为了进一步升高机床配重的整体质量，研究者表示其可以使用过渡金属钨合金来作为重点生产原材料，这主要是归因于该合金具有较高的密度、较好的耐腐蚀性等特点，从而能使产品具备大重量小体积的优势。

下面为大家介绍纳米三氧化钨如何进行光催化，首先制备完纳米三氧化钨，并测试其对水裂解为氧和质子的光催化性能。由于纯纳米三氧化钨缺少金属的性质而几乎没有催化，所以在纳米三氧化钨中加入少量的铂和二氧化钌来提高其催化性能。

过渡金属硫族化物因有独特的物理化学性质和新颖的结构，而受到人们的广泛关注。就二硫化钼来说，其具有较大比表面积极，较强吸附能力，较高的化学反应活性和较好的催化性能；二硫化钨则具有很低的摩擦系数，较高的抗极压性能和抗氧化性能等特点。基于二硫化钼和二硫化钨的优良特性，MoS2/WS2纳米复合材料会展现出相对其单一材料更加全面、优异的性能。接下来将为大家介绍的该纳米复合材料的制取方法。其具体步骤如下：

p型WSe2之所以能很好地成为光电极产氢的理想材料，是因为它具有以下3个优势：（1）带隙窄，易于光电化学产氢；（2）具有较高的载流子迁移率；（3）光电转换效率仅次于硅，但光稳定性高于硅。据悉，目前提高二硒化钨光电催化活性的方法主要使用负载，如铂、钌一类的贵金属及其相应复合物，由于负载材料价格昂贵且地球含量低，极大地限制该类材料在光电催化分解水方面的实际应用。针对上述的不足，下面将为大家介绍一种WSe2基复合纳米片光电极的生产方法。其具体步骤如下：

相对于过渡金属二氧化钛（TiO2）来说，二硒化钨（WSe2）纳米颗粒更适合用来制造高性能的光电极，这主要是因为该钨化合物具有更高的光吸收系数和能量转换效率。WSe2的光电转换效率高达17%，而 TiO2只能吸收5%的太阳光。

作为过渡金属钨的较为典型一种化合物，二硒化钨（英文为 tungsten diselenide，分子式为WSe2）因晶体结构特殊，而具有较为出色的力学、电学、光学、磁学等性能，广泛应用于航天航空、军事国防、医疗设备等领域中。

目前，对于二硫化钨的制备方法主要采用射频溅射法、模板法、水热合成法、微波辅助合成法及超声化学合成法等。但是，这些方法均存在对于设备要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种能制备具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片的烧结法。其具体步骤如下：

目前，由于硅基的存储器件已经基本达到了理论上的极限，所以对于新型的能够满足未来微纳器件制作的半导体材料的探究迫在眉睫。而基于二硫化钼（MoS2）的铁电存储器理论上开关比能够达到10^8，电子迁移率达到数百，这使得它在未来的电子器件中有着广阔的应用前景。然而，低的接触电阻使MoS2金属界面的肖特基势垒较低，从而限制了MoS2作为铁电存储器沟道材料的应用。

为了进一步升高新一代锂电池正负极材料的质量，国外内研究者表示可以向它们中添加适量的过渡金属化合物如二硫化钼、二硫化钨粉末来作为重点的功能性原料。以WS2纳米片为例，其能在很大程度上提高电极材料的容量、电化学性能和安全性，进而使所制备的电池更适合应用于便携式打印机中。

具有与石墨烯层状结构相似的二硫化钨粉末（WS2），其因有优异的储锂性能和良好的导电导热性等特点，而有望成为了新一代锂电池电极材料的优选添加剂。就小型的便携式打印机来说，其若能选用含有WS2颗粒的蓄电池来作为电源的话，那将可实现体积更小容量更大的目标。