藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層現有技術說明

藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層這樣的現有技術說明參考文獻公開了其中通過在創建p-型傳導製造III族氮化物半導體鐳射器（AlxGayIn1 - x-yN ，包括x = 0的情況下， Y = 0和X = Y = 0） ，通過暴露於電子束。這樣的半導體雷射器具有形成在其上，反過來，覆蓋有在III族氮化物化合物半導體（AlxGayIn1 - x-yN的pn異質結的藍寶石襯底的氮化鋁緩衝層;包括x = 0的情況下， Y = 0和x = Y = 0 ） 。

在未經審查的日本專利公開提出了鐳射二極體（公開）第Hei- 4 - 242985是由氮化鎵基化合物半導體製成（（的Al x Ga -X） yIn1 -YN ; 0≤X≤ 1,0 ≤Y≤ 1） ，用所摻雜的雜質啟動層。


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