影响钨铜触点材料的因素主要有以下几点：

1.结构尺寸。理论上，钨铜触点的结构尺寸越大，其抗电弧烧蚀性能就越强，因其在使用中的能量比较分散。实际使用中，因开关电器结构的限制，其尺寸不可能做得很大。近年来，有人研究出了插入式触点、中空触点等，不仅使得触点材料的散热加快了，而且触点在烧蚀后仍能保持较好的接触状态。

2.制造工艺。现在中国的钨铜触点制造商普遍使用的制备方法是熔渗法（混粉、压制、烧结）。其中，不同的在于是否有采用预烧钨骨架熔渗工艺。相比较，采用了该工艺制备的钨铜触点的性能比较理想。近年来，国外已经采用了更先进的制备工艺以提高触点的使用寿命，比如，电弧熔炼法、烧结轧制工艺、纤维强化法等，但中国对于这些新工艺的使用还处在实验室阶段。

 

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钨铜合金具有高密度、高强度、耐高温、微观组织均匀、耐电弧烧蚀等特性，且其导电、导热性能良好。其应用广泛，主要用于微电子材料、电加工电极、军用耐高温材料、高压开关用电工合金等，做为零部件和元器件广泛应用于航空航天、电子电力、机械、冶金、体育器材等行业。

钨铜触点结合了金属钨和铜的优良特性。其中，钨的熔点高，密度大；铜的导电、导热性能优越。
钨的熔点：3410℃；       铜的熔点：1080℃；
钨的密度：19.34g/cm3；    铜的密度：8.89 g/cm3；
钨铜合金成分范围：WCu7~WCu50；

钨铜触点注模法是制作钨铜合金的一种比较常用的方法。钨铜触点注模法是将均匀粒度为1-5微米的铜钨粉和镍粉或铁粉与粒径为0.5-2微米的钨粉和5-15微米的钨粉混合，再混进25%-30%的有机粘结合剂（如石蜡或聚甲基丙烯酸醋）注模，用蒸汽清洗和照射法除往粘合剂，在氢气中烧结，获得高密度钨铜合金。

 

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钨铜触点是由具有优良性能的钨和铜组成的触点材料，钨的耐高温特性是其最重要的优点之一，而其导电性能随着铜含量的增加而改善。
钨具有熔点高、硬度高、沸点高、强度高、热膨胀系数小等特性。
铜具有良好的导电、导热性和较好的延展性等特性。

钨铜触点的性能如下所列：
具有高比重、高熔点、高硬度、高沸点、高强度；
具有优良的短弧性能；
具有良好的导热性和良好的导电性能；
具有较小的热膨胀系数；
具有优良的耐电弧烧蚀性；
具有良好的抗熔焊性；
具有高温不软化的特性；
具有良好的可加工性；
具有一定的塑性和较好的高温强度。
在3000℃以上的温度下，钨铜合金中的铜会液化，蒸发掉，并吸收大量的热量，从而降低触点材料的表面温度，因此，这类材料也叫做金属发汗材料。 

 

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钨铜触点具有铜和钨的优良性能，比如，高熔点、高沸点、高密度、较低的蒸汽压、良好的导电性、优良的导热性、耐电弧侵蚀、抗熔焊性能和易于加工等，可用在高中的低、高压开关等电器和部分仪表中，充当接触材料。近年来，随着开关等电器的更高容量和需承受更高电压的要求，人们对钨铜触点的技术性能要求也不断地提高了。而随着钨和铜的成本的上涨，触点材料的成本也大幅上涨了，因此，需要研究出较好地生产工艺以降低成本。

钨铜触点不仅可以用于强电和弱电，也可以用于直流电，其用于直流电，要求其在直流条件下，从触点的一方到另一方的材料转移要小。钨铜材料在触点上的应用最大，尤其是含铜量在20％～40％的钨铜材料，其主要用作中、高电压和中、大电流的开关等电器中，如输电网的保护断路器触点和其他触点。含15％～20％铜的钨铜触点可用在电压高达50万V或更高的断路器上。



 

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钨铜触点是由具有高的导电性和导热性的铜和具有高硬度、高熔点、高密度、耐电弧侵蚀等优良特性的钨组成的假合金。因为其结合了钨、铜的优良特性，具有抗熔焊性能和耐电弧烧蚀性能等特性，所以，可以用于弱电和强电的接触点。

用于强电用接触点，其主要性能要求如下所述：
1.为了防止当额定电流通过接触点时，钨铜触点过热，要求其具有较低的接触电阻；
2.为了使其拥有较长的使用寿命，其机械磨损率和电磨损率要小；
3.具有良好的抗熔焊性能，在出现故障的情况下，接触点能够顺利地分断电路；
4.要求其剩余电流要小且灭弧能力要强，使得其在分断大电流时能够迅速地灭弧，并且不会引起电弧重燃或持续电流。

用于弱电用接触点，其主要性能要求如下所述：
1.应该具有较低的并且稳定的接触电阻；
2.应具有较小的电磨损率，以延长它的使用寿命；
3.需要具有较高的最小起弧电压和最小起弧电流，使得在无电弧情况下，接触点能够被操作；
4.因为其具有较小的闭合力，所以，其机械磨损较小。



 

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钨酸铋作为一种新型光催化剂,是一种高效、无毒、价格低廉的材料,在介电、杀菌、光催化等方面具有广泛的应用前景。由于其显微形貌影响着产物的性能好坏以及在生活中、工业中的有效使用,而通过探索材料制备的可控因素，可以制备出特定形貌、大小、表面结构的粉体材料，从而达到提高材料的可见光催化性能。
水热法制取钨酸铋的过程如下所示：
1.称取2.419g的Na₂WO₄·2H₂O和4.851g的Bi（NO₃）·5H₂O溶于100ml去离子水中，用硝酸和氢氧化钠调节溶液的PH值。
2.加入一定量的十六烷基三甲基溴化铵（CTAB），搅拌30分钟后，将溶液放入及四氟乙烯反应罐（填充度约75%），置于不锈钢反应釜中，密封后放入烘箱中于180℃下反应24小时。
3.然后自然冷却至室温，得到黄色沉淀。用水和乙醇洗涤数次，于80℃恒温条件下干燥得到样品。

 

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钨铜触点材料也叫钨铜电触头材料，用来控制电流的接通和断开，主要用在开关、磁电机、继电器、断路器等元件的触点。触点的性能好坏会直接影响整个电气系统的运行功能，特别是现代化的自动控制系统、通讯系统等大型电力系统，因为其中的触点数量很多，若是一个或者几个的性能减损的话，会使得这个系统的工作乱套，甚至无法运行，因此，应该提高钨铜触点工作的性能。

钨铜触点的性能要求如下：
1. 为了降低触点在电流流过时的热损耗和减少触点表面的氧化钨，钨铜触点需要具有高的电导率、热导率；
2. 在电弧或火花作用下，为了减少触点的磨损和减少触点发生熔焊的可能性，钨铜触点需要具有高的熔化温度、高沸点、高熔化热和高与蒸发热；
3.稳定的化学性能，而且要求其在受环境污染后的接触电阻的变化小，接触电阻要稳定；

4.适度的弹性和硬度，因为如果硬度太大，其接触的面积就小了，如果弹性较大，在触点闭合时，其磨损会因触点间的弹跳而加大；
5.需要具有易于加工、焊接的性能；
6. 较低的价格。



 

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钨酸盐等半导体材料，因其特有的结构和物理化学性质，日益受到了人们的重视。其中具有光响应的钨酸盐光催化剂有：钨酸铋、钨酸锌和钨酸银等，这些钨酸盐半导体光催化剂的有利于去除和降解有机污染物及分解水。
其中钨酸铋作为新型光催化剂，它的分子式为Bi₂O₁₂W₃，分子量是1161.4736，它的相关系统编号如下所示：13595-87-4，EINECS号：237-033-7。另外它是一种高效、无毒、价格低廉的材料，在介电、杀菌、光催化等方面有着广泛的应用前景。同时钨酸铋是一种具有多样形貌的窄禁带材料，因此控制其的生产条件可以制备出不同形貌和结构的钨酸铋纳米材料，从而有效改善其物理和化学性质，提高其催化性能，并开发出新的应用。

 

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近年来，研究者们发现一系列具有光响应的钨酸盐光催化剂，如钨酸铋、钨酸锌和钨酸银等。这些钨酸盐半导体光催化剂的有利于去除和降解有机污染物及分解水，另外相比普通颗粒的钨酸盐，纳米颗粒的钨酸盐具有独特的晶体结构和表面特性，有利于催化剂活性和选择性的提高，得到人们的亲睐。
以下介绍的是纳米钨酸锌的制取过程：
1.将0.1452g（0.5mmol）硝酸锌和1g的PVP或者SDBS的混合表面活性剂加入到40ml的去离子水中，搅拌。
2.将0.165g（0.5mmol）的钨酸钠加入到了上述溶液中，然后持续搅拌30分钟以确保所以的反应试剂都能均匀分散。
3.混合液被加入50ml的聚四氟乙烯高压釜中，加入去离子水直至高压釜总体积的80%，然后密封高压釜，将其加热至180℃，并维持该温度长达24小时，然后自然降温到室温。
4.收集白色沉淀物，并用去离子水和无水乙醇各洗涤几次，然后将样品在60℃真空中烘6小时。

 

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钨酸锌常应用于掺锗去色工艺，而钨酸锌单晶体掺锗去色工艺属于钨酸盐系列晶体制作领域。这种工艺一般以Sb₂O₃或Bi₂O₃或银作掺杂去色剂，其共同缺点是无法拉制出大尺寸的无色晶体。
经试验发现。以GeO₂为掺杂材料,当ZnO∶WO₃∶GeO₂的重量比在1∶1-X∶X,X在0.05%～0.1%之间,提拉速度在1～3mm/h,旋转速率在20～30转/分,生长结束后的降温速率为150～200℃/h之间时,可得到无色的大尺寸ZnWO4晶体,发光性能略优于ZnWO4,能量分辩率可达12.9%左右。
而以在制取钨酸锌晶体时以Nb₂O₅为掺杂材料，其中它与ZnWO₄的总重量之比为2×10~1×10，提拉速度在3~6mm/h、旋转速率在20~30转/分、生长结束后的降温速率在40~60℃/h之间，可得到无色的大尺寸钨酸锌晶体，发光性能与纯钨酸锌晶体无异，能量分辨率可达13%~14%。

 

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