藍寶石襯底上形成的半導體鐳射元件層的步驟現在將參考描述的是一個截面AA是部分BB。換句話說，方向被切斷，以產生AA截面垂直於該方向上被切斷，導致產生部分BB。

在藍寶石基板冷卻到約600℃，三甲基鋁（TMA）和氨的溫度下（NH3）被供給到形成的氮化鋁層18具有約50納米的藍寶石基板上具有均勻的厚度。隨後，TMA僅停止供給，藍寶石襯底溫度升高到1040℃，然後通過TMA的供給，使三甲基鎵（TMG）和矽烷（SiH4）為具有矽摻雜的n型GaAlN層13形成氮化鋁層上（n-層）。


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與Ⅲ族氮化物化合物半導體鐳射元件由此形成層在藍寶石基板浸漬在保持在60℃，一個鹽酸基腐蝕劑然後將基材在超聲波清潔器裝入約10分鐘，以便進行中間氧化鋅層的選擇性蝕刻。作為一個結果，中間氧化鋅層除去，形成藍寶石基片和Si摻雜的n型GaAlN層（n層），它是將半導體鐳射元件層的最底部部分之間的間隙的網格圖案。

在接下來的步驟中，鋒利的刀片正上方每個間隙被壓縮到氧化矽層沿著線CC，由此三個子層組成的半導體鐳射元件層被切割的頂面。切割所得到的端面最終將作為一個鐳射諧振腔的反射鏡表面。


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藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層這樣的現有技術說明參考文獻公開了其中通過在創建p-型傳導製造III族氮化物半導體鐳射器（AlxGayIn1 - x-yN ，包括x = 0的情況下， Y = 0和X = Y = 0） ，通過暴露於電子束。這樣的半導體雷射器具有形成在其上，反過來，覆蓋有在III族氮化物化合物半導體（AlxGayIn1 - x-yN的pn異質結的藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層;包括x = 0的情況下， Y = 0和x = Y = 0 ） 。

在未經審查的日本專利公開提出了鐳射二極體（公開）第Hei- 4 - 242985是由氮化鎵基化合物半導體製成（（的Al x Ga -X） yIn1 -YN ; 0≤X≤ 1,0 ≤Y≤ 1） ，用所摻雜的雜質啟動層。


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三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的是提供一種III族氮化物半導體的在一個藍寶石襯底，其形成和其上設置有足夠高的品質劈裂面，以產生一個更高的鐳射輸出的鐳射元件層。

三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的可以通過一個鐳射二極體製造的III族氮化物基化合物半導體來實現（; 0≤X≤1;（的Al x Ga-X）yIn1-YN 0≤Y≤1）如要求所定義具有較大的帶隙層之間保持的有源層的雙異質結結構。


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γ-鋁酸鋰和藍寶石基板已通過採用有機金屬化學氣相沉積生長的Zn1非極性-xMgxO薄膜。的Zn1-xMgxO薄膜與不同Mg含量（0≤X≤0.113）通過調整在氣相中的鎂金屬有機前體的分壓得到的。 Mg原子結合的電影代鋅的能力範圍內。無偏析相如MgO或Mg金屬在整個的Zn1-xMgxO膜中觀察到。的膜的結構表徵表明，γ-鋁酸鋰是一種高級的襯底為藍寶石的非極性的Zn1-xMgxO薄膜的生長。

外延的Zn1-xMgxO薄膜成功地生長在γ-鋁酸鋰基板與ZMO勞和ZMO LAO的外延關係。在另一方面，Zn1-xMgxO薄膜既和方位在藍寶石襯底上獲得的Zn1雖然-xMgxO成為主導隨著Mg含量。此外，外延的Zn1-xMgxO薄膜的室溫下的陰極發光光譜表明的近帶邊發射的隨Mg含量明顯藍移，這表明帶隙工程中的γ-鋁酸鋰襯底上外延非極性的Zn1-xMgxO薄膜。


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一種鐳射二極體製成的，其包括藍寶石襯底上的III族氮化物基化合物半導體層;形成在III族氮化物基化合物半導體多層結構，其中所述基板，所述具有雙異 質結結構與設置之間的有源層的多個層結構層具有比有源層，從而使多層結構的III族氮化物組合物是由通式（的Al x Ga-x），其中0≤X≤1和0≤Y≤1 Y輸入1-Y N所定義的較大的帶隙;其特徵在於，所述藍寶石基板具有對應面對的基板和其功能是作為用於晶體生長的主平面的平面取向說，所述多層結構上形成的所述主面的 藍寶石基板可直接或在一個中間存在所述緩衝層和反射鏡表面被切割形成所述多層結構和所述平行于對應於所述藍寶石襯底的c軸方向的方向的藍寶石襯底。

改進的鐳射二極體是由氮化鎵基化合物半導體的（（的Al x Ga-X）yIn1-YN; 0 </ = X </ = 1; 0 </ = Y </ = 1），具有雙異質結結構具有具有較大的帶隙層之間保持活性層，鐳射二極體包括通過切割形成的反射鏡表面，多層塗層和所述指示藍寶石襯底平行於（c軸方向）的藍寶石襯底。另外，在改進的方法中，只有中間氧化鋅（ZnO）層是通過濕法蝕刻用的ZnO選擇性液體蝕刻劑除去，從而形成在藍寶石襯底和最底下的子層，所述半導體鐳射元件層之間的間隙;與所述半導體雷射器元件層被切割用的輔助所述間隙20，以切割被用作鐳射諧振腔的反射鏡表面所得到的平面。


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異形藍寶石晶體的提拉使用由在一個“迴圈”或“線性”的增長佈置加熱元件來實現的電阻加熱進行說明。生長設備可容易地拆卸東陽各個鉬金屬模具被連接到具有一個強度降低的擴散鉬 - 鉬結合的模具夾持塊。的各個處理的優點的描述和後拉晶體的形狀的品質晶片頂部溫度的影響被提及。

邊緣界定薄膜聯儲增長（EFG） SaphikonTM藍寶石晶體已經成長並成功加工成窗測量225 x 325毫米，厚度為5.6毫米。 40多個視窗已經完成，並組裝成客戶的硬體和交付。拋光及塗層的窗戶都從1比一門125毫米口徑展出的平均傳輸> 93 ％到< 0.1波有效值5毫米的波前測量（ @ 0.633微米） 。光學測量資料列和晶體生長和拋光工藝的各個方面進行了討論。


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在有關氮化鎵一維納米結構和合成以往的研究氧化鎵才出現，作為鎵源的組成部分之一。在此已成功地合成了批量量氮化鎵納米帶的藍寶石襯底上，從濺射氧化鎵薄膜與氨氣的直接反應。既沒有金屬催化劑也不範本在該過程中使用，合成的帶狀一維納米結構的詳細特徵顯示，他們單晶六方纖鋅礦氮化鎵。

通過氮化氧化鎵薄膜沉積在藍寶石襯底合成底物通過射頻磁控濺射單晶氮化鎵納米帶。納米帶的元件和結構經X-射線衍射（XRD ）研究，掃描電子顯微鏡（SEM） ，能量色散型X射線（EDX ），透射電子顯微鏡（TEM）和高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM ） 。該平整光滑帶狀納米結構是高品質的單晶六方纖鋅礦氮化鎵。的厚度和生長的GaN納米帶的寬度與厚度之比分別是在8-15 nm和5-10nm的範圍內。


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氧化鋅納米結構的熱蒸發直接生長在藍寶石襯底和氮化鎵外延層。它們的形態和密度被認為是強烈依賴於裝入反應器中，由於分別在不同的氧濃度和晶格失配，在合成位置及種類的基板。掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡研究表明，在藍寶石襯底上ZnO納米棒在四個方向，一是藍寶石和三藍寶石方向增長。我們發現的傾斜氧化鋅納米棒的面內晶格失配被顯著地形成的平面關係減小的氧化鋅/ /藍寶石相比，其在的氧化鋅/ /藍寶石氧化鋅薄膜。另一方面，對於在氮化鎵外延層，以及垂直對齊的氧化鋅納米棒生長外延的氧化鋅膜，由於減少了晶格失配之後生長。電子能量損失譜資料表明，富Zn的化學計量負責氧化鋅納米結構的形成。

氮化鎵的外國基板高壓定向生長結果：碳化矽，藍寶石和氮化鎵/藍寶石MOCVD範本呈現。氮氣壓力和飽和度在生長過程中的作用進行了討論。對氮化物的穩定增長的情況而定。結晶過程的結果與上壓力生長的GaN晶體得到的定向生長進行比較。

氧化鋅的Br2-O2 ，氯化鋅-02 ，和ZnO-H2-H2O-O2化學氣相沉積（CVD）系統的研究，以獲得對藍寶石單晶氧化鋅作為生長的光波導。該波導是由氧化鋅的藍寶石上的非常薄的濺射沉積的外延層通過使用在ZnO-H2-H2O-O2等溫化學氣相沉積系統。在垂直於氧化鋅薄膜的c軸方向獲得的TE0模式傳播損耗最小為0.7分貝/釐米。氧化鋅對薄濺射的氧化鋅膜此化學氣相沉積給出了帶狀光波導的藍寶石的製造方法，由於在濺射沉積的ZnO片的氧化鋅薄膜的選擇性生長。

化學氣相藍寶石上（SOS）的低溫沉積矽0.25 μm厚植入28Si +和通過爐內退火（FA），並在我們的實驗室紅外快速熱退火（RTA）進行重結晶在固相上。可以同時使用退火方法得到的結晶品質的改善。 FA之後，就很難保持固有的高電阻率值（ Ω 104-105釐米）中觀察到的生長的SOS膜，所以改進的過程，不能投入實際使用有效。然而，可以證明，通過適當地調節注入和RTA的條件下，在兩種膜品質和膜自動攙雜顯著改善可以完成。這項工作介紹了改性雙固相外延，其中作為土生土長的SOS薄膜的內在高電阻率被保留的過程。抑制鋁自摻雜的機理進行了討論。