钨合金镀金金砖，是经过粉末冶金工艺生产，及抛光、打磨、镀金、刻字等后期处理得到的。钨合金镀金金砖具有良好的加工性，可定制不同规格比如1KG，10OZ，500g，100g等，还可以在钨合金镀金金砖表面进行刻字加工，刻字内容可以指定，比如：我爱你，或英文版I Love You，生日如：1991-9-9，公司商标等。

现在随着人们的审美和要求的提高，钨合金镀金金砖的刻字内容，不再局限于简单的数字、字母，还可以根据不同人的要求，设计各种复杂的图案进行刻字。目前常见的刻字图案有福禄寿、花鸟虫鱼、梅兰竹、十二生肖等。独特的刻字内容的设计，使钨合金镀金金砖不仅提高了观赏度，还具有纪念意义和收藏价值。

 

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钨合金镀金金砖是由钨、镍、钴等材料经粉末冶金工艺生产，经表面抛光制成，同时进行打磨，镀金等后期加工处理才得到的。因其在经过镀金、刻字加工后具有较高的观赏性，加上钨合金镀金金砖自身优良的特性，越来越受到人们的喜爱。

钨合金镀金金砖的最大特性就是密度高达18.5g/cm3，接近黄金的密度19.3g/cm3。此外，钨合金镀金金砖还具有：
高硬度：硬度高达29HRC min，将近钢的2倍。
耐腐蚀：耐汗渍、酸碱，不易被腐蚀，可永久留存。
环保：不同于铅，钨是绿色金属，无毒无污染。
加工性：可以定制不同尺寸及刻字内容。


 

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沉积基体位置不同对钨管的组织形貌有明显的影响。

在靠近气体出口端位置，测温区域与沉积温度比较靠近，但由于受前期沉积反应的影响，WF₆和H₂的浓度降低，HF的浓度增加，所以，还原生成钨原子的速度下降；测温区域的晶粒明显比沉积组织的晶粒细小；靠近气体出口端的钨管厚度明显变薄。

在靠近气体入口端位置，由于受通入气体的影响该位置的沉积温度相对较低，所以，此位置获得沉积层显微组织柱状晶相对细小，沉积生长速度也相对较慢。

 

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实验材料：高纯氢气，高纯氩气和高纯六氟化钨和沉积基体：紫铜管。

实验过程（CVD）：

对沉积基体表面进行去污、丙酮清洗、吹干处理，然后将其置于反应室内。

为避免氢气与空气混合发生爆炸，应先通入氩气排空反应室和所有管道的空气。待空气排空后，打开氢气流量针阀通入氢气并将排出的尾气点燃，然后关闭该阀；

对沉积基体进行电流加热，使其达到所需的沉积温度；

把WF₆和H₂按一定比例混合后，通过流量控制设备通入反应室；

WF₆和H₂在沉积基体表面发生化学反应，得到难熔金属沉积层；

在一定的反应时间后，关闭加热电源、反应气体的控制阀，使反应室降温；

待温度降到100℃以下后，取出试样，经过切割，去除沉积基体后获得钨管。

通过改变沉积温度、气体流量可获得不同工艺的钨管，然后再对其进行测试分析。

 

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实验材料及试剂如下：
H₂：高纯；
WF₆：高纯；
Ar：高纯，用于排空反应系统中的空气；
沉积基体：紫铜管（管径：6mm、10mm、16mm、35mm）；

相同沉积温度（600℃）条件下，不同管径（6mm、10mm、16mm、35mm）沉积基体获得的钨涂层的组织形貌都是细小的柱状晶且其生长方向几乎与铜管径向相同。通过对以上条件下获得的钨涂层的显微形貌的对比发现，在后续钨管沉积工艺的参数中，可以忽略沉积基体管径对钨管显微组织形貌的影响。


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在不沉积温度（500℃、600℃、700℃和800℃），保持WF₆和H₂的成分配比及通入量不变的条件下，进行化学气相沉积所获得的钨管的截面金相显微组织不同。

当沉积温度较低时（500℃），沉积层的组织呈现细小柱晶状；

当沉积温度达到600℃时，经化学反应还原生成的钨原子的速度会加快。在沉积过程中，一些偶然快速生长的生长晶粒获得横向生长空间并生长，这会使得沉积层柱状晶组织粗化。

当沉积温度升高至700℃，经化学反应还原生成的钨原子的速度已经非常快，沉积生长界面上的这些钨原子开始重新形核和进一步生长。在这一过程，沉积层的组织形态会发生明显变化。重新形核过程会造成，其一，使得沉积层组织柱状晶生长方式趋于杂乱；其二，使得沉积层组织晶粒明显细化。

若是沉积温度升到800℃，重新形核过程会更加明显，此时，沉积层显微组织已经失去柱状晶的生长特征，其组织形态杂乱且晶粒大小不均匀。


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随着化学气相沉积过程的进行，通过不断地吸收钨原子，初始形成的细晶晶粒向各个方向长大并形成沉积显微组织中的杂乱取向生长区。

再经过进一步的沉积生长，因为，这些向各个方向长大的晶粒的横向生长会由于相互的接触和阻挡而停止继续生长，所以，只有沿着垂直于铜基体表面方向的生长才能够获得其生长所需的空间，从而继续生长。因为有这样的竞争生长方式，所以，最终就形成了沿着垂直于生长表面发展的柱状晶结构，沉积层主要就是由此区域组成。


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CVD钨管的组织形貌：

在CVD（化学气相沉积）过程，吸附在铜基体表面的WF₆被H₂还原成钨原子，这些钨原子会在铜基体表面聚集形核并长大，最终经切割等工艺形成钨管。

显微组织第一层的产生与钨沉积层的最初晶核的形成过程和晶核的初始长大过程有关。

钨原子会在沉积基体表面扩散并在基体表面活性位置聚集，这些位置通常是晶界附近、表面台阶位置和晶体缺陷表面露头处。

当聚集的形核达到一定的过饱和度后，沉积层晶体的最初的晶核便会形成。因为，那些存在于沉积表面的活性位置的分布并不是均匀的，所以，从微观角度来看，最初沉积表面晶核的形成也不是均匀分布的。


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