ナノ三酸化タングステン-ナノ顆粒と粉体を調製する

三酸化タングステンナノ顆粒および粉体の調製の研究が多く、顆粒/粉体の粒径と比表面積にガス敏の性能に影響が大きい。

国内の学者はマイクロの反応器法を採用して、タングステン酸アンモニウムと濃い塩酸を原料とし、粒径の大きさは、25~50nmの三酸化タングステンナノ粉末体を合成する。その中で単斜係と三斜係である。酸素にタングステンを蒸発し最小の粒径は36nmの単斜ナノ粒子を調製した。

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ナノ三酸化タングステン-ナノ構造を調製する(Ⅲ)

(5)他の形のナノ三酸化タングステン

上記のいくつかの共通のナノ容貌のほか、近年では人々はまだ特殊と混合物形態のナノ構造を調製した。その目的は、容貌の改善と構造の設計を通じてナノ三酸化タングステンのガスの感度と選択を高める。学者は水成法を採用してWO3・H 2 Oナノボックスと花状のナノ構造を調製した。H2C2O4/NaWO4の割合に変化を通して、WO3・H2Oのナノ構造を抑える。H2C2O4/NaWO4は0.25:1時に、平均のサイズは150nmで、厚さ約に25 nmのブロックを調製することができる。また、H2C2O4/NaWO4は1.5:1に達する時、ナノキューブは始め集めり花状を形成した、、反応時間と乾燥温度によって、花状のナノ構造も異なる。左の図示の通りには反応1時間で、乾燥の温度は90℃で三酸化タングステンの花状ナノ構造である。ある学者は、Na2WO4・2H2Oの酸化を通じて三酸化タングステンのナノ薄切りを得られる。また、水熱法で片流れの三酸化タングステンのナノボックスを調製して、厚さは約97nmで、右の図示通りに示す。

ナノ三酸化タングステンのナノ構造

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ナノ三酸化タングステン-ナノ構造を調製する(Ⅱ)

(3)ナノチューブ

国内の学者はゾルゲル法を採用してAAOをテンプレートとして高さ秩序の三酸化タングステンのナノチューブアレイを調製した。その管壁が薄く、壁の厚さが約10 nmで、直径が100nm、テンプレートの口径と一致している。下のヒ左の図示のように示す。研究では、時間を通じて三酸化タングステンナノチューブの壁の厚さを抑えることができる。そして、簡単な溶融塩法を採用して600℃で三酸化タングステンのナノチューブ構造を調製した。その外径は100~200nmで、内径は30~50nm、長さが10ミクロンである。その性能のテストの結果を表明して、デバイスのエタノール、アセトンやガソリンを示したとても明らかな選択と法則性を呈する。その中で、340℃の時にデバイスアセトンの感度(Ra/ Rg)は最高値に達すし、32.7である。

(4)ナノ帯

国内の学者はNa 2WO4、K2SO4とH2C2O4を調合素材を採用し、水熱法で6カ国の三酸化タングステンナノ帯を合成した。この研究の中で得たナノ帯の形貌がよく維持して、幅は100~300nmの間で、薄く、長さがミクロン級に達する。しかも、ナノ帯のロングホイールベースは「001」の方向で、水熱処理前駆物のナノ帯は生成した6カ国の三酸化タングステンナノ帯の反応温度と時間はそれぞれ180℃と48hである。WeiWUなど人は触媒を使用されていないの情況の下で化学気相沈殿法(CVD製)を採用して硅片た正方構造の三酸化タングステンのナノ帯を調製し、その幅範囲は50~100nmの間である。長さは、数十ミクロンで、「001」の方向に沿って成長する。右の図示のように示す。

ナノ三氧化钨のナノ構造

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ナノ三酸化タングステン-ナノ構造を調製する(Ⅰ)

ナノ粒子とナノフィルムに対して、ナノ構造の三酸化タングステンは高い比表面積があり、良好な表面効果と体積効果から、良いガス性能を現れる。

(1)ナノワイヤ

国内の学者はNa2WO4を原料にして、K2SO4を補助剤として、水熱法で三酸化タングステンのナノワイヤーを合成した。その直径約10nmで、長さがミクロン級である。沈殿法を採用して線状構造のナノ結晶を調製して、沈殿するの单壁カーボンナノチューブフィルムの三酸化tungstenのナノワイヤの平均直径は70nmで、長さがミクロン級である。左の図示の通りに。そのNH3にも良い感度を示す。

(2)ナノバット

国内の学者はNa3PO4に補助を採用して水熱合成法で単結晶の三酸化タングステンのナノバットを合成した。その直径は20 nmで、長さが約500nmである。そして、反応で無機塩や他の無機塩に加入しなく純のナノバットを調製しできないことをを証明した。傅小明などはNa2WO4を原料にして、K2SO4を補助塩として、強い酸性の反応係によって水熱法を通して三酸化タングステンのナノバットを合成した。結果を表明して、pH値に増大し、反応温度を高めると反応時間を延長しても三酸化タングステンのナノバットの合成に有利である。彼らの調製するの三酸化タングステンのナノバットの直径は100nmより小さく、しかも分布が均一である。右の図示の通りに。

ナノ構造

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三酸化タングステンの複雑で多様な結晶構造と相転移(Ⅱ)

1931年、BraekkenはまずX線単結晶回折で三酸化タングステンの結晶構造を研究した。その後、新しい科学技術の発明につれて、三酸化タングステンの複雑な構造は徐々に研究に続けて、新しい晶相が絶えず発見される。

大量の科学の研究を表明して、低温、室温に三酸化タングステンは単斜晶相、三斜晶の相形で存在し、高温には直交晶相と四方晶相を現れる。三酸化タングステンは温度の変化にとともに経験した晶相構造の変化の順番:(1)133K、単斜晶相である。(2)223K、三斜晶相である。(3)290K、単斜晶相である。(4)603K、直交晶相である。(5)1013K、四方晶相である。そして、温度は1103Kに達する時に、新たな四方相を現れる。ということが分かる時室温で三酸化タングステンは単斜結晶相の構造の安定に存在し、三酸化タングステンの対称性は温度の上昇にだんだんアップする。六方晶相の三酸化タングステンは安定して、単斜の三酸化タングステンの安定性はより悪いが、その200-400℃で安定的に存在することができる。また、相転移は温度に関係があるだけでなく、外部と粒が加わった機械応力などの要因に関係がある。

 

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三酸化タングステンの複雑で多様な結晶構造と相転移(Ⅰ)

三酸化タングステンの結晶構造はひずみのWO6の八面体が共用頂角の酸素原子の形成の三次元の網状構造である。、6のO原子で正八面体を構成される、W原子はそのうち、下図のように:

三酸化タングステンの結晶構造

この網状構造の中で、WO6八面体は傾斜でとタングステン原子が八面体の中心部に位置に取って代わられた、だからその対称性が低い。WO6の八面体のW原子よくオフセンターとなり、WO6の構造が変形をつながて、三酸化タングステンの晶型は複雑で多様である。そして、これらの晶型の対称性は温度の上昇により低いから高いまでに進化する。統計によると、三酸化タングステンの結晶構造は73種類で、主な単斜晶相、三斜晶相、直交晶相、立方晶相、四方晶相と六方晶相などである。これらの晶相は温度変化に従って互いに変換する時、だけ元のW-O八面体を基づいて一定の程度の調整とねじれて、切れキーを再構築しない。だから、相転移が発生しやすい。

 

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三酸化タングステンフィルムの研究と応用(Ⅱ)

(3)ガスセンサー

環境のカスは材料の性質に影響するの表現形式で、一般的に言えば、材料のガスの性能である。Shaverまず三酸化タングステンフィルムに水素ガスおよび(H 2及びその他N2H4、NH3、H2Sなど)ガス性能を報道した。近年来、三酸化タングステン材料は、他のガス特に、窒素酸化物ようになどの有毒ガスも良い敏感の特性がある。三酸化タングステン材料にNOとH2Sなどの有毒ガスの敏感な性能は実際にこれらのガスの検出が可能になり、極めて重要な応用の価値がある。この方面の仕事はシステムの深化を展開し、自動車排ガスモニタリングなど実用化される見込みだ。

(4)光分解水で水素電極材料を作る

日本の学者はFujishimaとHondaは60年代末からに光n -型半導体エネルギー電極、水の分解を生み出す水素この現象を発見して、明らかに太陽エネルギーを利用して分解水水素製造の可能性を示す。太陽エネルギー分解水で水素材料をつくるのは以下のいくつかの条件に満足しなければならない。材料の電解液で酸腐食で、材料が光腐食を耐えることができる。最も肝心なことは材料は適当な禁制帯幅がある。禁制帯幅が低すぎて水分解させることができなく、禁止帯幅が高すぎて、材料は太陽の光の中の紫外光を吸収するしかなく、効率が低すぎる。酸化タングステンフィルム材料は上記条件にを見事に満足できる。だから、太陽光分解水が水素を作る分野で優れた見通しがある。

 

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三酸化タングステンフィルムの研究と応用(Ⅰ)

三酸化タングステンフィルムは優れた電界変色の性能で、電界変色の分野で広く応用される。同時に、人々は三酸化タングステンフィルムには他の多くの優れた性能があることを見つける。以下では簡単な紹介する。

(1)光変色

三酸化タングステンフィルムは紫外線の照射で、ブルーになることができる。そして、加熱の条件では無色状態まで回復し、三酸化タングステンフィルムはとても良い光変色の材料を表明する。光変色材料は光の情報記憶、生物分子活性の光のコントロール、露光計、自現像感光フイルムと立体撮影材料、光計算、偽造防止と装飾材料、プリント基板、偽装材料と鑑偽などの分野で用いる。以下はその光ホログラムメモリの面での応用を例に簡単な説明する。

光変色材料がバレた時、光変色のフィルムの屈折率が変わり、特に波長と吸収スペクトル非共鳴を記録する時、膜の内部の屈折率は著しい変化を生むことができる。この時、光変色材料は位相型記録材料をみえる。光変色材料は無顆粒と広いダイナミックレンジの特徴があり、解像度は1記録に光の波長の制限だけである。そして、記録の光出力を十分に強く、乾式や湿式現像を採用する必要はありませんし、光だけでホログラムを記録することができる。

(2)触媒分解

近年、半導体の酸化物の光触媒は新しい汚染対策技術として、ますます重視される。他の方法により、その方法は高効率省エネ、クリーン毒性がなく、二次汚染がないと工芸が単純ななどの特徴がある。汚水の処理と生活用水の深さ処理などの方面は広大な応用の見通しがある。三酸化タングステンの禁制帯幅が低く、可視光を利用して良い分解の効果を達成することができる。環境保護及び持続可能な発展の要求に、これは一つの意義を持つの研究と応用の領域である。

 

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三酸化タングステンフィルムの赤い糸放射率で技術を変調する(Ⅱ)

つまり、もし何らかの方法で発射率の動的調節を行って、いつでも目標の赤外線放射の特性を変わることができる。そして、目標は外部環境の変化の「赤外カメレオン」をつくることができて、その応用の範囲は拡大を得ることができる。現在、国内外の研究の仕事は物質発射率の制御に関連する。これと同様の研究で、電界変色の部品を研究するの仕事がもっと多くて、主に可視光帯に集中する。

電気の磁界の基本的な理論から出発して、材料の発射率と材料の屈折率は密接な関係があることが知っている。同時に、材料でキャリア濃度に関係がある。材料のキャリアの濃度が変わる時、材料の発射率も変わる。三酸化タングステンのキャリアの注入と抽取を通じて、三酸化タングステンの赤外分光反射率の変化を発見することができる。フィルムのキャリア濃度の変化により、材料の赤外線スペクトル反射率や放射率の変調を行う。フィルムのキャリア濃度によっていくつかの電気の化学の手段を控え、現在この制御は実験室の中で行うしかない。実用的な機能の部品は全固体の電界が発射率デバイスで、多層膜作製複合の手段を完成して、これは未来の電界放射率が部品の発展方向である。

 

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三酸化タングステンフィルムの赤い糸放射率で技術を変調する(Ⅰ)

絶対温度がゼロないの物体は赤外線放射を存在している。物体の赤外線放射は二つの要素を決定する。つまり、物体表面材料の発射率と物体の表面の温度である。物体の赤外線放射率というのは、オブジェクトの指定温度T時の放射線量は、同じ温度太字の相応する放射線量の比率であうる。放射率が大きいほど、物体の放射能力がもっと強い。物体の温度は一定の情況の下で、物質の表面の放射率が大きいほど、その赤外線放射能力も強い。現在の場合に見ると、会えるの材料はその放射率は基本的にはすべて固定的で、各媒体の発射率が高く、金属などの良導体の発射率がより低い。

多くの場合で、目標の赤外線放射がコントロールを必要する。たとえば衛星の熱の制御、建物の省エネ対策、太陽エネルギーの利用、保温、軍事の目標赤外線放射の制御などの方面である。もし目標の赤外線放射率を抑えることができれば、うまく目標の赤外線放射もコントロールする。

 

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