金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能3/3

三氧化钨(WO3)陶瓷的赛贝克(Seebeck)系数受金属氧化物掺杂影响。金属氧化物氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)掺杂的WO3陶瓷,Seebeck系数都随着温度升高而逐渐增大,且都为负值,说明三者都为n型热电材料。SnO2与CuO掺杂WO3陶瓷Seebeck系数绝对值都在不同程度上提高,由于SnO2本身就具有很高的Seebeck系数,因此掺杂SnO2的WO3陶瓷的Seebeck系数绝对值会随着掺杂浓度增加而变大,而掺杂CuO的WO3陶瓷当掺杂浓度为1.0mol%时样品具有最高的Seebeck系数绝对值。掺杂La3O2的WO3陶瓷Seebeck系数绝对值在不同的程度上都要比纯WO3陶瓷小,这是因为掺杂La3O2后导致电子浓度增加,因为Seebeck系数与电子浓度成反比关系,所以降低了Seebeck系数绝对值。三者的Seebeck系数绝对值都会随着温度的升高而变大。
 
受金属氧化物掺杂的影响,三氧化钨(WO3)热电功率因子会发生改变。La3O2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多,可是功率因子随着掺杂浓度的增大又成下降趋势,La3O2掺杂虽然提高了WO3陶瓷的电导率,但同时也降低WO3陶瓷Seebeck系数绝对值,导致不同掺杂浓度的WO3陶瓷功率因子相差很大,当掺杂浓度为0.5mol%时,功率因子最大。SnO2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多,因为SnO2本身具有良好的热电性能,所以掺杂SnO2的WO3陶瓷具有很高的电导率与Seebeck系数绝对值,当掺杂浓度为10.0mol%时,功率因子最大。CuO掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高很多,CuO掺杂同时提高了WO3陶瓷的电导率与Seebeck系数绝对值,因此功率因子得到了很大程度上的提高,当掺杂浓度为1.0mol%时,功率因子最大。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能2/3

选用氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)金属氧化物掺杂三氧化钨(WO3)陶瓷,分析这三种掺杂WO3陶瓷微观结构的影响。低浓度La3O2掺杂明显促进了WO3晶粒的生长,,掺杂后晶粒的尺寸都变大了,但是当掺杂的浓度继续上升时,晶粒尺寸开始变小,晶粒生长又被抑制了;SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,使晶粒的尺寸明显小于未掺杂WO3陶瓷,而且随着浓度增加逐渐变得更小;而CuO却促进了晶粒的生长,而且随着浓度增长而变大。La3O2与SnO2的掺杂使得WO3陶瓷的孔隙率变小并且随着掺杂浓度增加更变小,而CuO的孔隙率在掺杂浓度为1.0mol%左右到达小。随着掺杂浓度的增加,掺杂La3O2与CuO会存在同一种现象,即掺杂浓度大于溶解度都会出现第二相,分别为La2WO6、CuWO4,第二相都是由掺杂物与WO3发生反应生成的,这点与铁系金属氧化物类似;而掺杂SnO2出现的第二相为SnO2,这点与铁系金属氧化物、氧化镧以及氧化铜都不同,比较特别。
 
掺杂La3O2、SnO2及CuO对WO3陶瓷电导率的到影响。掺杂La3O2和CuO明显增加WO3陶瓷的电导率,随着掺杂浓度的增加,电导率上升至最大数值后开始下降,La3O2与CuO掺杂浓度分别为0.5mol%与5.0mol%时,WO3陶瓷具有最大电导率,电导率出现下降是因为掺杂浓度上升在WO3陶瓷晶界上产生第二相,使得晶界间的流动性降低,同时也使得晶粒间的空隙附着于晶界附近,导致电导率下降。而掺杂SnO2的WO3陶瓷虽然也会因为掺杂浓度增加在晶界间出现第二相即SnO2,但是SnO2具有更好的电导率,所以WO3陶瓷的电导率会继续上升,浓度为10.0mol%时出现最大电导率。而且三者的电导率都会随着环境温度的上升而增加。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能1/3

当发现某种材料具有新的特性时,研究者一方面会想怎么将这种材料直接用于产品制作,另一方面会想着通过什么方式去增强这种材料这一方面的性能,提高利用效率。一般从这三方面入手来增强材料性能:更新材料的制备流程、改进制备工艺参数;掺杂或者合成复合材料;材料热处理。掺杂是改善材料某一特性最直接、有效的方式,本文主要目的是为了探究掺杂能否改善三氧化钨(WO3)陶瓷的热电性能。
氧化镧、氧化锡、氧化铜
既然掺杂目的是为了提高WO3陶瓷的热电性能,而电导率是判断热电性能高低的一项总要指标,在一般情况下电导率与热电性能高低是成正比的,因此选择电导率普遍比较好的金属氧化物来作为掺杂物。之前在《铁系金属氧化物掺杂对三氧化钨陶瓷热电性能影响》文章中探究的是铁系金属氧化物氧化铁、氧化钴和氧化镍的掺杂对WO3陶瓷热电性能的影响,本文选的掺杂物是铁系金属以外的氧化镧(La3O2)、氧化锡(SnO2)以及氧化铜(CuO)这三种金属氧化物。制备掺杂三氧化钨陶瓷的过程。本文采用将掺杂物与三氧化钨固体混在一些研磨成粉,研磨后的粉末经过干燥、预烧、混合浆料后烧结成陶瓷片。从微观结构、电导率、赛贝克(Seebeck)系数以及功率因子这四个方面来作比较,对比掺杂前后WO3陶瓷的变化以及三种掺杂陶瓷在这四个方面上得区别,从而得出哪种掺杂物对WO3陶瓷热电改善效果最佳。
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电解法制备三氧化钨 2/2

采用直流磁控溅射法在ITO导电玻璃上沉积三氧化钨薄膜,氧分压、溅射功率、温度对单层结构三氧化钨薄膜形貌组成和电致变色性能的影响。为了优化薄膜的电致变色性能,根据单层膜研究结果,在单层薄膜的基础上制备了双层结构的三氧化钨薄膜,研究了薄膜形貌组成对薄膜电致变色性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光分光光度计、电化学工作站多种测试手段,对薄膜的组成、形貌、光谱和电化学性质等进行了分析。研究结果表明,不同溅射条件下制备的三氧化钨薄膜均为非化学计量比(O/W<3)。氧分压越高,制备的三氧化钨薄膜中O/W越大。氧分压为85%时,制备的三氧化钨薄膜具有较优的电致变色性能。

对溅射功率的研究结果表明,在50W~100W的范围内,溅射功率越大,薄膜的致密度和粗糙度增加。适当提高溅射功率可以改善薄膜的电致变色性能。室温条件下,氧分压85%、功率100W和120W时制备的非晶三氧化钨薄膜微观形貌具有明显差异,且都具有较好的电致变色性能。着色前后三氧化钨薄膜的最大透过率变化分别为74%和86%,着色/褪色响应时间分别为9.6s/2.9s和9.3s/3.9s,着色效率分别为45.07cm2•C-1和43.11cm2•C-1。制备的单层纳米结构三氧化钨薄膜透过率调制能力和着色效率均达到较高水平,满足自适应伪装要求。
 磁控溅射靶材表面的磁场及电子的运动轨迹
磁控溅射靶材表面的磁场及电子的运动轨迹

在350℃下溅射制备的三氧化钨薄膜为单斜晶态,提高溅射温度会降低薄膜中的O/W。循环200次后,晶态三氧化钨薄膜的稳定性可达到99%。在单层结构薄膜研究的基础上制备了三种不同结构和组成的双层结构三氧化钨薄膜,测试结果表明:薄膜的形貌和组成会直接影响薄膜的电致变色性能。在制备的双层样品中,上层疏松下层致密的双层结构电致变色薄膜电致变色性能最好。疏松结构有利于离子的扩散,提高薄膜的响应时间,致密结构可提高薄膜的离子存储能力。该种双层结构三氧化钨薄膜的循环稳定性、透过率变化、着色效率、着色/褪色响应时间分别为84%、74%、19.86cm2•C-1和64.6s/99.7s。

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WO3浓度和搅拌速度对制取仲钨酸铵的影响

试验在10L反应锅中进行,采用夹套蒸汽加热,电接点温度计控制温度,转速调节器控制搅拌速度,每次试液体积为8L,试液经结晶过滤后,所得APT晶体在100℃下烘干,其松装密度用常规法测定,平均粒度用费氏粒度仪测定,粒度分布用筛分法测定,结晶形貌用显微镜观察。
 
钨酸铵溶液中WO3浓度的影响
由图l可以看出,APT的松装密度随着溶液中WO3浓度的降低而增大,当WO3浓度降低到一定程度时,APT的松装密度变化不明显。这说明当溶液中WO3浓度较高时,过饱和度太。晶核形成速度快,结晶颗粒不易长大。当溶液中WO3浓度较低时,蒸发过程中溶液的过饱和度变化不明显,其过饱和度小因而有利于晶核长大。但当溶液中WO3浓度太低时,过饱和度太小,晶核与溶质分子的接触机会少,影响晶粒的长大。
 
搅拌速度的影响
试验结果见图2所示。搅拌影响晶核形成速度的情况是复杂的,一方面,搅拌速度的加快,使新形成的晶体被搅碎而形成许多晶核,产品粒度变细,另一方面,在一定搅拌速度范围内,提高搅拌速度能增加固体与液体间的相对速度,从而增加晶核长大的速度。要制取粗颗粒APT,最佳转速是使生成的APT不至于沉淀,使形成的APT颗粒能充分与溶质接触。试验还发现,用不同的搅拌桨搅拌,由于搅拌强度不同,其效果也不一样。搅拌对制取不同颗粒度APT的影响很大,用气体搅拌制取的APT更为规则。对不同的生产条件,一般需通过实践来确定合适的搅拌形式和速度。
影响因素
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仲钨酸铵结晶母液的回收利用 3/3

方法三:M115-a选择性沉淀法
M115-a是近些年刚开发的一种新型试剂,因其在解决钨钼分离这一长期困扰钨工业难题上发挥了显著的作用,一投入使用,立即备受推崇。M115-a在处理钨酸钠、钨酸铵溶液同时,也能有效地处理APT结晶母液。其基本原理是利用含钨的离子和含钼的离子在结构和离子半径上的差异,加入极性化合物M115-a,M115-a优先与含钼离子和一些其他杂质离子形成难溶化合物沉淀,实现相互分离。
 
假设母液中Mo的质量浓度为0.1~0.5g/L,WO3质量浓度为15~18g/L,加沉淀剂M115-a后,由于钼离子沉淀下来,母液Mo含量将降至0.005g/L以下,而有价物质WO3和NH4Cl则保留在母液中,留作后续工艺流程使用。

M115-a沉淀法的巨大优势在于:能深度除杂,返回主流程的母液质量好,与传统的沉白钨工艺相比,WO3的回收率可提高10%左右,NH4Cl的利用率由0提高至70%~80%,且消除了全部废水。处理后的母液可直接返回生产工艺主流程,实现钨的回收。同时有效利用NH4Cl这一有价物质,提高经济效益。并且M115-a沉淀法处理母液具有流程和设备简单、成本低、易于掌握的特点,对经典工艺和交换工艺均适用,是一种具有广阔发展前景的方法。

仲钨酸铵结晶母液的回收利用 2/3,请见
http://news.chinatungsten.com/cn/tungsten-information/81695-ti-10585
 
 
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电解法制备三氧化钨 1/2

本文采用反应磁控溅射法和溶胶凝胶法中的钨粉过氧化聚钨酸法制备三氧化钨薄膜材料。钨酸过氧化聚钨酸法和反应磁控溅射法制备三氧化钨薄膜所需的主要试剂、主要仪器、准备工作、试验步骤,并列出了两种方法的试验流程图,同时还列出了正交试验因素水平表和正交试验设计表。本文分别用原子力显微镜、双束紫外可见分光光度计、X-衍射仪等表征了用以上两种方法制备的三氧化钨薄膜。

原子力显微镜测试结果表明:反应磁控溅射法制备的三氧化钨薄膜样品表面比溶胶凝胶法制备的样品表面更均匀致密,且前者制备的样品分子趋于平面结构,而后者制备的样品分子趋于四面体结构。透光率测试结果表明:两种方法得到的样品的透光率比较接近,但是磁控溅射法样品对不同波长的吸收差异大于溶胶凝胶法样品;在200℃下退火处理后样品的透射光谱几乎没有变化,但在300℃以上退火处理后样品的透光率明显下降,且退火温度越高透光率下降的越多。
 三氧化钨电解 磁控
溶胶凝胶法样品200℃退火处理后的微观结构图

X-衍射结果表明:样品在350℃下退火处理后得到的谱图中没有明显尖锐衍射峰,说明都是非晶态;样品在350~400℃温度范围内退火后得到的谱图中尖锐晶体衍射峰强度越来越大,说明逐渐转变为晶态;样品在450~500℃范围内退火处理后晶体衍射峰在强度增大的同时,数量也在增多,因为该温度处理下样品逐渐由一种晶系转变为两种晶系共存。这两种方法制备的三氧化钨薄膜都均匀致密,透光性能好,为制备掺杂三氧化钨气敏材料打下了坚实的基础。

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仲钨酸铵结晶母液的回收利用 2/3

APT母液回收利用方法二:余碱分解法 
文献《石灰直接沉淀法回收仲钨酸铵结晶母液中WO3方法的研究与工业实践》中指出,结晶中的WO3主要以正钨酸盐或仲钨酸盐形态存在,并存有少量的杂多酸盐和较高的Mo及其他杂质元素。余碱分解法利用粗钨酸钠溶液中的余碱(含碱大约为30~40g/L)与母液中的钨、钼酸铵反应,方程式如下:

2NaOH+(NH4)2WO4→Na2WO4+2NH4OH

2NaOH+(NH4)2MoO4→Na2MoO4+2NH4OH

反应后得到的溶液按理论量的5倍加入Na2S,在酸性(pH=2.5~3.0)环境下沉淀,Mo以MoS3形式沉淀,将沉淀过滤后,溶液返回主流程与粗钨酸钠溶液合并净化除杂,留待后续工序使用,主要工艺流程见图:
 
余碱分解法处理后的母液与粗钨酸钠液合并后,净化除杂效果十分明显,并且对工艺生产主流程不产生任何不良影响,整个工艺所生产的APT能达到高纯品的需求。余碱分解法直接回收结晶母液中的WO3,金属实收率可提高0.52%,且利用余碱除Mo酸化后液可替代部份盐酸,APT的碱耗、酸耗分别下降8%和7%,特别适用于经典工艺,是碱法生产APT处理母液行之有效的方法。

仲钨酸铵结晶母液的回收利用 1/3,请见
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电解制备三氧化钨法

钨具有熔点高、蒸气压低、硬度高、酸腐蚀性好等优异的物理化学性能,在国民经济各部门及国防工业中使用范围及消耗量正逐年增加。然而,钨是不可再生的国家战略性重要资源,尽管我国保有的钨矿资源居世界首位,但目前处理钨精矿到制取金属钨粉要经过钨精矿的分解、APT的制取、三氧化钨制备及其还原制取钨粉等过程,存在生产工艺流程长等缺点,开发短流程,提高资源利用率,降低生产成本已成为冶金技术发展的趋势。
 熔盐电解图
熔盐电解图

熔盐电解法是制备金属的方法之一,从理论上说,绝大多数的金属是可由熔盐电解法制得,尤其是对于那些析出电位较负在水溶液中无法生成的金属离子,必须采用熔盐电解。目前,金属铝、部分稀土金属等已由熔盐电解法生产。鉴于熔盐电解法在制备金属及其合金方面的独特优势和潜力,某些碱金属、碱土族金属(如Li、Na、Mg),几乎所有的过渡族金属元素和稀土族元素,部分稀有高溶点金属如Ti、Sc、Nb、Ta,已成为用熔盐电解制备金属的研究热点。此外,采用熔盐电解法的研究还涉及到了部分非金属元素,如B、Si等。随着许多单质金属的成功制备,熔盐电解在合金制备领域的研究也非常广泛,主要包括铝基合金(如Al-k、Al-Sr等)、镁系合金、钛系合金以及稀土合金。

本实验包括以下步骤:(1)熔盐混合及除水(2)电极的处理(3)预电解(4)电解(主要参数:温度、槽电压、电流密度、电解时间等)(5)钨粉分离与收集。本发明制备原料成本低,工艺流程短、设备简单,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本直接从钨酸盐电解制备钨粉。
 

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仲钨酸铵结晶母液的回收利用 1/3

钨的冶炼过程中,仲钨酸铵(APT)是必须的中间原料。采用结晶法制备APT,APT结晶母液中WO3的含量一般会占全过程的5%~15%,另外,还含有其他杂质,如:Mo、P、As等。如果直接把母液处理掉,势必会造成很大的浪费。所以,如何经济合理的回收利用APT母液结晶,就成了厂家和科研单位的一个重要课题。选择合理的回收工艺对整个生产过程的工艺技术指标和经济利益有着很大的影响。APT母液结晶处理方法有余碱分解法、离子交换法、M115-a选择性沉淀法等,本文讲述这三种方法的工艺及分析。
 
方法一:离子交换法
20世纪80年代,仲钨酸铵的生产开始采用离子交换法,因其具有流程短、投资少、环境好、收率高等优点迅速被广泛推广。而对APT结晶母液的处理方法也开始转向离子交换法,其基本原理是利用钨在各种不同pH值范围内形成不同的络合阴离子(同多酸及杂多酸),当APT结晶母液由弱碱性调到酸性时,钨酸根离子聚合成HW6O521和W12O639及H2W12O640等,P、 As、Si、Mo等与钨形成PW12O340、PMo12O340、AsW12O340、SiW12O440等  ,与碱性树脂接触时,发生反应如下:
6R3NHCl+H2W12O640= (R3NH)6H2W12O40+6Cl
再用碱液解吸,发生以下反应:
(R3NH)6H2W12O40+6NaOH=Na6H2W12O40+6(R3NH)OH
Na6H2W12O40+18 NaOH=12NaWO4+10H2O    
                
离子交换法处理结晶母液,可使整个APT 生产工艺的金属回收率提高1.2%~2.0%,且具有流程短、劳动条件好、环境污染小等优点。处理后的母液进入主流程后,各项工艺技术指标稳定,取得较好的经济效益,对APT生产主流程采用离子交换工艺的厂家尤为适合,是一种从APT结晶母液中回收钨的简单而经济合理的工艺方法。
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