什么是Anviloy1150?
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- 发布于 2015年3月20日 星期五 18:54
- 作者:yh
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Anviloy 1150是由金属粉末在特定的高温度下制作而成的,使用特殊的高温粉末冶金技术。这样钨合金棒具有热膨胀系数低,导热性能好和良好耐高温特性。合金元素的加入提高可加工性,韧性和焊接性能。通常将熔点在1700摄氏度以上的金属称为难熔金属。在压铸钢铁材料时,压铸模型腔的工作温度可高达1000摄氏度。型腔表面受到严重氧化、腐蚀和冲刷,常因为产生严重的塑性变形和网状裂纹而失效,只能压铸几十件或几百件。因此,可以用钨、钼、铌等熔点在2600摄氏度以上的难熔合金来制作压铸模的型腔。由于它们的再结晶温度高于1000摄氏度,可长期在此温度之上工作。
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合成纳米氧化钨
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- 发布于 2015年3月20日 星期五 17:08
- 作者:zsq
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反应溢度、反应时间以及外来添加物种等作为影响晶体生长外部因素,对无机纳米材料相组成及形貌控制往往能起到重要角色。就无机半导体材料纳米氧化钨来说,采用溶剂热法通过调变溶剂热温度成功制备出了W03.2H20纳米片,研究发现温度可调控其晶体的生长,因而有助于纳米片的形成;利用水热方法合成了氧化钨纳米带,温度对氧化钨纳米带单晶的生长也至关重要;用不同的溶剂热体系合成了不同晶型的纳米氧化钨,其中乙醇/乙二醇的混合溶液是较好的溶剂,六氧化化钨可以在其中充分的溶解,从而制得的氧化钨的晶型结构相对较对称;通过改变体系中水的用量来有效控制六氯化转的水解速率,进而得到氢氧化钨,然后再对其进行脱水得到不同纳米结构的氧化钨半导体材料;他们研究表明:适宜的加水量,可以得到纳米管状结构的氧化钨;若向反应体系加入过量的水,得到的则是氧化钨纳米棒;而如果加入少量的水,得到的却是氧化钨纳米片。在不同的加热时间下合成了不同晶型的氧化钨纳米材料,其中,以钨酸锂作为钨源,在水热条件下合成的纳米棒状氧化钨,表现了较好的光催化性能。
溶剂热温度较低时,制备的纳米氧化钨结晶度较低,随着溶剂热温度的升髙,纳米氧化钨的结晶度增加。溶剂热时间过长时(24h)制备的纳米氧化钨存在很严重的团聚,而且粒径的均一性较差;而在较短的时间时(12h),制备的纳米氧化钨的粒径较均一。加水量的多少直接影响纳米氧化钨的结晶度和粒径的均一性,进而影响材料吸附性能;当加水量较少时(500mL),三氧化钨的结晶度较差,且团聚较严重,而且晶体的结构的规则性也较差,因此吸附性能较差;随着加水量的增加(1000mL),制备的材料,结晶度变好,晶体的结构也变规则,且粒径较均一,氧化钨的吸附性能增强;继续增大加水量(2000mL)时,结晶度继续变强,但是粒径变得不均一,团聚也变严重,因此对氧化钨的吸附性能下降。
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氧化钨氢还原过程中物相转变
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- 发布于 2015年3月20日 星期五 15:15
- 作者:zsq
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仲钨酸铵APT在不同温度与不同气氛下热分解和(或)氢还原制得了4种典型的氧化钨。用X射线衍射分析研究了这些化钨在氮还原过程中的物相转变.试验结果表明:APT的分解条件和氧化钨的红还原工艺对钨粉生产都是很重要的本文为氧化钨和钨粉生产厂提供了某些图谱、教据和推论;特别是用干燥氢还原W81O49,直接生成户W和a-W可避免中间的WO2形,这一新发现,对高效生产细钨粉有重要意义。
用APT制得了数种有代表性的氧化钨.APT的热分解条件不同,则所得氧化钨的结构、成分及性质亦不同.应根据钨粉的要求来确定和控制APT的热分解工艺条件,以生产适合的氧化钨原料。
黄钨、蓝钨和紫钨分别进行了高温氢还原过程的射线衍射物相分析.所得图谱与数据,为钨厂生产或选购氧化钨原料和制定合理的氢还原工艺提供了某些依据。
用干燥氢还原紫钨可直接生成a-W和b-W,而不经过生成WO2的中间阶段.这一重要事实的发现,为氢还原紫钨高效制得均匀的细钨粉提供了依据。
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纳米氧化钨光催化分解水
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- 发布于 2015年3月20日 星期五 15:23
- 作者:zsq
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目前纳米氧化钨的合成方法有很多种,大致可分为三大类:固相法、气相法和液相法。固相法制备纳米三氧化钨一般是用钨酸或钨酸铵等直接进行加热分解得到。此种方法的工艺简单,但是由于生成的纳米粉末容易团聚,因此得到的粉末需要再经过一次的粉碎来得到颗粒较小的纳米三氧化钨,这样得到的样品的产量比较低纳米三氧化五的气相法合成方法早已经有报道,此种方法的特点是产品的尺寸小,纯度高,但是对实验设备和技术耍求都很高,因此目前研究中并没有得到广泛的应用液相法则是采用化学手段,利用简单的溶液进行加热就可以对纳米材料的微观结构进行控制,因此液相法是制备纳米三氧化钨最适宜、最常用的方法之一。
随着工业的发展,对清洁能源的研究与利用是科学研究者一直从事的工作。特别是利用资源充足的太阳能光解水产生H2已经成为研究人员探索的热点之一,但娃耍实现这一目标的关键之处是找到合适的催化剂,而纳米氧化钨由于其禁带宽度比较小,在可见光范围内具有较好的光催化活性,因此得到研究者的青睐。
目前,纳米氧化钨的光催化活性比二氧化铁好,作为光催化剂,氧化韩光催化稳定性良好,对光催化降解水中污染物也有较理想的催化效果,加之我国钨蕴藏量丰富,居世界第一,所以氧化钨有广泛来源’因此氧化钨是光催化技术领域的一个重要材料。
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制备工艺影响氧化钨电致变色薄膜性能
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- 发布于 2015年3月20日 星期五 15:09
- 作者:zsq
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在外加电场或电流作用下,呈现低光通过率的着色态与高光通过率的褪色态的可逆变化现象的材料称为电致变色材料。变色材料在光信息存储、智能窗、大面积电子公告牌、防眩反光镜等领域,有着良好的应用前景。自1969年Deb发现WO3薄膜电致变色现象以来,人们对电致变色材料的研究不断深入。制备方法及制备工艺对氧化钨薄膜变色性能有较大影响,不同制备方法制备的薄膜在晶型、结构等方面有较大差异。
目前常用的方法有蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法、脉冲激光沉积法和电沉积法等,其中溅射法因其具有性能稳定、均匀性好、工艺相对简单、适合大面积生产等优势,成为研究的热点。目前对于溅射法制备WO3电致变色薄膜的研究集中于提高其着褪色响应速度、对可见光调制幅度及循环可逆性能等方面,而有关制备及热处理工艺对薄膜变色存储时间及其与其他性能之间的关联性的报导相对较少。变色存储时间是指薄膜着色后自然褪色至ΔT小于一定值(一般为20%)所需时间。对于将电致变色薄膜应用于智能窗、电子公告牌等领域时,在薄膜有较高着色率的同时,延长变色存储时间,加一次电压着色后有更长的显色时间,在节能环保方面有很大意义。采用热蒸镀法制备WO3薄膜,并对薄膜在大气环境下做了从350℃至450℃区间不同温度的热处理,研究了不同热处理温度对WO3薄膜性能影响,结果表明,在大气中热处理时,薄膜在390℃开始结晶,直到450℃完成结晶;随着退火温度的增加,WO3薄膜变色能力增强,直到385℃时突然降低;其认为在大气中热处理时,随热处理温度的提高,会使WO3中氧原子增多,从而使电致变色效率降低。用金属钨靶,采用中频孪生反应磁控溅射制备WO3薄膜,分别于100℃、200℃、300℃、400℃、500℃退火1h,结果表明200℃退火1h后的薄膜,在可见光范围内着褪色态透射率差值达到50%以上,表现出较好的电致变色性能。
采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热处理,提高了薄膜变色存储能力。结果表明,氧分量为60%、压强为2.5Pa、功率为145W时制备的薄膜,对光调制幅度(ΔT)达89.3%。适度温度真空热处理可改善薄膜性能,着色率略有提高,变色存储时间增加(达32h),离子存储能力增大(达3.96mC/cm2),循环稳定性能良好,同时热处理使薄膜晶化,密度增加,变色响应时间增加。
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