钨合金螺旋桨
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 18:38
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钨合金飞机配重件的原理
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 18:35
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CVD(化学气相沉积法)钨管的抗拉强度
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 18:00
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采用CVD(化学气相沉积法)制备的钨管的抗拉强度在300-500Pa左右,与电弧熔炼、粉末冶金法、电子束熔炼后旋锻等方法制备钨棒退火态抗拉强度相当。
对经过真空退火处理的钨管(Φ6mm,壁厚1.5mm)进行拉伸性能测试结果显示,其抗拉强度在380Pa左右。不同工艺沉积制备不同直径、壁厚钨管经真空退火处理进行拉伸性能测试,拉伸断口形貌呈脆性沿晶断裂。沉积制备过程存在的缺陷对钨管抗拉性能会产生很大影响。例如,当沉积基体表面存在杂质颗粒时,钨管表面会有缺陷,拉伸过程中,断裂将沿该部位发生,使得钨管抗拉强度大大下降。
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残余应力对钨管力学性能的影响
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:54
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采用CVD(化学气相沉积法)制备钨管,沉积温度控制在500℃-700℃左右。
采用切环法测量钨管的残余应力的结果表明,钨管沿圆周方向存在残余应力。残余应力的大小随钨管管径的增大而降低;随沉积温度的升高而降低。该结果与硬度测试结果一致。
采用X射线衍射法测量结果显示,钨管外表面沿管径方向的残留应力为残留拉应力,沿管切向、轴向的残留应力为残留压应力。且经过退火处理后的钨管,其表面残余应力值减小。在经过去应力退火处理后,沉积层表面沿切向、轴向的残余压应力会转变为残余拉应力。这将导致在某些工艺条件下,沉积钨管在后续使用过程中会产生裂纹。
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CVD(化学气相沉积法)制备钨管的硬度(2)
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:52
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不同沉积温度条件下(500℃-700℃),采用CVD(化学气相沉积法)制备所得的钨管,在经温度为1200℃、保温时间为1h的真空退火处理后,钨管截面显微硬度的测量结果与未经退火处理的测量结果的对比显示,经退火处理后的钨管硬度下降且钨管截面硬度值的分布趋于均匀。
得益于退火处理,钨管的残余应力(由膜层沉积生长过程中柱晶相互挤压和铜基体收缩造成的)降低了。由此可知,CVD制备钨管的硬度可达较高(500-800HW)。
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硬质合金钻头
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:51
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硬质合金钻头是岩心钻探所使用的一种钻头。钢质的圆筒状钻头体上因镶焊有碳化钨的硬质合金切削具而得名。硬质合金切削具的形状和其在钻头上镶焊的数量,排列方式、镶焊角度的不同,称为底出刃、内出刃和外出刃,以保证有通水和排粉的间隙。钻头体的上部是丝扣连接岩心管,钻头体侧部开有水槽,底部唇面上亦开有水口。水槽和水口都是保证冲洗液的流通,达到排除岩粉和冷却钻头的作用。钻进粘土层和页岩地层时为了加大间隙,在硬合金钻头的内外侧壁焊上肋骨,称肋骨式钻头。在研磨性高的硬地层可以使用针状硬质合金自磨式钻头。一般硬合金钻头钻进岩石可钻性为Ⅱ一Ⅶ级的地层;针状硬质合金钻头可钻进Ⅵ一Ⅷ级岩石。
硬质合金钻头的用途及特点:
1.能适合较复杂材质的钻孔,可选择较高的切削速度。
2.精选合金钻头专用的高性能合金刀片,有效减少崩刀,保持良好的耐磨性。
3.多层几何切削端刃,提高排泄性能,保持较小的切削阻力。
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CVD(化学气相沉积法)制备钨管的硬度(1)
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:50
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采用CVD(化学气相沉积法)制备钨管,具有相同管径等因素,沉积温度在500℃-700℃之间的沉积钨管沉积层的硬度测试结果显示,不同沉积温度制备所得的钨管的硬度均高于500HW。若是管径不同,则钨管硬度随着钨管直径的增加而降低;不同沉积温度制备所得的沉积层钨管的硬度随着距沉积基体距离的增加而降低。
对沉积层硬度变化的结果分析显示,该变化与沉积结束冷却过程产生的内应力和膜层晶体的生长有关。在基体内表面、膜层沉积生长的过程中,垂直于基体生长的柱晶相互挤压造成沉积层内具有较大的残余应力。钨管的半径越小,柱晶相互挤压造成的沉积层残余应力较大。在273-1273K范围内,钨、铜的平均线膨胀系数分别为4.4×10-6K-1、17.0×10-6K-1。沉积结束冷却过程,钨管体积收缩远小于铜基体,这将造成沉积钨管表面存在更大的残余应力。
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CVD(化学气相沉积法)制备钨管的密度
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:48
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采用CVD(化学气相沉积法),以WF6和H2为原料,沉积温度范围在500-700℃左右来制备钨管。
WF6在和H2发生化学反应后还原为钨原子,钨沉积层会沉积在沉积基体上。然后,获得沉积钨管的方法:可通过化学腐蚀或是在真空炉中将基体熔化。
采用浮力法测不同温度沉积钨管密度的结果显示,在不同的沉积温度下,钨管都具有高密度:>19g/cm3。随着沉积温度的升高,还原过程加快,沉积生长界面上经还原的钨原子会进一步生长,这将导致显微组织晶粒明显细化和沉积层生长方向趋于杂乱,最终导致沉积层密度有所降低。
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CVD(化学气相沉积法)制备钨管的纯度
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:47
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CVD是一种气相生长方法,用来制备材料,它是在放有基材的反应室内通入一种或几种含有构成薄膜元素的单质和化合物气体,借由空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的技术。
沉积温度控制在500-700℃,以WF6和H2为原料,采用CVD来制备钨管。
WF6和H2相互作用并还原为钨原子,然后,钨沉积层会沉积在沉积基体上。之后,沉积钨管可通过化学腐蚀或是在真空炉中将基体熔化获得,其尺寸精度可控。
对钨管进行X射线荧光扫描分析结果表明,采用CVD制得的钨管纯度高。具体体现为:沉积膜层中,钨的含量不小于99.7%。
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焊缝检测钨辐射屏蔽件优势
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- 发布于 2015年6月15日 星期一 17:24
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由于钨合金屏蔽件高密度,高辐射屏蔽性,其材料兼具无毒环保性常被应用于焊缝检测钨辐射屏蔽件。焊缝检测钨辐射屏蔽件优势主要基于钨合金材料的特性:
高射线屏蔽性:由于钨合金材料具有对各种射线的屏蔽本领高的优点,对阻止150keV的γ射线,衰减90%的 厚度仅需3mm厚,非常适合于对空间分辨率要求高的场合,如医疗准直器,多页光栅等。钨合金材料有着很高的密度(比铅大60%),减小了射线屏蔽件的尺寸,却不影响射线屏蔽效果。就相同辐射屏蔽性能的钨合金和铅相比较,钨合金的体积不到铅的1/3。
环保性:使用铅作为放射性治疗屏蔽其危害性较大,由于焊缝检测钨辐射屏蔽件材料的环保特性,由钨合金为材料制造的焊缝检测仪没有危害性。
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