鎢合金飛鏢杆優點和缺點

鎢合金飛鏢杆的樣式很豐富,也非常美觀,鎢合金飛鏢杆是以高比重鎢合金為生產原料,密度大體積小,直線性能好,耐磨耐腐蝕,不易變形使用壽命長。鎢合金飛鏢杆不會像尼龍和塑膠鏢杆那樣容易掉到地上後折斷,所以普遍認為鎢合金飛鏢杆的壽命會比尼龍飛鏢杆長等優點。

鎢合金飛鏢杆的重量會比其他鏢杆大一些,有時會帶來飛行穩定性不好或著盤後鏢尾下垂等問題。但金屬鏢杆的問題是它如果掉到地上後被撞彎了就很難恢復。由於鎢合金飛鏢杆尾部插槽比較尖銳,或發生變形,特別容易造成尾翼的損耗。

 

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飛鏢趣味比賽(二)

在有些比賽中,對開局的第一鏢還有特殊的規定。一般要求第一鏢必須擊中雙倍區或三倍區。如果第一鏢沒有擊中雙倍區或三倍區,則由另一位選手投鏢。但是 目前大部分賽事已經不再作這樣的要求,特別是電視轉播的賽事,沒有必要讓選手一開始就承擔如此大的壓力,也為了避免可能出現的尷尬。

投鏢
在決定開局之後,兩名選手輪流投鏢。每位選手每一輪投擲3鏢,輪流進行,直至一方獲勝。選手投鏢時站立的位置有明顯的標誌線,稱為投鏢線(見圖24)。選手投鏢時雙腳不得越過此線,但身體可以前傾,手部可以越過此線。

計分
計分分加法和減法兩種。加法主要適用於比分數高低的遊戲中,通常將擊中的目標分數累積相加。一輪的分數為所投擲3鏢的分數之和,每一盤的分數為每一輪 的分數之和。在O1類的比賽中通常採用減扣的辦法。典型的如501比賽中,將選手每一輪的分數相加後,從501分扣除,率先扣至O分者為勝。
在比賽中,常出現不能計分的情況,主要有:
脫靶
通常應以飛鏢擊中鏢盤分數區並固定在鏢盤上,才可以計算成績。飛鏢擊中鏢盤後脫落不能計分。

爆鏢
指擊中的分數超過了結束比賽需擊中的分數,比如當你剩下30分時,只需擊中15的雙倍區就可以結束比賽。但你卻擊中了15的三倍或17的雙倍,這樣的分數就超過了剩下的30分,出現了爆鏢,這種情況下此輪的分數不計。

1分

當你發現最後一鏢只剩下1分,這種情況是比較尷尬的,但你必須擊中雙倍結束比賽,而任何一個分數的雙倍都超過1分,鏢盤上沒有O.5分。如果不幸出現這種情況,只能與對手協商,經對手同意可以不計此輪分數,或者去擊中1 1分這兩個1的中間部位。

 

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飛鏢趣味比賽(一)

飛鏢的玩法五花八門,多種多樣。不同的玩法有不同的規則,但基本的規則是一致的,比如賽制、開局投鏢、分數的計算等。其規則可歸納為以下幾點:
1.賽制
比賽通常有5局3勝、7局4勝、9局5勝等賽制。每一局又分為若干盤,有5盤3勝、7盤4勝、9盤5勝制。
在大型比賽中,參賽選手較多,進行的輪次也較多,所需的時間也比較長,因此在預賽和決賽階段常採用不同的賽制。預賽階段一般採用5局3勝制和5盤3勝 制,即選手每獲5盤3勝為贏得1局,5局中有3局獲勝則為最後的勝利者。決賽階段,選手的實力較為接近,比賽異常激烈,為了避免偶然性,通常採用7局4勝 制和5盤3勝制,或9局5勝和5盤3勝等賽制。2000年世界飛鏢錦標賽的決賽採用的就是9局5勝和5盤3勝賽制。

開局

兩名選手或兩組選手比賽通常以投鏢來決定哪一方首先開局。決定開局的方式有下列幾種:

比高分

兩名選手投鏢,投鏢的分數高者獲開局權。一般只投一鏢,以擊中的目標分數為准。如一方投鏢,擊中20的3倍區得60分,另一方如只擊中20分區,獲得60分的一方首先開局。

找紅心

有的比賽以投鏢離紅心的距離來決定哪一方首先開局。如一方擊中紅心,另一方擊中25分區,則擊中紅心的一方首先開局。

猜硬幣

與足球比賽一樣,根據硬幣的正反面決定哪一方先開局(見圖23)。據稱,英國著名的國際新聞錦標賽仍然採用這一方式來決定開局,它已成為一種傳統。

 

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飛鏢動作要領--瞄準的目標

抖動:幾乎每個初學者都會有相當大的抖動,職業選手和專家的飛鏢幾乎沒有有抖動。產生抖動的原因可能如下:

飛鏢在加速過程中不是沿抛物線軌跡。

飛鏢的鏢翼或鏢杆不符合空氣動力學原理。要解決這個問題,就要使用標準的鏢翼、中等長度的鏢杆。

你在投鏢時手臂抖了一下。

最有可能:在投擲過程中你的飛鏢箭頭向下了。

可能性比較小的:飛鏢箭頭向上指得太多了。

一定要記住的是:讓飛鏢沿抛物線軌跡飛行。用幾何學語言來說就是,在抛物線上的每一個位置,都要讓你的飛鏢沿著抛物線的切線方向。你不必把你的投擲過程錄下來,再在顯示器上畫出一條完美的曲線以幫助你取得好成績。你不必那麼麻煩,這完全是一種自然的本性,你可以自然而然地在實踐中進步我們的用石頭殺死野獸茹毛飲血的祖先給了我們這項寶貴的遺傳)。請注意:飛鏢在瞄準目標時應略抬起;抬起的角度在後移時要增大,在前移時要減小;當鏢脫手時幾乎是水準方向,但仍有一個很小的向上的角度。在任何時候,飛鏢鏢尖朝下是絕對錯誤的。 即讓你的眼睛、鏢、目標點對成一線。你必須瞄著目標,而不是飛鏢或參加俱樂部的漂亮女孩。很多投擲者很自然地就會去瞄準,但也有的新手從開始就不這樣做。一定要瞄準,這是保證成功一擲的第一步。:你必須保持肩部不動,也就是在投擲過程中,只有你的手臂是動的,身體的其他部分都應保持一定的姿勢不動。

 

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飛鏢動作要領--爭紅心

在擲飛鏢時,它是一條抛物線,就象一塊拋出的石頭或一顆射出的步槍子彈所循的路線一樣。

抛物線的曲率可大可小,意味著飛鏢飛行的高低,這取決於飛鏢投擲的力度。一次完美的投擲應該使飛鏢在加速時恰好沿抛物線,並且保證在飛鏢脫手後仍沿著原來的路線。

擲飛鏢爭紅心時,雙方各投一鏢,距紅心近者勝,並由其首先開始比賽。如雙方的鏢距紅心距離相同(或不宜判別)、都投在單倍紅心區或雙倍紅心區內,雙方需要重新 爭,投擲順序應予輪換。在先投者的鏢投在雙倍紅心區內時,後投者可要求其拔下鏢後再投,也可以不讓其拔鏢,如後者也將飛鏢投在雙倍紅心區內,算後者勝。如 在記分員未宣佈爭紅心的結果時,一方就拔出了鏢,則判鏢仍留在鏢盤上的一方獲勝。

 

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採用溶膠-凝膠法製備WO3薄膜

溶膠-凝膠法的原理是將前驅物溶于溶劑中形成均勻的溶液,溶質與溶劑發生水解反應後,水解產物經縮聚反應聚集成納米級粒子並組成溶膠,再將溶膠採用不同工藝製備成各種薄膜。溶膠-凝膠法製備材料具有工藝簡單、成本較低、低溫合成、化學均勻性好、材料形狀多樣等特點。目前溶膠-凝膠法製備WO3薄膜大致有:鎢酸鹽酸化法、鎢粉過氧化聚鎢酸法、鎢酸鹽的離子交換法、鎢的醇鹽水解法、氯化鎢的醇化法等幾種類型。葉輝等採用離子交換法從鎢酸鈉獲得鎢酸溶液,然後加入一定量的氨水和雙氧水用來穩定鍍膜液,用浸漬提拉法在ITO玻璃基片上成膜,150℃下烘烤30min,再反復塗膜,最後在350~500 ℃下熱處理2h,得到WO3薄膜。研究表明,加入一定量的氨水和雙氧水可以穩定鍍膜液和延長形成凝膠的時間。此外,WO3薄膜的製備方法還有光化學法、網板印刷法、濕電化學沉積法等。
 
 
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採用電沉積法製備WO3薄膜

電沉積法的原理是在電解液中通入電流進行電解,從而在工作電極表面得到沉積薄膜。Thierry採用電沉積法製備了WO3薄膜,Monk利用電沉積法成功製備了含多種金屬氧化物的WO3薄膜,並對其電致變色性能與純WO3薄膜進行了對比研究。該法製備WO3薄膜的基本過程為:將2g 金屬鎢粉(99.99%分析純)溶解在10mL且濃度為30%的過氧化氫溶液中,待放熱反應結束後,再添加100mL蒸餾水和20mL無水乙醇;以透明導電玻璃為工作電極,純淨鉑片為陽極,在450mV的電勢下電解60min,即可在工作電極上得到WO3薄膜。此外採用新鮮配製的Na2 WO4和H2 SO4 的懸浮液電沉積以及直接採用Na2WO4溶液電沉積,也可以製備出WO3薄膜。與其他方法相比,用電沉積法製備WO3薄膜,設備簡單,不需要高溫以及高真空度,可控性強。該法在製備複合氧化物薄膜上具有優勢,尤其是製備電負性較大的氧化物薄膜。
 
 
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採用化學氣相沉積法製備WO3薄膜

化學氣相沉積(CVD)是利用氣體原料在氣相中通過化學反應形成並經過成核、生長兩個階段合成薄膜、粒子、晶須等固體材料的工藝過程。CVD技術有多種,如快熱CVD、等離子體增強CVD、低壓CVD等。採用CVD製備WO3薄膜也是一種常用的方法。Maruyama等用W(CO)6作為原料,加熱到60~100 ℃,產生蒸氣,再用載氣N2將產生的蒸氣以300cm3/min的流速載入,W(CO)6在反應室中分解,可使WO3沉積到基底上。後來Ma-ruyama又採用P-CVD(photo-CVD)方法對化學氣相沉積進行了改進,在沉積過程中加入一低壓汞燈,增加了WO3沉積率並提高了薄膜品質。化學氣相沉積法具有多功能、工藝可控、過程連續且產品純度高等特點,但成本高,規模擴大困難,不適合薄膜的工業化製備。
 
 
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採用濺射法製備WO3薄膜

濺射法是用高能量惰性氣體離子轟擊固體表面(靶),使固體原子(或分子)從表面射出,並沉積到襯底或工件表面形成薄膜的方法,屬於物理氣相沉積的一種。濺射法又分為直流濺射、射頻濺射、磁控濺射、反應濺射、中頻濺射與脈衝濺射、偏壓濺射、離子束濺射等。其中磁控濺射技術因具有沉積速度較高、工作氣體壓力較低等特點而應用最為廣泛。AMonteiro等採用直流磁控反應濺射法在ITO玻璃襯底上沉積了WO3 薄膜,膜厚為360~570nm,是通過濺射出來的鎢原子與氧氣反應沉積而成的,研究表明該薄膜的光學特性與薄膜中的氧空位有很大關係。KAguir等採用交流磁控反應濺射法在SiO2/Si 襯底上沉積WO3 薄膜,金屬鎢作為靶,混合氣體為氧氣和氬氣,薄膜厚度約為50nm,在400 ℃溫度下進行退火處理,用於製作O3氣體感測器,研究表明該薄膜在一定溫度下對O3非常靈敏。AAAkl 等以鎢作靶材,ITO玻璃作為襯底,氣體為氧氣和氬氣的混合氣體,氧氣和氬氣的分壓分別為30%和70%,為了得到不同形態的薄膜,採用對襯底加熱和不加熱兩種實驗,最後得到無定形薄膜和晶體形態的薄膜,在無定形薄膜中發現有晶體顆粒的存在,且隨著襯底溫度的升高,晶體顆粒數量的增加要比其尺寸的增大更快一些,同時薄膜的電導率與薄膜成分中的氧含量有著密切關係。
 
用濺射法製備納米薄膜材料有以下優點:(1)可製備多種金屬包括高熔點和低熔點金屬的納米薄膜;(2)能製備多組元的化合物納米薄膜材料;(3)製備參數易控制、粒徑較均勻。但是該法的成本較高,不適宜大面積製備薄膜。
 
 
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採用真空蒸發法製備WO3薄膜

目前製備WO3 薄膜的方法有:蒸發法、濺射法、溶膠-凝膠法、電子束蒸發法、化學蒸氣沉積法、陽極氧化法、電沉積法、脈衝准分子鐳射沉積法、離子鍍法等。由於其中有的方法技術複雜、工藝條件苛刻,因此其應用受到限制。目前使用較多的是蒸發法、磁控濺射法、溶膠-凝膠法等。其中濺射法具有穩定、方便、快速、薄膜均勻等特點,蒸發法也具有快速、穩定、薄膜純度高的優點,但都存在儀器龐大、成本昂貴的問題,所以小型實驗室多採用儀器簡單、成本低、易大面積成膜的溶膠-凝膠法。
 
真空蒸發法的原理是在高真空條件和不同氣氛(高純惰性氣體)中,對WO3進行加熱蒸發,依靠氣態WO3在惰性氣體介質中冷凝形成微粒薄膜。Benjamin等採用此法成功研製成了WO3薄膜,基本過程為:在真空室中(~1.33×10-3Pa)加熱WO3粉末,蒸氣在基片上冷凝,即得WO3薄膜。薄膜的厚度及成膜速率可以通過膜厚監控儀監控。利用真空法製備WO3薄膜,加熱源也發展為電弧加熱、電子束加熱、雷射光束加熱等,其中電子束蒸發製備WO3薄膜得到了較好的發展。真空蒸發法製備的薄膜純度高、顆粒分散性好,通過改變、控制氣氛壓力和溫度,可制得顆粒尺寸不同的納米薄膜。但該法成本高,不適宜製備大面積的薄膜。
 
 
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