频区和低频区看到半圆弧。

 
DAC高压产生装置示意图

晶粒电阻和晶界电阻可以通过半圆进行拟合，其截距代表电阻的大小。晶界电阻随着压力的变化不同于压致晶粒电阻的变化。事实上，大部分在高压下电学参数的异常都是由压致结构相变引起的。晶粒电阻和晶界电阻随着压力的不连续变化表示电输运性质的变化，反映了压致结构相变。

在相变过程中，弗伦克尔和肖特基缺陷的种类增多，这是由于相变过程中焓值波动导致的原子热激发引起的。从6.9到8.9GPa，晶粒弛豫频率有一个增加的趋势，这种趋势与先前弛豫峰的移动方向是一致的。这是由于非同相结构内部的晶粒弛豫频率不同引起的。因为在这一压力区间内，有白钨矿，褐钇铌矿和BaWO4-II相三种结构出现，与白钨矿相相比，褐钇铌矿和BaWO4-II相有更短的弛豫时间。

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