三氧化钨的电学性质
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月01日 星期一 17:46
- 作者：xiaoshan
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三氧化钨的分子式为WO3，分子量为231.85。WO3的分子式相当的简单，但是它的物理性质却十分复杂。满足化学计量比且无任何杂质的三氧化钨应该是无色透明的绝缘体，但是通常WO3中的氧的含量并不满足严格的化学计量比，因为在制备中难以控制氧含量，加之其他的复杂因素，所以WO3-X的型式来表示。1959年，Sawada和Danielson报道了WO3单晶上进行的电阻率测量的电阻率结果p=1.7×10-1Ω·cm。1983年Sahle 和Nygren报道了WO3-X（0≤y≤0.28）系列单晶的电导率测量。随着对三氧化钨的电学性质的研究，我们可以发现，对于WO3-X单晶，其电学性能随其结构和含氧量的变化可以分别呈现金属或者半导体行为。铁电行为是WO3材料的一个极为重要的电学性质。WO3晶体是一种铁电材料，其铁电温度是Tc=-40℃。
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水热晶化法制备三氧化钨光催化剂
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月01日 星期一 17:45
- 作者：xiaoshan
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三氧化钨作为光催化剂在降解有机和无机材料方面有着广阔的应用前景。以APT 和H2WO4为原料经过固相法烧结制备出来的WO3-X光催化剂的效能是不一样的，在高温条件下以APT为原料制得六方相WO3-X光催化剂效能更好。
但是实验证明，以H2WO4为原料运用水热晶化法制得的WO3-X是六方相的，氧指数为2.50，光催化分解水性能得到大大的提高。在水热晶化法中，原料会随着发生温度的提高，发生变化。随着温度的增加，产物会从WO3-X．0.33H2O转变为六方WO3-X在随着温度发展转变为单斜WO3-X。一开始WO3-X的光催化会随着温度的提高变好，但是随着六方相WO3-X慢慢转变为单斜WO3-X，它的光催化分解水性能也慢慢的减少。从中我们可以随着氧指数的逐渐减少，WO3-X的光催化分解水速率先升高，达到极限后又急剧下降，即WO3-X的光催化性能存在最佳氧空位含量。当氧指数在2.44~2.50时，其光分解速率较大。因此六方相WO3-X有利于提高WO3-X光催化分解水性能。
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激光功率对氧化钨纳米线的影响
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年5月29日 星期五 18:00
- 作者：xiaoshan
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运用不同功率的激光辐射研究氧化钨纳米线发现，随着激光功率的不断增大（0.72mw~20mw），氧化钨纳米线的拉曼光谱发生了一些明显变化，当激光功率很低的时候，纳米显得拉曼信号不强。数据上的峰形和峰值变化也不大。随着功率的增大，拉曼信号也随之增强。当激光功率增大到一定的强度时，氧化钨和周围空气中的氧发生反应形成三氧化钨。此时的三氧化钨是单斜相的。当激光功率下降到3mw的时候，拉曼峰已经不能恢复到低激光功率时候的峰值，这说明这个氧化过程是不可逆的。随着激光功率的再一次增大，三氧化钨纳米线由单斜相向正交β相过渡，通过改变激光功率发现，从单斜相到β相这个过程是可逆的。激光功率对氧化钨纳米线的结构产生了影响，首先是氧化钨纳米线被氧化成了三氧化钨，经历了相的变化。这时加大激光功率发现相的变化是可逆的。
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固相烧结法制备三氧化钨光催化剂
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- 发布于 2015年6月01日 星期一 17:42
- 作者：xiaoshan
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光催化是用于将水分解成氢和氧的催化剂。三氧化钨中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分W6+离子还原成W5+离子，氧缺位是决定三氧化钨光催化性能的主要原因。但是由于钨氧化价态变化大，含氧量难以确定，结构相变多和电学性质复杂等原因不同晶型的光催化性质一直不能确定。
经过专家多次试验后发现，用APT经固相法制备的WO3-X光催化剂，主要是由单斜相组成，它的光催化分解水性能较差。但是改变反应条件之后，它的光催化性能就能大大提升。例如当在温度600℃的条件下加热4小时会产生六方相WO3-X，六方相WO3-X的光分解水析氧速率最高。用H2WO4经固相法制备的WO3-X光催化剂均为单斜相。且温度对于光催化性能的改变不大。所以运用H2WO4制备的WO3-X光催化的性能不如用APT在600℃温度下制备的WO3-X的光催化性能好。
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热蒸发法制备氧化钨纳米线
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- 发布于 2015年5月29日 星期五 17:58
- 作者：xiaoshan
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热蒸发法是一种气相沉积法，它具有高效率的特点。采用热蒸发法制备氧化钨纳米线的具体过程是首先将热蒸发的本底真空度设为10-1Pa，工作强压设为10Pa，蒸发时间为15min。再将钨粉放入炉子中的钨丹上，将硅片水平放置与钨丹的附近。然后通入惰性气体进行吹扫氩气，扫除的流量设为70sccm。最后加热钨丹，钨粉受热氧化成氧化钨，在硅片上沉积并长出纳米线，蒸发的温度分别设置为975℃、1000℃、1025℃、1050℃，硅片温度保持在550。经过专家研究发现，氧化钨纳米线的生长存在一定的规律，随着蒸发温度的升高，硅片表面的蒸气浓度也会变大，过饱和度升高，形核数增加，氧化钨纳米线的直径增加，高度则先增后减，温度过高时晶向取向性降低。而硅片温度的升高，硅片上的氧化钨蒸气分子的活性变大，氧化钨纳米线的结晶速度加快，高度也增加了。可见要制备不同形貌的氧化物纳米线可以通过控制蒸发源和硅片温度。
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