飞镖靶保护圈

飞镖靶保护圈颜色多彩,可以根据自身的喜好选择您想要的镖靶保护圈。镖靶保护圈加装在镖靶的外围,不仅使镖靶看起来更加美观,也增大了一些镖靶的表面积,防止飞镖在投掷时投出靶外,更好的保护飞镖,也使飞镖打在镖靶时的声音减小,我们可以根据不同的镖靶尺寸定做不同大小的保护圈。

镖靶保护圈可以保护飞镖镖靶的边缘免受磕碰带来的损害,而且镖靶保护圈还可以保护墙壁免受玩飞镖时非故意带来的损害。镖靶保护圈简单的将飞镖镖靶环绕起来,用夹子夹住,不用坚实的固定。

飞镖靶保护圈
 

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钨合金飞镖重量选择

钨合金飞镖的种类有很多,有酒桶型的、鱼雷型的、直筒型的。选飞镖,形状并不十分重要,关键是飞镖重量选择。国际比赛对硬式飞镖重量限制是50克。大家普遍认为合适的飞镖平均重量在20—24克之间。超过24克的飞镖被认为是重镖,低于20克重量的飞镖被认为是轻镖。

如果是初学者,建议使用偏重一点的22—25克之间的钨合金飞镖。虽然大家会感觉重量轻一些的飞镖好投,但它对打基础不利。重量大一些的飞镖对投掷动作和技术要求高,有利于动作定型。

投轻飞镖如能控制好了,自然有它反应灵敏的优点,但控制不好,优点会变为缺点。世界上大部分飞镖选手使用飞镖的重量正是在20—25克之间,这个重量范围内的飞镖也是你在市场上最容易买到的。

钨合金飞镖重量选择
 

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氧化钨介孔结构的影响因素(二)

以乙醇和蒸馏水为分散剂,硅钨酸与硅介孔的物料比在3∶1时,经600℃煅烧和HF处理后的氧化钨N2吸附-脱附, N2吸附-脱附等温线在相对压力(p/p0)为0.1-0.2之间有一个较弱的突越,在相对压力为0.6-0.8左右吸附曲线有一个明显的突越,且吸附分支和脱附分支之间有明显的滞后环,这是由N2在孔道中产生的毛细凝聚现象引起的,这也表明所制备的材料具有介孔孔道。制备的材料具有双孔径的介孔孔道.形成双孔径的原因可能是由于硅钨酸在填充SiO2孔道时填充不满,或者是在氧化钨的形成过程中分子间的聚合造成了孔道的部分空缺,因此在除去SiO2的时候使孔道变大,而形成双孔径是以乙醇和蒸馏水为分散剂,硅钨酸与硅介孔的物料比为3∶1时,在600℃煅烧制备氧化钨介孔材料的结构参数,可以看出以乙醇为分散剂制备的氧化钨介孔材料的比表面积与孔体积都较以蒸馏水为分散剂的高.

室温下乙醇在介孔二氧化硅表面的接触角为11°,水在介孔二氧化硅表面的接触角为26°,说明乙醇比蒸馏水对介孔二氧化硅具有更好的润湿特性,更有利于硅钨酸进入二氧化硅孔道并形成介孔材料。

以介孔二氧化硅为硬模板,与硅钨酸复合,再经HF处理除去二氧化硅,制备得到了具有较大比表面积和双孔径的介孔氧化钨.最佳制备条件是:硅钨酸与介孔二氧化硅复合的物料比(m(WO3)/m(SiO2))在3∶1到4∶1之间,并在600-750℃下煅烧.当以乙醇为分散剂进行复合时,所得的介孔WO3的比表面积和孔体积都比以蒸馏水为分散剂时大,这主要是由于乙醇比蒸馏水对介孔二氧化硅具有更好的润湿性能。

氧化钨

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18克软式钨钢飞镖

18克软式钨钢飞镖镖身采用钨合金材质,镖尖采用尼龙材质,既安全又耐用。18克软式钨钢飞镖镖身采用80%W钨合金材质,单支飞镖的重量为18克。

钨钢飞镖有软式飞镖和硬式飞镖之分,主要区别在于:软式飞镖重量规定18克以内,镖针是塑料的安全镖头,较多用于电子镖靶中;硬式飞镖是英式的,镖针是金属的,对初学者来说,普通的黄铜飞镖就够了,购买时要注意:飞镖应有完整的镖针、镖筒、镖杆和镖翼;手感十足,重心稳定,飞行线路易掌握。劣质飞镖镖身不直,手感过轻,投掷时稳定性不够。

18克软式钨钢飞镖
 

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氧化钨介孔结构的影响因素(一)

复合材料经煅烧,在氧化硅孔道内的硅钨酸转化为氧化钨,煅烧温度对氧化钨的结晶和其介孔结构的形成有影响.本文探索了在550-950℃间,不同煅烧温度对氧化钨介孔结构的影响。以乙醇为分散剂,硅钨酸与硅介孔的物料比m(WO3)/m(SiO2)为3∶1,在不同温度下煅烧后经HF处理的氧化钨。当煅烧温度在550℃时,在小基本无衍射峰,说明结构有序度很差,同时在N2吸附-脱附表征中比表面积为42.7m2•g-1,与经600℃煅烧后的比表面积68.0m2•g-1比较有明显的下降,当煅烧温度在600-750℃时,在2θ=1°附近有一个明显的衍射峰,说明在煅烧时SiO2硬模板内的氧化钨结晶较好,HF处理后的氧化钨的介孔结构有序度较好.但在小角衍射中,没有观察到峰的二级衍射峰,说明介孔结构没有很好的长程有序性.在煅烧温度达到850和950℃后,结构有序度很差,有可能温度过高造成部分氧化钨的挥发,从而影响了其结构有序度。

以乙醇为分散剂在不同的硅钨酸与硅介孔的物料比时,600℃煅烧和经HF处理后得到的氧化钨介孔材料的小角XRD图.可以看出当硅钨酸与硅介孔的物料比m(WO3)/m(SiO2)为2∶1时,在小角XRD图内衍射峰不明显,说明结构有序度差,同时在N2吸附-脱附表征中比表面积为40.7m2•g-1,与在600℃煅烧的比表面积68.0m2•g-1相比有明显的下降.当物料比为3∶1和4∶1时, 附近有一个明显的衍射峰(211),说明在此质量比范围内能制备结构较好的氧化钨介孔材料.当硅钨酸与硅介孔的物料比为5∶1时,在小角XRD图内衍射峰不明显,说明其结构有序性很差,可能是由于钨的含量过高,在氧化硅孔道外结晶。

氧化钨

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