本发明提供一种金刚石、立方氮化硼颗粒表面镀钨、铬、钼的方法。具体步骤如下：

1）将清洁无污染的金刚石、立方氮化硼颗粒置于加热室中，在真空或保护气氛下对金刚石、立方氮化硼颗粒预加热；

2）将加热的金刚石、立方氮化硼颗粒输送到带有振动或搅拌器的镀膜室内，打开作为镀膜材料的羰基金属络合物蒸汽进汽开关，向镀膜室输入羰基金属络合物蒸汽，开动振动或搅拌器，利用加热的金刚石、立方氮化硼所带热量，使羰基金属络合物在金刚石、立方氮化硼颗粒表面分解，使金刚石、立方氮化硼颗粒表面均匀地镀上金属层；

3）将完成镀膜的金刚石、立方氮化硼颗粒输送至冷却钝化室钝化冷却出料，或进入下一轮加热镀膜循环，直至达到所需的膜厚，最终冷却钝化出料、纯化、包装。

本发明提供的方法，其能均匀连续地对金刚石、立方氮化硼颗粒实施钨、铬、钼的单层、多层或复合镀膜，使磨料与金属胎体的结合加强，延长了金刚石、立方氮化硼制品的使用寿命。

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本发明提供一种促进铜包覆钨酸锆复合粉体的预处理方法。具体步骤如下：

１）粗化：称取ＺｒＷ2Ｏ8粉体，用浓硝酸磁力搅拌同时加热约３０～６０ｍｉｎ，清洗干燥；

２）一步敏化活化：对粗化后的粉体预处理，按每１００ｍｌ 敏化活化液处理１０ｇＺｒＷ2Ｏ8粉体，敏化活化３０～５０ｍｉｎ后清洗干燥，每升敏化活化液的配制如下：０．３ｇ～０．４ｇＰｄＣｌ2；６０ｍｌＨＣｌ；３０～４０ｇＳｎＣｌ2；１４０ｇ～１６０ｇＮａＣｌ；

３）制备 镀液：按每升计，镀液组成如下：主盐硫酸铜（ＣｕＳＯ4.５Ｈ2Ｏ）１５～４２ｇ；还原剂甲醛（ＨＣＨＯ）１２～４０ｍｌ；络合剂ＥＤＴＡ－２Ｎａ４４～６６ｇ；稳定剂亚铁氰化钾２０ｍｇ；２－２’联吡啶２０ｍｇ；促溶解剂甲醇（ＣＨ3ＯＨ）１００ｍｌ；用氢氧化钠（ＮａＯＨ）调整到镀液至ＰＨ值为１２～１３；

４）称取２．５～１０ｇ／Ｌ的敏化活化过的ＺｒＷ2Ｏ8粉体添加到镀液中，经超声处理３０～４５ｍｉｎ，ＺｒＷ2Ｏ8粉体表面就会镀覆一层铜。

本发明提供的方法，其工艺简单合理，包覆效果好，可以用作超大规模集成电路及电子器件基片材料。

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本发明介绍一种碳基钨涂层，其特征在于：包含碳基体和钨涂层两部分，均匀致密且具有一定厚度的钨涂层牢固地附着在碳基体表面。纯净的钨板作为靶材。碳材料作为基体，优先选择Ｃ／Ｃ复合材料和石墨。

本发明的优点在于：

１）钨涂层沉积速度较快，大大提高了涂层制备的效率；

２）钨靶和碳基体之间产生高密度的等离子云，大量的钨原子不但覆盖在碳基体表面，基体的侧面和背面也包附了钨涂层；

３）涂层表面致密，没有出现裂纹；

４）涂层和Ｃ／Ｃ复合材料基体结合较好。

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本发明提供一种激光熔覆用镍硅钛－碳化钨复合涂层材料的制备方法，其目的是在镍基高温合金基体上激光熔覆制备Ｎｉ3（Ｓｉ，Ｔｉ）金属间化合物、Ｎｉ基固溶体、ＴｉＣ包覆ＷＣ陶瓷组成的复合涂层；涂层材料主要包含Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ和ＷＣ四种粉末，以重量百分比计：ＷＣ为８％～２０％，余量为Ｎｉ７８Ｓｉ１３Ｔｉ９；

其制备方法采用激光进行熔覆的工艺参数为：

输出功率１２００－１５００Ｗ，扫描速度４－８ｍｍ／ｓ，光斑直径４ｍｍ，熔覆时保护气体为Ａｒ气，熔覆基体材料为镍基高温合金，其步骤为：按上述配比，将涂层材料混合均匀，预先涂敷或热喷涂在镍基高温合金基体表面０．８～１．０ｍｍ；激光多层多道扫描熔覆，每道搭接１．８ｍｍ，可获得不同厚度的熔覆层。

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本发明提供一种铁基粉末冶金制品的化学镀镍方法，其是将原电镀工艺流程中的电镀工序改成化学镀镍工序，在化学镀镍工序中添加化学镀液，化学度液组分：

ＮａＨ2ＰＯ2．Ｈ2Ｏ：１．５～３．０％；ＮｉＳＯ4．６Ｈ2Ｏ：２．０～３．５％；ＮａＣ2Ｈ3Ｏ2：０．２～０．８％；Ｎａ2ＣＯ3：１．０～２．２％；ＣＨ3ＣＨＯＨＣＯ2Ｈ：２．０～３．５％；Ｈ2Ｏ：８０．０～９５．０％　　　　

工艺条件：

1）化学镀液制备是先将称量好的ＮａＨ2ＰＯ2．Ｈ2Ｏ、ＮａＣ2Ｈ3Ｏ2置于５０～８５℃的２００克温水中溶解并搅拌均匀；

2）然后再加入ＮｉＳＯ4．６Ｈ2Ｏ搅拌溶解均匀后加入余量的水；

3）最后加入Ｎａ2ＣＯ3和ＣＨ3ＣＨＯＨＣＯ2Ｈ，将化学镀液的ＰＨ值调节到５．０～６．５，经过滤纸过滤即成。　　　

化学镀镍工序是将经过表面粗抛、除锈、清洗、除油、酸洗活化工序后的铁基粉末冶金制品，置于所述的化学镀液中，在８０～９５℃温度下浸泡２０～６０分钟，然后经过清洗、精抛、清理工序后即完成在铁基粉末冶金制品表面镀上非晶态的Ｎｉ－Ｐ合金层。

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本发明提供一种检测钨化学气相淀积设备异常情况的方法。具体步骤如下：

1）以设定信噪比和扫描精度扫描硅烷与六氟化钨气体还原反应前的晶圆，得到初始微细颗粒数；

2）在钨化学气相淀积设备中通入硅烷与六氟化钨气体进行还原反应，在晶圆表面生成钨 薄膜；

3）以同样的信噪比和扫描精度扫描表面生成钨薄膜的晶圆得到反应后微细颗粒数；

4）判断反应后微细颗粒数相比初始微细颗粒数增加的晶圆表面的微细颗粒是否是气相成核钨微细颗粒；

5）若扫描到的微细颗粒不是气相成核钨微细颗粒，则钨化学气 相淀积设备的通入气体控制部件未出现异常；

6）若扫描到的微细颗粒是气相成核钨微细颗粒，则钨化学气相淀积设备的通入气体控制部件出现异常。

通过本发明方法可以精确地确定钨化学气相淀积设备是否出现异常，并且不影响工艺持续性。

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本发明提供一种适用于切削工具的超细晶金刚石涂层的制备方法。具体步骤如下：

1）将切削工具基体装入沉积反应室内；

2）将沉积反应室抽成真空状态；

3）在沉积反应室内形成磁场；

4）向安装在沉积反应室内的阴极、阳极之 间施加高电流直流电弧以及向沉积反应室内通入氩气Ａｒ、氢气Ｈ2和甲烷ＣＨ4三种气体；其中，施加的电弧电流为１５０Ａ～２５０Ａ；通入的甲烷ＣＨ4／氢气Ｈ2的比例为０．５～１０％；通入的氩气Ａｒ流量 为２０００～４０００ｓｃｃｍ；

5）在沉积反应室中，气体ＣＨ4在电弧的作用下会产生碳Ｃ自由基，在一定的温度条件下碳Ｃ自由基沉积到切削工具基体表面转换成多晶金刚石薄膜；其中，沉积反应室内的温度为６００℃～１０００℃；工作压力为０．９ｍｂａｒ～２ｍｂａｒ；沉积时间为３～３０ｈ。

本发明通过控制沉积反应室内的温度（６００℃～１０００℃）、工作压力（０．９ｍｂａｒ～２ｍｂａｒ）、气体流量、沉积时间（３～３０ｈ）等工艺参数，从而控制金刚石晶粒生长，得到大约为０．３～１μｍ晶粒细小的金刚石涂层，从而使得涂有该金刚石涂层的切削工具性能更佳、加工寿命更长。

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本发明提供一种单质钨膜的制备方法，其包括以下工艺：

将基体加热至１００～１５０℃；然后在磁控溅射设备中，氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜。

由本发明方法制备的单质钨膜纳米力学性能均匀优异，纳米硬度是钨块硬度的三倍以上，组织紧密，分布均匀，防护性能良好且钨膜晶粒较细，具有较多的晶界，与基体结合良好，从而更有利于进一步渗硫处理时得到ＷＳ2固体润滑薄膜，本发明所述磁控溅射方法操作简便，技术可靠，可适用广泛的薄膜制备。

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本发明提供一种粉末压力烧结制备铬钨固溶体合金材料的方法，其特征在于：

该材料的显微组织为单相铬钨固溶体。

具体步骤如下：

1）选取粒径为６～１０μｍ，纯度大于９９．９％，含氧量为５００～８００ｐｐｍ的钨粉；选取粒径为４５～１００μｍ，纯度大 于９９．９％，含氧量为８００～１５００ｐｐｍ的铬粉，按质量比钨粉５０％～９３％、铬粉７％～５０％的比例放入混料机中；

2）在混料机的钨粉、铬粉中按钨粉、铬粉总质量的２～５％添加过程控制剂，在混料机中混合３．５～５小时，所述的过程控制剂 为易挥发性有机溶剂；

3）将上步混合均匀的粉料制粒；

4）将制粒后的粉料进行模压或冷等静压，压力不小于５０ＭＰａ，坯料尽量压实；

5）将压制好的坯料在氢气保护下９００℃～９８０℃还原５０～９０分钟后，１４５０℃～１６００℃ 热压烧结或热等静压烧结２～４小时，即制成铬钨固溶体合金材料。

本发明制备得到的铬钨固溶体合金组织细小，结构致密，具有高的硬度，低的截流值和很高的耐电压强度。

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本发明提供一种细晶无磁钨－铜合金的活化烧结制备方法。其特征在于：

采用钨铜复合粉末为原料，然后将钨铜粉末模压成型为所需形状的坯体，再经冷等静压处理，制备成相对密度为５０％－７０％的坯体，将坯体放在烧结炉中，在氢气气氛或氢气和保护性气氛混合气氛下，保护性气氛为高纯氮气或氩气，再以５℃／分钟的升温速率生温至３７５－４００℃，保温１小时脱出成型剂，最后低温活化烧结而成。

其中，低温活化烧结工艺要求如下：

１）以５℃／分钟的升温速率从３７５－４００℃升温到８００℃，保温１小时；

２） 以５℃／分钟的升温速率从８００℃升温到９００℃，保温１小时；

３）以１℃／分钟的升温速率从９００℃升温到１０９０℃；

４）以３℃／分钟的升温速率从１０９０℃升温到烧结温度１１００－１３４０℃，保温时间为４０－６０分钟；

５）当温度降低到１０００℃时，通入高纯氩气或氮气一种作保护气氛，消除氢脆影响，随炉冷却至室温。

本发明制备的高密度钨－铜合金具有优良的力学性能和热导率，有效防止了铜的偏析，具有晶粒度细，高强度、高塑性和热导率。

本发明工艺简洁、容易控制、没有污染、投资成本低、能耗小、适合于工业化规模生产。

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