钨合金电离室屏蔽件
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- 发布于 2016年6月02日 星期四 19:02
- 作者:minghui
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电离室又称为离子室,是一种利用电离辐射的电离效应对之进行测量的气体探测器。其由电位不同的电极以及电极之间的介质组成。当电离室受到射线的照射时,射线会与气体中的分子发生作用,并在介质中产生电离离子对。这些离子对在电场的作用下向周围区域自由扩散,形成电离电流。由于电离电流与辐射的强度成正比,因而可以通过测量该电流得到电离辐射的强度。电离室的分类极为复杂,按照测量剂量,可分为治疗水平电离室、诊断水平电离室、防护水平电离室、环境水平电离室;按照测量对象,可分为α电离室、β电离室、或α、β电离室、γ电离室、中子电离室、电子束电离室、布喇格峰电离室;按照电离室的形状,可分为:壳电离室、平行板电离室、通气电离室;按照测量理论,则可分为石墨空腔电离室、绝对测量自由空气电离室。
电离辐射能引起物质电离,其种类包括α射线、β射线、中子、X射线、γ射线。α射线也称“甲种射线”,指的是放射性物质所释放出来的α粒子流。尽管与β射线相比,其穿透能力较弱,但其具有很强的电离作用,能较大破坏人体体内组织;β射线的电离作用比α射线弱得多,但穿透能力较大,也能破坏人体组织;X射线和γ射线两者的穿透力极强,且均能对人体造成危害。当人体受到射线照射时,射线辐射可抑制、破坏甚至杀死人体细胞,使得人体在生理、病理和生化等方面发生不同程度的变化。电离辐射还可以引起皮肤损伤、造血障碍、生育力受损、白细胞减少、癌症、胎儿死亡、胎儿畸形等各种疾病。
在使用电离室探测电离辐射时,可以使用钨合金屏蔽件对辐射进行屏蔽,从而保护人体免受辐射损伤。据研究,材料的辐射屏蔽性与材料其密度密切相关,密度更高则射线吸收能力和屏蔽能力更好。由于与其它传统材料(如铅相比),钨合金的密度更高,因而钨合金屏蔽件的射线吸收能力和屏蔽能力更好。且钨合金屏蔽件不会释放有毒物质,既不会危害人体健康,也不会污染环境。
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三氧化钨光触媒涂料
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- 发布于 2016年6月02日 星期四 18:27
- 作者:chunyan
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真空镀膜用钨加热子
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- 发布于 2016年6月02日 星期四 11:14
- 作者:xuejiao
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真空是指低于1个大气压的气体状态。气压随着海拔的增加和减少,存在于宇宙空间中的真空称为自然真空,人为真空是指利用真空泵把真空容器里的气体抽出,使容器里的压强低于一个大气压。真空镀膜一般通过物理气相沉积和化学气相沉积两种方法进行操作。通常情况下分为蒸发镀膜,溅射镀膜和离子镀三种。真空镀膜常常用钨加热子来蒸发铝。而热子使用的周期也受很多因素的制约,比如真空的程度,电流,电压,温度,铝的量和蒸发时间等。
实践证明铝芯子的插入量对热子的使用周期长短有着决定性的作用。在确保镀膜厚度和其他条件不变的情况下,插入铝的数量应该是尽量减少的,铝的插入量越大,热子的使用寿命就会越短。因为在完成蒸发镀膜后,每次蒸发后会残留一部分铝在钨丝加热子上,然后残留的铝会和钨发生化学反应,从而导致钨丝受到腐蚀。这样一来,长久累积下来,就会大大缩短加热子的使用寿命。钨加热子在有铝残留情况下的使用寿命比那些基本无残留的铝的热子的要少三分之一。所以根据统计的数据,铝的插入量应该控制在热子重量的百分之五到百分之十是最好的。在保证镀膜质量的前提下,铝量越少,蒸发率就越高,残留物与钨丝生成的合金就越少,热子的受腐蚀的程度也就越低,因此,钨加热子的寿命也就越长。
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铯钨青铜超细粉体的制备方法
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- 发布于 2016年6月02日 星期四 18:22
- 作者:xinyi
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稀土钨电极在金卤灯中的应用
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- 发布于 2016年6月01日 星期三 18:20
- 作者:yiping
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金卤灯是在汞和稀有金属的卤化物混合蒸气中生产电弧放电发光的放电灯,是一种接近日光色的节能新光源。金卤灯广泛应用于体育场馆、展览中心、大型商场、工业厂房、街道广场、车站、码头等场所的室内照明,它具有发光效率高、显色性能好、寿命长等优点。
钨电极常作为电极材料应用于金卤灯中,对金卤灯的性能具有一定的影响,因此制得性能良好的钨电极有利于金卤灯的应用和延长使用寿命。早前,常应用于金卤灯中的钨电极为纯钨电极和钍钨电极,但是钍钨电极具有放射性,纯钨电极的性能不够优良,因此许多厂家开始研究不同材料的稀土钨电极。
对金卤灯的电极材料进一步研究发现,用液-固混合方法混合原料,再经过粉末冶金法制得的钨坯条,最后经过旋锻、退火、拉直等工序,可以制得性能优良的电极材料。观察制得的稀土钨电极应用于金卤灯发现,钇钨电极和铈钨电极的色温、光通量和光效较低。而钍钨电极和钨镝电极的色温、光通量和光效较高。其中,钨镧电极的显色指数最低,而钨镝的显色指数最高。在红色比中钍钨电极最低,而钨镝钇最高。对比各种不同稀土电极在金卤灯中的应用效果发现,钨镝电极和钨镝钇电极的灯光参数与钍钨电极类似。另外,钨镝和钨镝钇电极的启动、防溅性能和抗腐蚀性能达到了和钍钨电极类似的水平。
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