氧化钨纳米花XRD谱图

在基片温度为800 ℃，保温时间为15分钟时所生长的氧化钨纳米花结构体的XRD谱图。XRD谱图中23.5°的衍射峰对应于单斜γ相氧化钨结构面，而41°、58°、74°的衍射峰则对应于立方晶系的钨单质。其中晶向为面的衍射峰较强，因而氧化钨在晶向面上的结晶度较高，晶格常数为0.3728 nm。

由XRD图可以氧化钨纳米花结构体分由钨和氧化钨组成，但是纳米棒的成分尚未清楚。为了获取纳米棒的晶体结构，通过透射电镜检测纳米棒获得氧化钨纳米棒尖端的电镜图，可见该纳米棒的晶格常数为0.373 nm。晶格常数对应于纳米棒的晶格常数，说明纳米棒的成分为氧化钨，且氧化钨纳米棒沿着结构面择优生长。

可以观察到氧化钨纳米花结构体明显存在边界。在边界内，钨分布较为集中，在边界外，钨浓度急剧下降，而氧浓度则没有明显的边界效应。由上节可知纳米棒和内核是相连的，而由XRD也可知纳米棒的成分为氧化钨。可以观测到氧元素在核心和外壳都存在，但是钨元素主要集中在核心，这可能对应于XRD图中所出现的立方晶系单质钨。因此可以推测，热氧化过程中钨颗粒没有被完全氧化，其核心依然为单质钨。

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