传统的二硫化钼薄膜制备方法是将MoS2材料是采用CVD法在Si衬底上制备然后移植到其它材料上（如GaN衬底）。这种技术虽然简单易行，通用性强，但是却具有非常致命的缺点，就是MoS2材料与衬底材料的结合力比较差，转移过程中会引入额外的缺陷，降低产品质量，另外转移移植过程也相当繁琐。因此，这样所制得的材料也就无法广泛应用于电力电子领域甚至是发光领域。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种MoS2薄膜的新制备方法。

为了进一步升高太阳能电池的光电转换效率以及降低生产成本和减低对生态环境的污染度，研究者表示其在生产时掺杂适量二硫化钼（MoS2）薄膜来作为重点功能性原料。

与石墨烯层状结构相似的二硫化钼（MoS2）同样能被剥离成单原子层的二维材料，其在电子器件、催化、光电领域等中具有极大的潜在应用价值。当前，常使用化学气相沉积法来制备尺寸较大且表面均匀的MoS2，但是衬底上的杂质或划痕等缺陷易限制产品核的生长。因此，下文将为大家介绍一种单层二硫化钼的新生产方法。其具体步骤如下：

碳纳米管在几何层面上可以看作由若干层石墨片沿同一轴线卷绕而形成的空心管状结构，根据石墨片层数可将其分为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管。目前，它的制备方法有：电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法（CVD）以及火焰法等。其具体操作如下：

目前，球形钨粉的制备方法有：（1）等离子体法；（2）钨酸盐氢还原法；（3）卤化钨氢还原法；（4）循环氧化法。它们虽然都能制备出球形W粉，但是存在工艺复杂、生产周期长、生产能力低、制造成本高、呈球率较低、产品粒径分布不均匀的缺点。因此，下文将为大家介绍一种球形钨粉的新生产方法。其具体步骤如下：

据专家介绍，如何通过改性方法进一步提高纳米氧化钨传感性能是近年来的研究热点。其中，元素掺杂改性和结构改性是提高材料气敏、湿敏性能的有效方法。碱金属掺杂到氧化钨晶格中会产生更多结构缺陷，吸附更多NO2气体和水分子，使得电子迁移率和吸附氧含量增大。

近几年，随着钨制品生产工艺的不断发展和对钨制品性能要求的日益提高，对钨粉质量如形貌、纯度和工艺性能等的要求也越来越高。但是，传统W粉的生产工艺存在生产效率低、产品纯度低、工艺复杂、环境污染严重的不足。为了弥补这些缺点，下文将为大家介绍一种还原性有机酸制备W粉的方法。其具体步骤如下：

高结晶度的纳米氧化钨颗粒除了有良好的气敏效应外，还有优异的湿敏性能，因此适合应用于新一代的高质量湿度传感中。

紫色氧化钨（WO2.72）除了能很好地用来制造高性能气体传感器之外，还极为适合应用于湿度传感器中，这主要是归因于该氧化钨是一种非化学计量比的钨氧化物，具有较为丰富的结构缺陷。换而言之，与普通的同类传统器相比，利用WO2.72生产的传感器具有更耗的敏感性能和更快的响应速度。

仲钨酸铵（APT）是一种重要无机盐产品，我国长期采用以黑钨精矿加入碳酸钠，硝酸钠进行烧结，经破碎、浸出得粗钨酸钠、经除杂、人造白钨、酸溶分解制得钨酸、铵溶、蒸发结晶得产品。但是，这一传统生产工艺存在操作复杂、耗时、耗酸、环境污染大、生产费用高的缺点。因此，为了弥补上述的不足，本文将为大家介绍一种生产仲钨酸铵的离子交换法。其具体步骤如下：