环球旅行，也被称为绕时钟，是一个标准的比赛项目，同时也是适合任何水平的选手的非常好的练习游戏。由于所有的分数区都要用到，对于刚刚开始熟悉镖盘的初学者，它是一个不可多得的项目。

参赛人数：多少人都可以。

使用的分数：所有的分数区，从1~20都要使用（在有些变种游戏中，还包括圆心）。

比赛规则：比赛的目标是，力争在对手之前连续击中镖盘上的1~20每一个分数区。分数区的任何部分—单倍、双倍，或三倍都包括在内。在比赛中击中某一分数区之后，选手可能会领先去投下一个分数区。按照顺序，第一个击中完所有分数区的选手，获胜。不按顺序击中的任何分数区不能计算在内。比如，完美的一轮应按照顺序去击中1、2、3分数区。

比赛战术：准确是必须的，但是击中三倍区或双倍区不完全必要，因此瞄准分数区“胖”的部分—从三倍环至双倍环之间—是稳妥的瞄准目标。

计分：将选手的代号按照顺序简明地排列于计分板上，在每一轮之后，选手在计分板上注明下一个要击中的分数。比如，在击中3分数区之后，要在计分板选手的代号旁注明下一个目标4分数区。

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钨酸锶的物理性质如下所示：分子式：O₄SrW，分子量：335.4576，相对密度：6.187，能在酸中分解，但不溶于乙醇和其他有机溶剂中。它在常温常压下是稳定的，但是要避免与物料、氧化物和卤素接触。钨酸锶对水体有一定的污染，所以不能将未稀释或大量的产品接触地下水、水道或污水系统，未经相关政府部门允许不可以将材料排入周围的环境。另外，钨酸锶具有一定的毒性和刺激性，因此在操作时要做好一定的防护措施：例如佩戴防护眼镜、手套和穿着防护服等。同时要避免眼睛和皮肤接触该产品。
钨酸锶的制取方法有以下几种：
1.通过碱金属与钨酸盐的复分解反应制取。
2.利用三氧化钨与金属氧化物熔融制取钨酸锶。
3.通过三氧化钨与碳酸盐熔融反应制取。



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钨酸银是一种浅黄色的结晶或者粉末，它的中文别名是氯化锶或二氯化锶。钨酸银的物理性质如下所示：分子式：Ag₂O₄W，分子量：463.574，能溶于硝酸、氨水和氰化钾溶液。它的化学性质如下所示：钨酸银容易被还原，但不是强氧化剂；它和氢化硫作用易生成钨硫化物，也能被硝酸分解成白色水合钨酸。钨酸银主要用于催化剂、电子和化学工业。它可以通过钨酸钠和硝酸银反应制取，或者通过三氧化钨和氧化银反应制取。要存储在常温密闭，且阴凉通风干燥的地方。
Ag₂O₄W的相关系统编号如下所示：CAS号：13465-93-5，MDL号：MFCD00014147,EINECS号：236-708-3，PubChem号：24881171。另外钨酸银具有一定的毒性和刺激性，因此在操作作业时要佩戴一定的安全措施，例如防护的手套，眼镜和防护服等，避免眼睛和皮肤上接触该产品。



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稀土掺杂Zn_xCa_(1-x)WO₄多晶的制备及缺陷研究小结

（1）采用高温固相法反应法制备了一系列不同锌钙比的Zn_xCa_(1-x)WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺多晶。通过XRD测试发现掺杂10mol%锌离子的样品保持了原有的体心四方结构，锌离子浓度过高会破坏钨酸钙的晶格结构及发光中心。通过上转换发光测试确定锌离子浓度为10mol%时发光效果最好。因此选择锌钙比为1:9的样品为最佳基质材料，即Zn_0.1Ca_0.9WO₄。 

（2）采用高温固相反应法制备了不同烧结条件的Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺多晶。XRD测试表明均已形成体心四方晶格结构。通过上转换发光测试，当烧结温度为1000℃，烧结时间为3h时，发光效果最好。因此最佳工艺参数为烧结温度1000℃，烧结时间3h。 

（3）采用高温固相反应法制备了Zn_0.1Ca_0.9WO₄：2mol%Tm³⁺/6mol%Yb³⁺、Zn_0.1Ca_0.9WO₄：0.4mol%Ho³⁺/4mol%Yb³⁺和Zn_0.1Ca_0.9WO₄：2mol%Tm^3+/0.6mol%Ho³⁺/8mol%Yb³⁺等样品。XRD测试表明稀土离子的掺杂并没有影响基质的晶格结构。 

（4）分析了稀土离子的掺杂对紫外-可见吸收光谱的影响。稀土离子的掺杂并没有改变基质原有的体心四方结构，说明稀土离子只是取代了Zn²⁺离子或Ca²⁺离子的位置，多余的正电荷由Zn²⁺离子或Ca²⁺离子的空位缺陷补偿。随着稀土离子浓度的增加，Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶和Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Tm³⁺/Yb³⁺多晶紫外吸收边均先红移后蓝移，说明稀土离子浓度过大会使晶格内部能量增加，阻碍自由电子跃迁，不利于上转换发光。

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以下为Yb³⁺浓度对Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶吸收光谱的影响。

固定Tm³⁺离子浓度为2mol%，掺杂不同Yb³⁺浓度的Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶紫外-可见吸收光谱如图3所示。 

Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶的紫外-可见吸收光谱扫描范围为200~850nm。从图中可以看出，Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶在690nm和795nm处有明显的吸收峰，这是Tm³⁺离子不同能级之间的电子跃迁产生的，分别对应Tm³⁺离子的³H₆→³F_2，3和³H₆→³H₄能级跃迁。

从图中我们可以看出，Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶在300nm左右紫外吸收峰强度直线下降，可以把此处作为紫外吸收边。随着Yb3+离子掺杂浓度的不断提高，Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶的紫外吸收边先红移后蓝移，且蓝移程度较大。这是由于少量Zn²⁺离子的掺杂并没有改变CaWO₄晶体原有的体心四方结构，Zn²⁺离子只是取代了晶格中Ca²⁺离子的位置。同样，掺杂Ho³⁺离子和Yb³⁺离子占据了Zn²⁺离子或Ca²⁺离子的位置，多余的正电荷由Zn²⁺离子或Ca²⁺离子的空位缺陷补偿。 

同样，由表可以看出，Tm³⁺、Yb³⁺离子的极化能力比Zn²⁺离子和Ca²⁺离子强。稀土离子的掺杂使Zn_0.1Ca_0.9WO₄多晶中WO₄^2-基团极化度增加，电子云变形性增大，自由电子跃迁所需能量减少，因此自由电子更易发生跃迁产生红移现象；当Yb³⁺离子浓度过大时，会使Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶内部能量急剧增加，自由电子被束缚在价带很难发生能级跃迁，因此吸收边发生蓝移。 

Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Yb³⁺多晶的紫外吸收边先红移后蓝移，当Yb³⁺离子浓度为5.0mol%时，吸收边红移至最大，此时更易发生自由电子的能级跃迁，有利于上转换发光强度的提高。

 

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受控热核聚变能的利用是公认的有望解决人类未来能源需求的主要途径，材料问题是决定聚变能能否开发成功的关键之一，其中包括“面向等离子体材料” （PFM）。在远离等离子体或边缘等离子体能量不高的情况下一般使用钨作为面向等离子体材料。钨材料是在核聚变反应装置中直接面对等离子体的第一壁、偏滤器及限制器的装甲材料。钨面向等离子体材料的主要功能是：有效控制进入等离子体的杂质；有效移走辐射到材料表面的热；保护非正常停堆时其它部件免受等离子体轰击而损坏。钨面向等离子体材料关系到等离子体的稳定性及第一壁结构材料和元件的安全。  

在聚变反应过程中，钨面向等离子体材料受到高热流等离子体的强烈辐照，同时也受到逃逸出来的各种粒子的轰击，处于极其恶劣的工作条件下；尤其在发生等离子体破裂和垂直位移事件时，这种辐照和冲击更为严重。这就要求钨面向等离子体材料在以下几方面都应具有良好的性能：首先，PFM要有良好的导热性、抗热冲击性能和高熔点；其次，PFM应有低的溅射产额，即由物理溅射、化学溅射和辐照增强升华所产生的杂质的数量要低；第三，氢(氘、氚)再循环作用低，即氢(氘、氚)应具有较低 的吸放气性；第四，PFM应当是低活性材料。

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在处于辐射的路径上，使辐射水平减弱到它最初始值的一半所需要的屏蔽材料的厚度称为半值层厚度(Half-value Thickness HVL)，也被称为半值层。该法可作为一种估计合适屏蔽厚度的有效手段，由半值层厚度法求所需屏蔽材料的厚度或已知屏蔽层厚度估计屏蔽效果比较方便。 n个半值层厚度可使辐射强度减至1/2n。

下表列出不同能量的β辐射在铝中的半值层△1/2。

β辐射在钨中的半值层可通过下式换算近似得到：

△1/2W=0.482△1/2Al×A/Z

式中，
A,Z--钨的原子量及原子序数；
△1/2Al--在铝中的半值层值；
△1/2W--在钨中的半值层值。

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报废银钨触点银的回收工艺为：“一次分银---焙烧---二次分银”。

报废银钨触点钨的回收：
往二次分银后的滤渣中加入氨水（NH₃·H₂O），以溶解氧化钨（WO₃），发生的溶解反应的化学式如下：
WO₃+2 NH₃·H₂O=(NH4)₂WO₃+H₂O
然后，先过滤，再将滤渣返回氨浸流程，将所得到的滤液经过蒸发、结晶和干燥可以的到白色晶体，白色晶体为仲钨酸铵。此过程：钨酸铵→仲钨酸铵。化学反应式如下：
12(NH4)₂WO₃→(NH4)O₂WO₃↓+14NH₃↑+7H₂O
然后，再将所得到的仲钨酸铵放置于马弗炉中，在温度为700℃的条件下，焙烧1小时，可以得到黄色的三氧化钨粉末，三氧化钨中钨的含量可以利用能谱分析仪（EDS）来分析。
能谱分析仪(EDS - Energy Dispersive Spectrometer)可以用来分析材料的微区成分元素种类和含量，需要配合透射电子显微镜和扫描电子显微镜来使用。
为了节省废弃处理费用，可以将氨浸、蒸发和煅烧过程中的氨气转入酸性废弃处理系统中。



 

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1. 钨铜触点（Cu80W/Cu）原材料的选用
（1）钨粉的选用。选用的是牌号为FW-1标准的钨粉，钨粉的粒度范围：6-8μm。如果钨粉出现氧化现象，则需要在温度为860℃左右和氢气的保护条件下，保温1h，还原被氧化的钨粉。

（2）铜粉的选用。采用的是电解铜的方法获得，需要将其还原，还原气氛为氢气氛围，温度控制在300℃左右，保温时间为1h。

2.触头的制备|
采用的是粉末冶金熔渗烧结工艺制备钨铜触点（Cu80W/Cu）的触头。
工艺流程：混粉（钨粉和铜粉，按比例）→压制成型→烧结熔渗（钨铜坯）→加工挤压。
烧结熔渗条件：需要通入氢气（氢气流量：1m³/h），温度控制在1500℃左右，烧结时间为2h。

加工挤压：将经烧结熔渗所得的钨铜坯进行车加工，然后在其表面均匀地涂上润滑油后，再用四柱液压机进行挤压。



 

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影响钨铜触点材料的因素有很多种，主要有触点的结构尺寸、制造工艺、钨粉的粒度、应用场合、电流特性和触点的关合分断速度和初压力等等。“影响钨铜触点材料的因素- 结构尺寸和制造工艺”主要介绍了其中的结构尺寸和制造工艺因素对钨铜触点的影响，本文则介绍的是影响钨铜触点材料的因素中的钨粉的粒度、应用场合、电流特性和触点的关合分断速度和初压力因素：

3.钨粉的粒度。有研究显示，不管是用的较粗的钨粉或者较细的钨粉来制备触点材料，它们的抗电弧侵蚀性能都不是很好，而如果将粗粉和细粉按一定比例混粉制备的话，则制备出来的钨铜触点的各项性能都会相对好些。注意项：不同成分的触点材料的钨、铜混合比例不同。

4.应用场合。有实验结果表明，对于不同的应用场合，成分不同的触点材料都有其相对应的最佳适用场合。比如，在空气或者真空开关中，钨（90）/铜（10）的抗电弧侵蚀性能最好。

5.电流特性。有研究表明，电流的特性不同，在通断过程就会产生不同的暂态特性，但是，在触头选定完成后，它的值为定值。

6. 触点的关合分断速度和初压力。燃弧时间是由开断速度尤其是初开速度决定的，燃弧时间的缩短可通过提高初开速度来实现，这样，触点烧蚀的可能性就减少了。如果初压力增加了，触点的机械振动可以得到减弱，这样，电弧侵蚀和机械磨损就减少了。



 

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