“對光伏發電實行增值稅即征即返50%的政策，加大對具有自主知識產權、技術先進、發展潛力大的光伏企業信貸支持力度，” 1月17日，山西省政府出臺的《關於加快促進光伏產業健康發展的實施意見》推出多項優惠政策並提出發展目標：“2015年底，山西光伏發電總裝機容量力爭達到200萬千瓦，2020年底，力爭達到500萬千瓦。”

《意見》提出，“積極推進大型地面電站和分布式光伏電站的建設，重點拓展分布式光伏發電應用。” 鼓勵用戶按照“自發自用，餘量上網，電網調節”的方式，優先支持用電量大、用電規律與發電率契合度高的工業園區、大型會展場館、大型商場超市等建築構築屋頂推行分布式光伏發電系統。在利用政府資金建設或節能改造的學校、醫院、黨政機關、事業單位等辦公建築中，積極推行分布式太陽能光伏發電。支持偏遠地區利用光伏發電解決無電和缺電問題。鼓勵在城市路燈照明、通訊基站、交通信號燈、城市公園廣場及附屬建築規劃建設應急光伏發電站。

去年年底在同煤集團塔山煤礦一側的荒坡上，完成建設的7兆瓦太陽能光伏發電項目，已經成為塔山工業園區裏一道別致的風景。這就是同煤太陽能，該項目於2013年7月開工，到2013年底已完成的建設。記者了解到，這個項目為20兆瓦的光伏發電示範項目，工程全部完工後，這裏將成為晉北最大的光伏發電基地。

2013年11月11日，由潞安太陽能公司研發的“潞安高效多晶”電池正式下線，該多晶電池的轉換效率為18.44%。據介紹，“潞安高效多晶”電池采用背面鈍化技術，實現電池效率的大幅提升，這是潞安太陽能公司通過技術創新開發的一款新產品，是光伏行業的又一次重大的突破。潞安太陽能公司采用垂直一體化產業模式，覆蓋了除高純多晶矽以外的全部光伏產業鏈，生產的產品主要有晶體矽棒和矽錠、矽片、電池片、光伏組件及光伏發電系統等。目前，潞安太陽能年產能達到600MW一體化，產品的性能和質量均達到國際先進水平，高效率高可靠性的光伏電池技術是太陽能光伏發電技術創新的基礎和核心。

對於像潞安太陽能公司這樣的企業所涉及的多晶矽、光伏電池及組件等項目，《意見》都提出了具體扶持措施。在財稅政策支持方面，完善省級財政資金支持光伏產業發展的機制，在2015年前，對光伏發電實行增值稅即征即返50%的政策；對分布式光伏發電自發自用電量免收隨電價征收的各類政府性基金和附加；企業研發費用符合有關條件的，可按照稅法規定在計算應納稅所得額時加計扣除。在金融支持方面，加大對具有自主知識產權、技術先進、發展潛力大的光伏企業信貸支持力度，對有市場、有訂單、有效益、有信譽的光伏企業予以信貸傾斜，增加信貸投放；進行金融產品和服務方式創新，大力開展應收賬款、知識產權、可轉讓股權、存單等權利質押貸款。實行優惠的土地政策。一是對利用荒山、荒坡、鹽堿地等未利用土地建設光伏發電項目的，各地在土地規劃、計劃安排時予以適度傾斜。二是縮小建設用地征收範圍，將建設用地征收範圍縮小到生產區、生活區和場外永久性道路三部分。三是對發電場占地可采用租賃等多種方式有償使用。（記者王海濱）


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用MOCVD（金屬有機物化學汽相澱積）來分析的氮化鎵基光電器件在藍寶石襯底上生長是在半導體照明行業的常用方法。近年來，隨著外延技術和相關技術的不斷提高，需要更大的藍寶石襯底。 MOCVD反應室結構，大規模外延片的優化和完善已經研究了很多國內的研究人員。 Li等人。優化的高頻加熱石墨基體槽結構， 8英寸和12英寸的基板。應祿等al.studied的輻射加熱的MOCVD加熱調制曲線和建議外加熱器的設計原則。為了提高生產效率，一些大MOCVD制造商也集中在如何改善和提高MOCVD腔和藍寶石基板的尺寸在國外。目前，兩英寸和4英寸外延片是常用的，所以廠家誰可以生產六英寸的SiC和Si襯底外延片的高品質，在國外會賣到國外芯片。

與III族氮化物的生長，藍寶石成為最廣泛使用的基體材料。藍寶石的質量好，價格低的晶體可以很容易地得到。此外，藍寶石是在高溫下穩定並在藍寶石氮化物的生長技術現已相當成熟。然而，晶圓彎曲的問題，這是由於GaN外延層與藍寶石之間的熱膨脹系數的差異，已經成為許多在大直徑晶片的更嚴重。這將惡化的基板和設備階段或分部門之間的接觸過程中設備的過程中，這將導致降解在光刻設備的均勻性或失敗。


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在薄膜中的應力常常導致從外延的生長過程，並從熱膨脹系數（TEC）匹配在兩個金屬有機物化學氣相沉積和氫化物氣相外延的前生長流程。例如，典型地觀察到的應力是由熱應力在後的生長過程，這通常被認為帶來的缺陷或損壞膜，例如，位錯，屈曲為主，而開裂。通常裂縫延伸到主拉應力薄脆層內，並與氮化鎵/藍寶石的界面交互。由於在氮化鎵薄膜和藍寶石之間的TECs的失配，會發生晶圓彎曲時的氮化鎵薄膜是由藍寶石冷卻後機械地約束。熱應力，晶片的彎曲，和開裂是阻礙的大面積的氮化鎵襯底的生產和氮化鎵薄膜中的應用的主要缺點。晶片彎曲和應力集中顯著不僅影響了器件的機械性能，而且其光，電和磁性質。因此，降低晶圓彎曲和應力集中在氮化鎵薄膜是非常重要的。據所知，有沒有可行的方法來降低氮化鎵晶圓彎曲和晶圓彎曲幾篇論文已經發表。

當氮化鎵時使用MOCVD生長在藍寶石襯底上，彎曲將發生在外延片。有三個主要因素的晶圓彎曲。一個是外延晶片的上下界面之間的溫度差。下表面溫度比上表面的高，以使下表面的膨脹可以是比該上表面的直徑，使得外延片凹面。另一個是藍寶石襯底和外延材料，這使得從拉伸和壓縮應力的藍寶石遭受並產生凹面或凸面彎曲之間的晶格失配。三是外延材料與藍寶石基板，主要發生在驟升或外界溫度的突然下降的情況下之間的熱失配。


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這2013深度研究報告是對全球及中國藍寶石襯底產業專業和深入的研究報告。該報告首先討論業界給予的定義，分類，生產工藝和產品規格的詳細信息。

報告接著審視全球17和12的中國制造商展示的信息能力，生產成本，銷售價格，利潤，產值，利潤，產品，客戶，原材料和設備的來源。

該報告還提供了有關市場份額，產量市場份額，全球及中國需求，供應和短缺的統計數據。它還提供了對價格，成本，利潤，產值和利潤空間的細節。最後，報告還分析了300萬件藍寶石襯底項目可行性分析及相關研究結論。


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藍寶石是最廣泛使用的基板為基於氮化物的氮化鎵、氮化銦、氮化鋁和它們的固溶體的技術設備能力的材料。然而，氮化物的異質外延的藍寶石襯底上導致高的位錯密度和其他結構缺陷，由於在晶格參數以及這些材料的熱膨脹系數的差異，以該方法。這實質上是異質結構複雜，高功能特性的獲得。由於商業生產的基板為同質外延生長的是昂貴的，許多注意力被支付到現今使用改性藍寶石襯底與緩沖層的氮化物（氮化鎵/藍寶石或氮化鋁/藍寶石模板），其發揮的固有氮化准基板的作用。已經開發出一種新方法的氮化鋁/藍寶石模板基於藍寶石含有氮氣，一氧化碳，二氧化碳，氫氣， 水分子與二氧化鈦和水分子的低濃度混合氣體氮化的獲得。

此方法允許獲得極性的氮化鋁 / /氧化鋁，氮化鋁/ /氧化鋁） ，半極性（氮化鋁/ /氧化鋁）和非極性（氮化鋁/ / 氧化鋁）的結晶性的氮化鋁藍寶石的表面上的層。20-30納米的和幾微米之間的厚度範圍內，搖擺曲線的半寬度小於1°。在對比中，外延膜是使用外部信號源獲得的，在給定的方法氮化鋁層眾所周知的沉積方法是由於氮在陰離子不足剛玉其次晶體的化學轉化的藍寶石的表面相鄰的層中的溶解形成基材。因此，在氮化物層是剛玉減少隨後在基片表面的蝕刻階段之後形成。本工作的目的是要建立減少氮化鋁/藍寶石模板表面的形貌藍寶石基板退火的影響規律。


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藍寶石半導體襯底的藍寶石產品由高品質的光學級直拉藍寶石制造，綜合設施允許生產基板從晶體生長的調控來制造並適應在很短的特殊要求。

藍寶石半導體襯底可在所有方向包括R軸（10-12），C軸（0001），A軸（11-20），和M軸（11-10）。基板可為各種形狀（圓形，矩形或正方形），從幾個毫米到100毫米的尺寸，並且結束根據顧客的規格。提供的主要單位（按行業標准）的圓形基板進行定向的目的；二級單位可根據要求提供。基板厚度“的範圍從0.013”僅0.25mm〜0.025“（0.675毫米），這取決於您的特定應用需求。


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最近，氮化鎵基藍光和近紫外光LED被廣泛的研究在新興的固態照明產業的關鍵技術。光提取效率（LEE）是在制造高亮度的非常重要的因素，高效率的氮化鎵基發光二極管（LED） 。如眾所周知的，在氮化鎵之間的折射率的差大（ 2.40 ）和空氣引起的狹窄的逃逸錐在氮化鎵晶體的光。一個最常用的方法是在接口，如最近的圖案化藍寶石襯底（PSS）和PSS LED的效率增加粗糙度或紋理被認為是光散射的PSS的結果。黃等開發了側壁成形和截短的倒金字塔（ TIP）的成形技術來增加氮化鎵LED的外量子效率（EQE ） 。

倒裝芯片技術也廣泛研究，因為在熱傳導以其優異的性能和EQE這些年來。但在後端進程藍寶石襯底工藝的影響是很少考慮的。在這項工作中，氮化鎵系LED的提取效率和藍寶石基板的幾個參數之間的關系進行了研究，包括厚度，粗糙度和包裝方法。首先，藍寶石基片的後端工序的厚度進行了研究。選擇一個更好的藍寶石厚度後，我們只使用一個研磨過程和底面周期性圖案通過幹法蝕刻技術，以提高外部量子效率開發的粗糙度的方法。在藍寶石襯底上的底表面的不同表面結構進行了分析上的幾何射線跟蹤模擬計算，並與實驗結果進行比較。


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經曆了從2010年至2011年初的藍寶石材料短缺創造了新進入者機會之窗。在過去的兩年中，超過80家公司宣布，他們打算進入這個行業，使玩家的潛在數量為130 + - 超過50個位於中國這些潛在的新進入者。再加上需求緩慢從LED制造商在2012年，這創造了與內核和片往往在銷售價格等於或低於生產成本的一個非常具有挑戰性的環境。收入在2011年增長了15 ％，但預計將在2012年下降9 ％，主要由於平均售價下降，雖然音量增加和有利的產品組合與PSS晶圓急劇增加的百分比。這些困難的市場條件將通過整合和自然減員，應該發生在2013年和2014年引發行業合理化;活動的悠樂財務業務單位正密切留意。從長遠來看，隨著環境仍然極具競爭力，我們預計該行業，以限制利潤率堆疊朝著更加垂直整合模式發展。少數一線的全球領導者應該擺脫這種合理化，以及較小的二線區域的佼佼者。

“藍寶石襯底2013”提出的曆史和未來的價格趨勢的材料和成品晶圓，以及一個詳細的供應/需求分析。量的預測都為材料，標准和PSS晶圓，伴隨著收入預測成品晶圓。


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所有主要的LED制造商正在探索從藍寶石為基礎的技術平臺過渡到一個基於矽的1的機會（ “LED上的矽”）;這個利息是由高達60 ％的潛在成本節省在芯片驅動水平。不過，雖然已經取得了顯著的進展，該技術仍然面臨障礙，它還有待觀察是否的主要支持者LED上矽，如普瑞/東芝和晶能光電，就能解決所有剩餘的挑戰，以具成本效益的方式過渡到大規模生產。對於其他大多數LED企業， LED上矽往往是一個重要的發展軸，而不是對他們的生產路線圖，一個必要的裏程碑。陪審團還在外面，但在此期間，在大直徑藍寶石平臺投資往往推遲未決的結果LED上矽。
本報告介紹了深入的分析，以LED為光源的矽成功的必要條件，並揭示氮化鎵如何能捕捉到一些利基市場，得益於更高的性能和擁有競爭力的系統級成本。

遺族提供受歡迎的上升空間，但可能手機窗戶成為下一個殺手級應用？

在藍寶石上矽（ SOS）的應用程序可能是一個不錯的上漲空間開心少數進入供應鏈。在2012年需求增加了一倍多，並可能在2013年做同樣的。領先的遺族百富勤公司已經開發了已經取得在智能手機廣闊的成功引人注目的天線開關技術。從強有力的宏觀趨勢，在手機市場的公司的好處，並正在開發新的組件，可以進一步增加每部手機不僅遺族的內容，而且還晶圓的需求。對於這些新組件（電源放大器和可調電容），以及由像Paratek （現在部分手機制造商RIM ）公司開發的競爭技術機會可能帶來新的批量應用到藍寶石晶片制造商。


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這個新陣容具有相同的緊湊式設計（24 x 20毫米），作為現有MegaZENIGATA LED，以確保簡單的更換，並為燈具制造商的生活更輕松。在光學設計方面的另一個推動因素是不變小，圓形發光面積（直徑：17毫米） 。發生了什麼變化，而最顯著如此，是效率的水平。這些新的效率優化結合的LED更大的功效具有較低的驅動電壓。下表顯示了相對於NFC版本的主要功能。

這個新陣容的高效率的LED適用於一般照明應用，室內照明（如射燈，筒燈或嵌入式天花板照明燈具）和室外照明（如路燈，地鐵，車站，橋梁照明或照明對象）。


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