提高钨在半导体制造中填孔能力的方法

钨是一种具有高传导性的金属元素,在半导体制造中,常被用作金属层间的通孔(Via)和垂直接触的接触孔(Contact)的填充。基本上,集成电路是由数层材质不同的薄膜组成,
而使这些薄膜覆盖在半导体器件上的技术,就是所谓的薄膜沉积技术。薄膜沉积技术一般有CVD(化学气相沉积)和PVD(物理气相沉积),钨一般采用CVD(化学气相淀积)法来沉积。随着半导体器件特征尺寸越来越小,对钨的薄膜填孔能力的要求也越来越高。因此,如何提高金属钨的填孔能力变得越来越有意义。
 
经研究发现,在钨的CVD技术中,通过改变以下几点可以较好的提高钨在半导体制造中的填孔能力:
1)增加半导体材料浸泡的压力和时间。半导体材料浸泡的压力越大,时间越长,钨的填孔能力越强;
2)增加快速沉积WF6/H2比率及反应室压力。WF6/H2比率越大,反应压力越大,钨的填孔能力也越强;
3)增加预热的压力。预热的压力越大,钨的填孔能力越强;
4)增加成核时的WF6/SiH4比率,WF6,SiH4占的分压及反应室的总压力。WF6/SiH4比率越大,WF6,SiH4占的分压越大, 反应室的总压力越大,钨的填孔能力也越强;
5)降低加热器的温度。加热器反应的温度越低,理论上反应速度越慢,钨的填孔能力也越强。
 
钨的CVD流程图
CVD流程图片
 
钨矿图片
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半导体图片
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碳化钨铜合金

碳化钨铜合金是采用高质量的碳化钨粉和无氧铜粉通过压制成型、高温烧结、渗铜工艺等流程,从而保证产品的纯度和准确性,其断弧性能和导电性较好,热膨胀小且耐高温。

钨铜合金图片

它是通过压制-烧结-熔渗等流程制备而成的难溶金属材料,这种材料具有卓越的抗电弧烧损能力和较高的机械强度。其运用特种工艺生产而成,不仅具有碳化钨的高熔点、高强度、高硬度和高沸点等特性,同时也拥有铜良好的导电导热性和接触电阻低等优势。

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钨铜合金等离子喷涂法

钨铜合金等离子喷涂法是运用等离子弧进行的,等离子弧的弧柱细、温度高、弧稳定性较好且电流密度大,是制备钨铜电子封装材料的理性工艺之一。

钨铜合金等离子喷涂法在人造骨骼表面喷涂一层涂层可加强亲和力并强化人造骨骼。它可以加热金属或合金等材料为熔融状态,迅速喷向待处理的零件表面使其牢固,除此之外,等离子喷涂技术使物质表面具有防辐射、密封、耐磨耐蚀及隔热等性能。

钨铜合金图片

钨铜合金等离子喷涂法的特点:
1.喷射粒子效率高、粘结性好、致密度高。
2.由于具有非常高的温度,所以适合喷涂高熔点材料。
3.喷涂过程中含有惰性气体,可作为保护层使其不易被氧化。

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钨铜锑铋镭合金

钨铜锑铋镭合金中,因为镭是有光泽的金属,化学性质活泼,暴露在空气中会快速反应产出氧化物和氮化物,然后与水反应生成氢氧化镭。

采用熔渗法可以制备钨铜锑铋镭合金,但因为Ra的放射性,制备过程中Ra会挥发且熔点和沸点较低,所以用熔渗法比较不适合。而粉末冶金法制成品的性能和密度较低,所以对粉末进行活化处理使其易于烧结从而获得致密度高的样品。

为了防止Ra金属氧化,能在大气中制备,所以通常把Ra看作杂质元素,用Ra的氧化物替代金属Ra加入合金中。总的说,钨铜锑铋镭合金就是用钨铜合金活化烧结法制备,为了防止镭氧化的问题,用氧化物的形式加入钨铜锑铋镭合金。

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钨铜合金的熔点

影响钨铜合金的熔点因素:

1.通常钨铜的熔点指大气压的情况下,熔点随着压强变化而变化,这又分为两种不同的情况,压强增大时,熔点升高,但对于液态物质与钨铜不同,压强增大时,熔点是降低的。

2.钨铜合金产品一般都会有杂质,就算是少量的钨铜合金其熔点的变化也是相当大。

实质上,钨铜合金的熔点是钨和铜固态及液态在一定的温度下共存,同一晶体中,熔点和压强有关,在一定压强下,晶体的熔点和凝固点相同,熔解时体积膨胀的物质在压强增加时熔点升高。

测试钨铜合金的熔点一般采用微量熔点测定法和毛细管法,但在实际应用中,通常采用专业的测熔仪进行测定。

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