WO3用于超深度氧化脱硫催化剂

脱硫催化剂油品中存在的含硫化合物不但会使得炼油工艺和汽车净化系统中的催化剂产生不可逆中毒,而且经燃烧后产生的Sox进入空气会造成酸雨等严重的环境问题;另外,新型燃料电池的应用也要求超低甚至零硫含量,对此,含硫化合物的脱除受到越来越高的关注。
 
加氢脱硫技术(HDS技术)是目前工业上普遍使用的石油脱硫技术,其原理是通过加氢将有机硫化物转化为硫化氢排出,从而达到脱硫的目的。HDS对大部分含硫化合物均有较好的脱除效果,但存在投资大、成本高、降低油品品质及其对噻吩类硫化物脱除困难等诸多问题。故而,一种新型的具有温和的操作条件、低成本低投入以及对噻吩类硫化物有效脱除等优势的氧化脱硫技术(ODS技术)日益引起人们重视。
 
该种超深度氧化脱硫催化剂的表达式为:[HqSexMyOz],其中,M代表W、Mo、Ti、V、Ru。三氧化钨由于其具有的独特性能,常在石油化工业中作为催化剂,故可以作为制备该种催化剂的原材料。
 
其应用于超低硫油品的制备,其步骤为:
1.将油品、用量为油品质量0.02 %〜0.2 %的% [HqSexMyOz]、用量为硫含量1〜20倍 (摩尔比)的氧化剂和一定量溶剂加入到反应器中,于20°C〜80°C、常压条件下,搅拌反应 10min左右,停止搅拌;
2.以分离方法分别回收油品、催化剂和溶剂,并通过一定后处理手段,将氧化产物除去,获得超低硫油品。
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钨铜电子封装材料等离子喷涂工艺

随着科学技术的高速发展,在微电子行业领域相关的电子产品的集成度也越来越高,相应的能耗也在增大。这就对电子封装热沉材料的性能提出了更高的要求,其不仅要具有一定的密度和强度,同时还需具备较高的电导率、热导率以及较低的热膨胀系数。钨铜合金由拥有高硬度、高密度、高强度、高熔点以及低热膨胀系数的钨和导电导热性良好的铜所组成,是一种极为理想的电子封装材料。并且其还可以通过对W和Cu组分的调整,实现对钨铜电子封装材料性能的调整。由于W和Cu二者理化性能差别很大,熔点相差2000℃之多,二者互不固溶也不形成化合物是一种典型的假合金。因此普通的压制烧结难以实现,只能通过熔渗法。但是熔渗法容易形成一定的孔隙缺陷并给后续加工带来一定的困难。

等离子喷涂是一种对材料表面进行强化以及表面改性的新型多用途精密喷涂技术。其采用直流电驱动等离子电弧为热源,具有以下几个特点:其一,超高温特性,适合于高熔点材料的喷涂;其二,喷射粒子速率高,涂层致密且粘结强度高;其三,喷涂时有惰性气体作为保护气体,使得喷涂材料不易被氧化。等离子喷涂技术可以使基体表面具有耐高温氧化、隔热、减磨、耐磨耐蚀、绝缘、防辐射以及密封等性能,能够将金属、合金以及陶瓷等材料加热至熔融或半熔融状态,高速喷向经过预处理的工件表面而形成附着牢固的表面层。此外等离子喷涂在医疗领域也有一定的应用,其在人造骨骼表面喷涂一层几微米的涂层能够达到强化人造骨骼以及加强亲和力的效果。

相关研究人员分别采用内部送粉和外部送粉两种喷枪进行实验研究。可以发现,在内部送粉的条件下,钨铜复合材料中的钨含量比外部送粉条件下高。这是由于在内部送粉时,粉末在被喷射出喷枪前全部位于等离子火焰中,部分W粒子被熔化,熔化和未熔化的W粒子以及熔化的铜液一起被喷向基体,这样一来容易得到与原材料粉末成分相近似的钨铜复合材料;而外部送粉时,粉末粒子的运动轨迹与等离子火焰不完全一致,其仅仅能使得一小部分粒度较小的W粒子熔化,而大量没有熔化的W粒子难以被沉积下来,使得W的收得率下降。另外,在内部送粉条件下,只检测到少量的氧化亚铜,可见功率对铜的氧化影响并不明显。这是由于内部送粉时只有级少量的氧气被带入粉末粒子流,从而在很大程度上避免了铜的氧化;而与之相反,在相同功率下,外部送粉将大量氧气带入粉末粒子流中,加剧了铜的氧化。随着功率的提升,等离子火焰温度也同时升高,铜的氧化明显增多。总的来说,等粒子喷涂是利用等离子弧进行的,离子弧是压缩电弧,与自由电弧相比较,其弧柱细,电流密度大,气体电离度高,因此具有温度高,能量集中,弧稳定性好等特点,是较为理想钨铜电子封装材料的制备工艺之一。近年来也不断有新的等离子喷涂技术出现,如真空等离子喷涂、水温等离子喷涂、气稳等离子喷涂等。

钨铜电子封装材料等离子喷涂工艺

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钨合金IDC机房辐射屏蔽件

钨合金IDC机房辐射屏蔽件钨合金IDC机房辐射屏蔽件是用于屏蔽IDC机房产生的电磁辐射的一类辐射屏蔽件。IDC机房即互联网数据中心,是电信部门通过已有的带宽资源和互联网通信线路,所建立的标准化电信专业级机房。伴随着互联网不断发展的需求,互联网数据中心迅速发展成为新世纪中国互联网产业中至关重要的一环,为媒体、企业、互联网内容提供商、政府、商户或网站服务器群提供专业的服务器托管、租用、网络批发带宽以及相关增值等方面的全方位服务。通过IDC服务器托管业务的使用,企业或政府单位无需再自己建立专门机房、铺设昂贵的通信线路以及无需再高薪聘请网络工程师等,即可解决许多互联网专业需求。

由于IDC机房设备在运行时会产生大量的电磁辐射,而电磁辐射对人体具有一定的危害,因此可采用钨合金IDC机房辐射屏蔽件对辐射进行屏蔽。电磁辐射对人体的危害主要体现在热效应、非热效应和累积效应。人体70%以上是水,体内的水分子在受到电磁辐射后会进行相互摩擦,引起机体升温,从而引发心动过缓、心悸、头胀、失眠、免疫功能下降、视力下降等各种症状;电磁辐射还会干扰人体固有的微弱电磁场,使血液、淋巴液和细胞原生质发生改变,影响人体的免疫、循环、生殖和代谢功能,导致胎儿畸形或孕妇自然流产;当热效应和非热效应对人体的影响尚未得到自我恢复之前,若再次受到过量电磁波辐射的长期影响,其影响程度就会发生累积,久而久之会形成永久性累积影响。

钨合金IDC机房辐射屏蔽件采用的是高比重钨合金。据研究,金属材料的辐射屏蔽性能与其密度密切相关,密度越高,对辐射的屏蔽能力越强。由于高比重钨合金具备较高的密度,因而钨合金IDC机房辐射屏蔽件具备较高的辐射屏蔽性能,可以有效地屏蔽机房设备产生的电磁辐射,降低其对工作人员造成的辐射损害。且钨合金无害无毒,不会产生有害物质,也不会污染环境。

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钨舟铅镉元素分析仪与石墨炉原子吸收分光亮度计测定血铅方法的比较

铅是最常见的环境污染物之一,属于毒性最大的重金属,对人体的危害也很大。如果人体长时间摄入铅,会严重影响认得神经系统,造血系统以及消化系统,还会影响腹中胎儿的智力和身体的发育。因此,对人体中血铅的测定就显得极其重要。钨舟铅镉元素分析仪和石墨炉原子吸收分光亮度计是现在最为普遍的测定人体血铅的方法。

首先用含肝素钠抗凝剂的采血管采集静脉血,采集后要使静脉血充分混匀。然后用微量取液器抽取血样10μL,放在全血铅检测试剂中,然后用漩涡混合器将其充分混匀。分别用钨舟铅镉元素分析仪与石墨炉原子吸收分光亮度计对血样进行检测。

检测结果显示两种方法测定的每一浓度的标准物质的测定均值均在标准值范围内。钨舟铅镉元素分析仪测定的结果偏差小于13.2%,石墨炉原子吸收分光亮度计测定的结果偏差小于10.9%。钨舟法的相对标准偏差小于6.9%,石墨炉法的相对标准偏差小于5.9%。两种方法都符合规定要求。

通过两种方法测量的试验表明,这两种方法所测定的血铅结果具有较高的灵敏度,较好的精密度和准确性。两者的区别之处在于石墨炉原子吸收分光亮度计配有自动进样器,所测定的样品结果准确性高,精密度好。但是操作环境要求较高,需要较大的电压和电流。石墨管也比较容易受损,该方法适合条件较好的实验室。钨舟铅镉元素分析仪能同时测定血铅和血镉,而且升温快,功率小,不需要冷水系统。钨舟具有耐高温,耐磨抗氧性强的优良特性,多以比较不容易损坏。但是该方法对操作人员有一定的技术要求。

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掺杂对钨青铜铌酸盐晶体结构及性能影响

钨青铜(TB)结构的铌酸盐,由于其独特的晶体结构,可以通过掺杂有效的提高其光折变性能及生长质量;如掺铜的钾钠铌酸锶钡晶体(Cu:KNSBN)在获得大尺寸晶体及其性能提高等方面均有所突破。掺杂改性在晶体材料的研究中越来越受到重视。因此,研究掺杂的机制、掺杂与晶体的分子设计及其组成变化的关系,是十分必要的。
 
TB型铌酸盐晶体结构内部存在着5种类型的结构位置(Al、A2、C、Bl、B2),这给其引入其它离子进行掺杂改性提供了极为有利的条件。常见的掺杂离子有:一价阳离子Cu+,二价阳离子Mg2+、Ca2+及Cu2+等,三价阳离子Cr3+、Fe3+等,四价阳离子Zr4+、Ti4+等,五价阳离子Ta5+、V5+及六价阳离子W6+等。晶体中的掺杂离子有以下作用,其一、使晶体的生长条纹减少,晶体不易开裂,从而容易生长出大尺寸的晶体材料。其二、使晶体具有良好的极化性能,不易产生退极化现象。另外、进入晶体中的掺杂离子,还对晶体产生以下影响:(a)晶格常数的变化。(b)晶体对称性的畸变。(c)影响晶体的相变。同时,掺杂离子进入TB型铌酸盐晶体中的量或多或少都会引起晶体中其它阳离子组成的变化。掺杂离子因其自身特征及晶体中阳离子的种类和占位情况而进入晶体中不同的结构位置。可见,在晶体材料的合成中,掺杂可以提高晶体生长质量、改善晶体的性能。

钨青铜结构
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