氧化钨纳米花薄膜Pt掺杂

 Pt掺杂技术能够使氧化钨纳米花薄膜的电致变色性能得到充分的提高，而氧化钨纳米花薄膜Pt掺杂的流程如下：

（1）把氧化钨纳米花薄膜放入磁控溅射仪中，在磁控溅射仪腔内温度为25 ℃、真空度为4.0 ×10-1 Pa条件下，以4mA的溅射电流溅射10s。在薄膜表面溅射上一层Pt薄膜层，即可得到Pt表面修饰氧化钨纳米花结构体薄膜。氧化钨纳米花后的衬底截面的SEM图中，可以看出在纳米线上层生长了氧化钨纳米花，其结构具有较多的电子传输通道。

（2）Pt掺杂：在敏感元两端镀电极，再引线封装。把掩模放置在氧化钨纳米花薄膜上面，然后通过磁控溅射法，在真空度为5 Pa条件下，以0.6 A的溅射电流溅射30s，在Pt表面修饰氧化钨纳米花薄膜的两端沉积了两个相距为3.0 mm，宽为5.0 mm的钨金属电极。最后引线封装，实现与外联导线的良好电接触，得到Pt表面修饰氧化钨纳米花结构体薄膜氢气传感器。

可见纳米花结构体较多，直径为4-6μm，纳米花之间互相交叉，具有较为稳定的接触结，提供较多的电子转移通道。多根纳米棒围绕着中心生长，呈分支状结构。长度为2μm-3μm，直径为200 nm，具有较多的电子传输通道。从而能提高气体分子的吸附率，提高氢气传感响应灵敏度。可见XRD谱图中在23.6°、26.6°、28.9°、34.1°和41.1°的衍射峰符合三斜晶系结构的氧化钨表明薄膜结晶度高，并已经完全氧化为氧化钨。

• < 上页
• 下页 >