氧化钨纳米花薄膜制备流程

氧化钨纳米花薄膜作为一种新型材料薄膜有着其独特的性能优势，故其制备流程有着十分重要的作用。氧化钨纳米花薄膜的制备流程如下：

（1）使钨金属颗粒通过氧化钨纳米线的范德华力紧贴在基片上： 把石英片作为基底，用无水乙醇和去离子水分别超声清洗10 分钟，把基片放入烘干箱中在120 ℃下干燥处理。将0.5 mg粒径为10μm的钨金属粉末均匀铺在钨舟表面上。将基底倒扣在钨粉表面。

（2）通过热氧化法，在真空度是5 Pa、氧气流量是2.5sccm与氩气流量是200sccm的条件下。以60℃/分钟 的升温速度，把基底从常温逐渐升温到800 ℃后，保温5 分钟，在基底上生长氧化钨纳米线，使钨粉贴附在其表面上。从电镜图中可以看出，衬底和钨粉之间形成了致密的纳米线层，成为了衬底和钨粉之间的粘连带，解决钨粉和衬底之间晶格不匹配导致的气敏材料层黏附性较差的问题。

（3）将衬底上的钨金属颗粒生长为氧化钨纳米花薄膜。之后将基底正面朝上后，用真空热蒸发镀膜机，通过种子种植法，在真空度是5 Pa、氧气流量是2.5sccm、氩气流量是200sccm的条件下，以60℃/分钟的升温速度，把基底从常温逐渐升温到800 ℃后，保温15分钟。最后以60℃/分钟的降温速度，把样品降温至室温，使钨金属种子生长为氧化钨纳米花薄膜。

（4）生长氧化钨纳米花薄膜：将衬底在空气中以500 ℃条件退火3小时，使氧化钨纳米花结构体完全氧化，得到氧化钨纳米花薄膜。

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