三組氮化物基化合物半導體鐳射二極體的具體實施

藍寶石襯底上形成的半導體鐳射元件層的步驟現在將參考描述的是一個截面AA是部分BB。換句話說，方向被切斷，以產生AA截面垂直於該方向上被切斷，導致產生部分BB。

在藍寶石基板冷卻到約600℃，三甲基鋁（TMA）和氨的溫度下（NH3）被供給到形成的氮化鋁層18具有約50納米的藍寶石基板上具有均勻的厚度。隨後，TMA僅停止供給，藍寶石襯底溫度升高到1040℃，然後通過TMA的供給，使三甲基鎵（TMG）和矽烷（SiH4）為具有矽摻雜的n型GaAlN層13形成氮化鋁層上（n-層）。


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