報道一種新的方法，以減少金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）生長在藍寶石襯底上的氮化鎵薄膜的位錯密度。在這個新方法中，甲矽烷和氨氣氣體被同時在低溫下具有一定時間的初始低溫氮化鎵緩沖層的生長之前引入。通過透射電子顯微鏡（TEM） ，穿透位錯從低溫緩沖層和高溫氮化鎵層之間的界面處發起的密度降低到幾乎看不見的由7× 108/cm²在傳統的MOCVD生長技術進行氮化鎵膜。原子力顯微鏡顯示，導入的甲矽烷和氨氣氣體在低溫下改變表面形態，這可能提高了橫向生長後減小的位錯密度。可用於制造長壽命的氮化鎵系激光器代替的外延橫向過生長這種方法。

在氮化鎵氫化物氣相外延（HVPE）中生長，濺射的氧化鋅層已經被發現是由於這一事實氧化鋅的物理性質幾乎類似於與氮化鎵的最佳緩沖層中的一個。與氧化鋅緩沖層，通過HVPE生長氮化鎵單晶的可重複性有了很大的提高。用這種方法生長的氮化鎵薄膜顯示出優異的結晶性，電氣和光學特性。特別是1920平方厘米​​V-1的霍爾遷移率S-1，在120K是曾經被報道通過HVPE的最高值。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

使用催化劑輔助異質碳熱還原的方法對M-藍寶石襯底氧化鋅納米線合成了。複雜的和均勻的陣列已經獲得與每個納米線形成的角度約30 °與襯底正常。在室溫下為335和620納米之間的波長的光致發光的研究揭示了一個強有力的單激子峰在〜 380nm處（3.26 eV）的帶在約486 、 490和510 nm處伴隨的深層次藍移的發射峰值。紫外共振拉曼光譜已經被用於納米線在室溫下用多聲子散射聲子表現出量子約束特性。

氫化物氣相外延（HVPE ）中進行以制備厚的氮化鎵薄膜。結果發現， （1）表面的鎵+ 氯化氫氣體在藍寶石基板的治療之前的氮化鎵膜的生長減少了坑密度，提高外延氮化鎵膜的結晶質量（2）的光致發光（PL）光譜在4.2 K測量顯示了遊離的A-激子線和窄I2線，表明在本研究中制備的氮化鎵晶體是高純度，高結晶質量的，和均聚外延生長的菌株（3）的大小氮化鎵上從而制備一個厚的氮化鎵緩沖層的厚度小於一個異質外延生長的氮化鎵的一半，在藍寶石上。這些結果表明，高品質，厚的單晶氮化鎵組成，可以使用HVPE制備均聚物外延。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

輕微的取向差從藍寶石（ α - Al2O3）的對MOVPE生長氮化鎵薄膜的表面形貌和發光性能的基板奇異面的影響進行了研究。宏臺階的形態與周期的梯田（單平面）和立管（群集步驟）已被觀察到，第一次對生長在3 °-10 °錯位定向藍寶石襯底向著兩個視圖的外延氮化鎵薄膜，並查看方向。此外，可以發現，在宏臺階導致陰極發光和電致發光（EL）的圖案中的鋅摻雜的氮化鎵薄膜的不均勻性，這表明鋅發光中心的形成依賴於平臺和提升管的生長面。

一種新穎的有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）系統，它有兩個不同的流動，已經研制成功。一個流進行並行氣體反應物到基材上，和其他惰性氣體垂直於基片，用於改變反應氣體流動的方向的目的。使用本系統的氮化鎵膜的生長嘗試，並在得到高品質的均勻薄膜英寸藍寶石基板。載流子濃度和霍爾遷移率是1 × 1018/cm³的和200平方厘米​​/ V秒，分別，這是最高的用於通過MOCVD方法在藍寶石襯底上直接生長氮化鎵薄膜。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

表面氮化用於消除氧-極性反向域和由RF-等離子輔助分子束外延控制單域的鋅極性的氧化鋅膜的生長在藍寶石襯底上。結果發現，在氮化溫度是實現質量氮化鋁緩沖層和氧化鋅薄膜與陽離子極性至關重要的，這表現在易地透射電子顯微鏡。在最佳生長條件下， 4×4的表面重建觀察到，這是確認，是鋅極性膜的特性的表面結構，並且可以被用作指紋以優化的氧化鋅生長。

被發現的1.2微米厚的氮化鎵薄膜的性能，以通過暴露在藍寶石基板與氨的氮化鎵生長開始前的時間被顯著影響。藍寶石的不同氮化方案強烈影響氮化鎵薄膜導致的降低的位錯密度為2 ×1010 〜4 ×108厘米2為較短的NH3預流倍的位錯結構。這些膜的室溫和低溫的電子傳輸特性是特別受位錯結構。一個300 K時電子遷移率高達592平方厘米/ V S ，得到很短的氨預流，而長氮化導致流動性下降到149平方厘米/ V S 。此外，光致發光品質惡化為具有長藍寶石氮化時間的樣品。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

一個鋅Zn0.7Mg0.3O/ZnO異質結場效應晶體管（ HFET ）的鑒定報告。在HFET是基於一個鋅0.7鎂0.3O/ZnO/Zn0.7Mg0.3O單量子阱（SQW ）通過分子束外延生長a面藍寶石基板上，而制作用常規的光刻技術結合幹蝕刻。該HFET的室溫特性是一個N溝道耗盡型0.70mS/mm的跨導和140cm2/Vs的場效應遷移率，與在130cm2/Vs的SQW電子霍爾遷移率一致。的開/關比在VDS = 3V為〜800 ，這是由一個沒有充分地抑制泄漏電流流過底部Zn0.7Mg0.3O屏障的限制。

描述了最近的實驗努力生產藍寶石上，除去從藍寶石基板這樣的層，並且如此獲得的自支撐氮化鎵系材料的性能的高品質厚（ 為300μm ）的氮化鎵層。生長過程中的一些細節在此工作中使用的立式反應器的幾何描述。像位錯，微裂紋和凹陷生長過程中產生的缺陷​​進行了討論，同時程序，以盡量減少對生長表面的濃度。激光剝離技術被證明是一種可行的技術，尤其是如果可以用強大的激光具有大斑點尺寸。與自由站立材料的一個主要問題就是這樣一個晶圓通常大鞠躬，由於建在靠近前氮化鎵藍寶石界面缺陷的濃度。這個弓形通常會導致相當大的寬度的自由站立的材料的XRD搖擺曲線的，而光學數據證實幾乎菌株的優良品質的免費材料在頂面。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

氧化鋅薄膜沉積在R面藍寶石襯底上。熱能和氧化鋅薄膜的生長的濺射物的動能的影響進行了調查。通過改變襯底溫度，腔室壓力，並且射頻功率，氧化鋅薄膜的結構從多晶轉化外延在R面藍寶石襯底上。高品質的氧化鋅外延薄膜的生長，在400 ℃， 250瓦的條件下，和5毫乇。根據反射高能電子衍射和反射電子顯微鏡觀察，有沒有雙衍射變形及任何其他模式。其利用原子力顯微鏡觀察表面粗糙度約為27納米。

A 1.5 GHz範圍內的低插入損耗表面聲波（SAW）濾波器一直采用的氧化鋅/藍寶石襯底和IIDT型電極與兩個外部反射器開發的。該過濾器具有1.3 dB的插入損耗，大於30 dB阻帶衰減和50Ω電阻純的，無需外部匹配網絡匹配阻抗。該濾波器具有先前報道的所有橫向型吉赫範圍的SAW濾波器的最小插入損耗，它是適合於用作一個射頻級濾波器，用於未來的1.5 GHz範圍內的日本數字蜂窩系統。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

在生長條件下的氮化鎵薄膜的極性方向的依賴關系進行了研究，通過改變在供給原料氣體或沉積速率任group-V/group-III（ V / III） 。 氮化鎵薄膜沉積在氮化藍寶石兩步金屬有機物化學氣相沉積。從平面六角形的表面形態改變為錐體六角形小面的V / III比的增加。然而氮化鎵構成的20nm的厚度的優化的緩沖層的極性方向是N面（ -c）的極性，獨立的兩個V / III比，沉積速率。

在氮化鎵外延層的極性可通過該接口在氮化鎵外延層的沉積（氮化的藍寶石，退火緩沖層或氮化鎵基板）來確定。高V / III比增強成核密度，並減少六邊形的小平面的大小。細胞核，形成纖鋅礦結構的氮化鎵的有利六邊形的小平面，橫向應一起成長的方向覆蓋面，直到聚結之間的空間。合並後，-c氮化鎵生長在一個平面六邊形面導致錐體六角面。生長模式-C的氮化鎵已經相對於表面結構和吸附前體的遷移長度所討論的，在鎵面（ + C ）的氮化鎵比較。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

高品質的AlGaN/GaN摻雜的單異質結（SH）具有不同鋁含量已生長在藍寶石襯底上。的磁輸運調查對這些樣品進行的在低溫下。舒勃尼科夫德哈斯振蕩在下面3T和整數量子霍爾效應的磁場的觀察，確認在的AlGaN / GaN界面的二維電子氣（2DEG ）的存在。該鋁0.18鎵0.82N/GaN SH顯示10300平方厘米​​/ V S霍爾遷移率在6.19 × 1012/cm²在1.5 K。測量到我們所知承載層的密度，這是最高的載流子遷移過在藍寶石襯底上生長氮化鎵基半導體計量。遷移率和載流子密度的片材的Al的組分依賴性進行了研究。基於壓電場效果， 2DEG面密度的Al的組分依賴性進行了計算，這與實驗結果吻合很好。負磁阻與在低磁場拋物面磁場的依賴性，也觀察到在樣品中具有最高的2DEG薄層密度。

高光提取效率表現在倒裝芯片發光二極管（ FCLED ）與有紋理的藍寶石襯底。使用幹法蝕刻工藝，以提高光提取效率的藍寶石襯底的底側形成圖案。光輸出功率的測量表明，在活性層發出的光子的散射造成的增加從FCLED逃逸的概率的紋理化藍寶石基板大大增強。該FCLED的光輸出功率為0.4毫米深FCLED為13毫米的網型紋理在藍寶石基板的底側的周期性距離增加了40.2 ％。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

已經進行了光致發光壓力異質外延的氮化鎵薄膜在藍寶石襯底上的依賴了詳細的調查。在藍寶石和自由站立的氮化鎵膜的生長的氮化鎵之間的比較，使用激光輔助基板剝離過程中產生的，發現該藍寶石基板的存在導致的能隙壓力系數降低約5％。該結果與本文中介紹的數值模擬。我們建立了自支撐氮化鎵構成的線性壓力系數是41.4 ±0.2兆電子伏/ GPa時，與該能隙的變形電位是-9.36 ±0.04電子伏特。我們的結果還表明對於氮化鎵（B' = 3.5 ）的體積彈性模量的壓力導數的一種新的，較低的值。

發光二極管（LED）粗糙化表面提供光提取效率顯著改善。通過使用激光剝離技術隨後的各向異性蝕刻處理以使表面粗糙， n側式氮化鎵基LED具有六邊形“錐狀”表面已經制成。 LED輸出功率的提高取決於表面的條件。一個最佳表面粗化LED的輸出功率顯示了兩倍至三倍的增幅相比，在考慮表面粗糙化之前的LED。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

氮化鎵上進行的藍寶石襯底金屬有機氣相外延（ MOVPE ）生長，發光二極管（LED）的特性上生長圖案化藍寶石和平面襯底的設備進行了比較。該藍寶石基板是由一種新的方法（急切），據此，鋁通過兩階段退火過程中被外延地轉化為結晶氧化鋁制成。生長在藍寶石襯底上的氮化鎵模板是通過一個縮寫生長模式，其中使用了一個15納米厚的低溫氮化鎵緩沖層完成，而不外延過程中使用回蝕和恢複過程。

InGaN量子阱（量子阱）的LED生長在藍寶石氮化鎵模板上，采用縮寫的增長模式。生長圖案化急切藍寶石襯底上的優化的InGaN量子阱發光二極管表現出在輸出功率的24 ％的改進相比，在氮化鎵 LED的使用常規方法模板生長。在LED的輸出功率的增加是由於LED的改進的內部量子效率。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn