三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的發明目的

三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的是提供一種III族氮化物半導體的在一個藍寶石襯底，其形成和其上設置有足夠高的品質劈裂面，以產生一個更高的鐳射輸出的鐳射元件層。

三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體發明的目的可以通過一個鐳射二極體製造的III族氮化物基化合物半導體來實現（; 0≤X≤1;（的Al x Ga-X）yIn1-YN 0≤Y≤1）如要求所定義具有較大的帶隙層之間保持的有源層的雙異質結結構。


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