传统锂离子电池负极材料石墨虽然循环稳定性好以及性价比较高，但是由于其充放电比容量较低，体积比容量更是没有优势，难以满足动力系统特别是电动车及混合电动车对电池高容量化的要求。因此开发具有高比容量、高充放电效率、长循环寿命的新型锂离子电池负极材料极具迫切性。

在钨的氟化物中，WF₆是唯一稳定并被工业化生产的品种。它的主要用途是在电子工业中作为金属钨化学气相沉积(CVD)工艺的原材料，特别是用它制成的WSi₂可用作大规模集成电路(LSI)中的配线材料。通过混合金属的CVD工艺制得钨和铼的复合涂层，可用于X-射线的发射电极和太阳能吸收器的制造。此外，WF₆在电子行业中还主要用作半导体电极和导电浆糊等的原材料。

钨钴硬质合金具有高硬度、高强度的优良使用性能，主要可用来制作集成电路板微型钻头、点阵打印机、打印针头、整体孔加工刀具、木工用刀具、精密工模具、难加工材料切削刀具等。

钨钴硬质合金具有高硬度、高强度的优良使用性能，主要可用来制作集成电路板微型钻头、点阵打印机、打印针头、整体孔加工刀具、木工用刀具、精密工模具、难加工材料切削刀具等。

四硼化钨因具有高熔点、高硬度、高电导率、优良的耐磨性以及对不同类型介质的高耐腐蚀性和抗氧化性等特点，在高温结构材料、耐火材料、电极材料等领域有广阔的应用前景，尤其是它的超硬特性，使其成为一种重要的候选超硬材料。

伴随着电台广播、通信、雷达、导弹等军事和空间领域以及工业高频感应加热设备的高速发展，电子管在发射功率几十千瓦到几百千瓦、甚至上兆瓦的大功率电子设备中是作为能够满足其高性能、高效率要求的首选器件。阴极材料是电子管的心脏部件,其性能直接决定着电子管的使用性能，包括显象管和显示管在内的真空显示器件向大屏幕和高清晰度发展,对应用于其中的电子发射体的发射电流密度和寿命的要求越来越高。

在军事、空间技术，电子加速器及自由电子激光等技术领域中，对低温、大电 流密度、高均匀发射和长寿命的电子发射体的需求始终十分迫切。真空电子管阴极发射性能、工艺稳定性和可靠性也对成本昂贵的电子器件的研制与生产十分重要。

在基片温度为800 ℃，保温时间为15分钟时所生长的氧化钨纳米花结构体的XRD谱图。XRD谱图中23.5°的衍射峰对应于单斜γ相氧化钨结构面，而41°、58°、74°的衍射峰则对应于立方晶系的钨单质。其中晶向为面的衍射峰较强，因而氧化钨在晶向面上的结晶度较高，晶格常数为0.3728 nm。

 Pt掺杂技术能够使氧化钨纳米花薄膜的电致变色性能得到充分的提高，而氧化钨纳米花薄膜Pt掺杂的流程如下：

氧化钨纳米花薄膜作为一种新型材料薄膜有着其独特的性能优势，故其制备流程有着十分重要的作用。氧化钨纳米花薄膜的制备流程如下：