半导体存储器用纳米氧化钨
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- 发布于 2021年3月02日 星期二 11:04
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半导体存储器之所以选用纳米氧化钨材料来生产储存介质,是因为它是一种非常重要的半导体材料,具有良好的电化学性能,幷且在电场作用下其电阻值能发生可逆转变。下面,我们一起来了解一下基于氧化钨存储元件的存储装置的制造方法。
制备纳米结构三氧化钨的影响因素
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- 发布于 2021年2月28日 星期日 23:46
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在探索纳米结构三氧化钨合成的过程中,发现柠檬酸含量、水热合成前体系的pH值、水热反应的温度和水热反应的时间等,都会对产物产生较大的影响,因此下面将着重探讨对纳米结构WO3物相及形貌的几种影响因素。
制备纳米三氧化钨的液相法
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- 发布于 2021年2月28日 星期日 23:40
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在合成纳米三氧化钨的诸多方法中,液相法的应用最为广泛。它的优点是制备的纳米结构WO3颗粒细小、分布均匀,化学成分的含量可以得到精确的控制,可以通过调节形貌控制剂控制纳米结构WO3的形貌,合成工艺较简单,经济,利于实现批量生产,主要有如下四种方法:水热合成法,溶胶-凝胶法,沉淀法,微乳液法。
纳米板状三氧化钨的气敏性研究
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- 发布于 2021年2月28日 星期日 23:30
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本文将探讨纳米板状三氧化钨气敏元件在乙醇气体,丙酮气体,氨气气体,甲醛气体不同浓度时在温度-灵敏度方面的气敏性研究。纳米结构三氧化钨作为对多种有毒气体都具有较好灵敏度的半导体材料,可以有效地提高气敏元件的灵敏度和响应速度,以纳米结构三氧化钨为气敏性物质的气敏传感器,就可以对目标气体进行更低浓度的检测,这样可以大大降解有害气体对人类健康造成的危害。因此,研究纳米结构WO3有利于充分运用其良好的半导体性质,提高其在气体传感领域的应用价值,提供更优良的半导体材料。