鎢冶金過程從鎢酸鈉溶液製備仲鎢酸銨（APT）主要經歷兩個步驟，純鎢酸銨溶液製備和仲鎢酸銨的結晶。純鎢酸銨的製備方法主要有三種：離子交換法、溶劑萃取法和經典法。本文提出一種工藝簡單、且能實現堿迴圈利用的方法，利用二氧化碳與鎢酸鈉-銨溶液體系反應，直接結晶製備仲鎢酸銨。

步驟：
1. 將氨氣或銨鹽或它們的水溶液加入到含三氧化鎢為15〜450g/L的鎢酸鈉溶液中製備成鎢酸鈉-銨溶液，其中銨的用量為按體系中鎢酸根轉變成仲鎢酸銨的化學計量的100〜200% ；
2. 向鎢酸鈉-銨溶液中通入壓力為0.02〜6Mpa的二氧化碳，在20〜100°C下保溫1〜72小時，得到含粗仲鎢酸銨晶體的漿液；
3. 將漿液固液分離，分離得到的溶液返回鎢精礦分解工序；
4. 將3步驟中分離得到的固體先用銨鹽溶液洗滌，洗滌溫度為20〜100°C，然後用水洗滌，得到仲鎢酸銨。

利用二氧化碳與鎢酸鈉-銨溶液體系反應，直接結晶製備APT具有如下優點：
1.可實現堿的迴圈，減少鎢提取冶金過程中的環境污染；
2.堿中和及仲鎢酸銨結晶一步完成，工藝簡單；
3.能耗低、成本低。

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本文提供一種既能有效地除鉬、又能提高的產品結晶率的生產仲鎢酸銨的方法——胍鹽分離法。

步驟：
1.原料及催化劑選擇，環境選擇；
起始原料：除矽後的工業鎢酸銨溶液；催化劑：二氧化矽（SiO₂）或矽酸；在pH＝7.0-8.0；
2.加熱陳化，濾去催化劑；
3.加入胍或胍的衍生物作沉澱劑，使鎢（W）形成胍鹽沉澱物（沉澱率達98%以上），而鉬（Mo）留在濾液中被除去（除鉬率達95%以上）；
4.過濾出沉澱物，用冷水洗滌數次；
5.將得到的胍鹽沉澱物加入氨水中，鎢成鎢酸銨溶液，而沉澱劑胍或胍衍生物則以固體形式存在。沉澱劑過濾，洗滌，可重複使用；
6.濾液鎢酸銨加熱至80°-100℃，便得仲鎢酸銨晶體，結晶率可達95%；濾去仲鎢酸銨後的飽和濾液可以返回至新鮮的鎢酸銨溶液中再次濃縮結晶，由此可以回收全部的鎢。
備註：在上述過程中控制沉澱的pH是重要的，pH值過低，會使部分鉬沉澱，降低除鉬效果；pH值過高，會使鎢沉澱不完全，降低鎢的回收率。

優點：有效地除去雜質鉬，廢除了傳統的用硫化物除鉬工序，消除了硫化氫污染；此外，與傳統的生產工藝相比，仲鎢酸銨一次結晶率可提高近20%，降低了成本；操作簡便、處理量大、投資少。

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通過分析熔滲後鎢銅合金電極顯微組織的掃描電鏡（SEM）照片，我們不難觀察到在相同的燒結溫度和保溫時間條件下，含銅量較高的樣品具有較小的平均晶粒度。這是由於銅含量的增加有益於鎢顆粒的重排，同時也促進了銅液的偏聚作用，從而使得樣品的組織成分分佈不均。而銅液的偏聚又會在一定程度上相應地造成鎢顆粒相互接觸，這也就達成了固相燒結的條件，會進一步引起鎢顆粒的團聚。該現象在鎢銅電極W-50Cu樣品中表現得尤為明顯，以下是微波熔滲法所製備的鎢銅合金電極掃面電鏡（SEM）照片，可見其鎢（W）晶粒的團聚現象是較為清晰直觀的：

與常規熔滲法下鎢銅合金W-Cu電極的樣品組織均勻性相比，微波熔滲法的升溫速度足夠快，更加有利於促進銅液的流動以及組織的均勻分佈，因而具有更好的組織均勻性和結構穩定性。此外，在含銅量較低的微波熔滲法鎢銅合金電極樣品中還可較為清晰地觀察出有彌散分佈的棒狀細長的鎢W晶粒生成；而常規含銅量較低的常規熔滲下的鎢銅合金電極燒結樣品鎢W晶粒分佈不均，且呈近球形或卵形，既有較大尺寸的鎢晶粒，也存在不少細小的鎢晶粒。據此，我們還可以做出進一步推斷，常規熔滲對於顯微組織產生的不利影響與其較為緩慢的升溫速度存在一定的關聯（常規熔滲升溫速率通常為5℃/min，而微波熔滲法的升溫速率通常為30℃/min）。

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上周全國9家錫企決定2016年減產1.7萬噸,占全國產量約12%,預計未來不排除商業收儲可能性,減產、收儲有望改善錫供需狀況。1月29日,工信部、發改委等12部委以及6大稀土集團將召開座談會,研究確定“十三五”發展思路和目標任務,部署2016年主要任務和重點工作。

採用表面敏化的方式提升三氧化鎢（WO₃）的光電轉換性能。將一定的材料負載於三氧化鎢（WO₃）半導體表面，從而提高對光吸收與轉換能力。表面敏化的原理與半導體複合比較相似，但是對光進行吸收轉換的主材料由氧化鎢變為光敏劑，而且所選的光敏劑必須要滿足兩點要求：（1）本身的禁帶寬度必須小於WO₃的；（2）能級導帶的位置一般要負於WO₃的導帶。目前發現滿足條件並被採用的半導體主要有Fe₂O₃、Cu₂O、CdS等。

採用半導體複合的形式來提高WO₃的光電轉換性能。半導體複合是將兩種或兩種以上的半導體採用物理或化學將兩者結合起來，是一種比較常見、有效的提升材料某一特定性能的方式，同時也能採用複合材料的方式來提升光電轉換性能。為了提升機光電轉換性能一般會採用的複合材料為金屬氧化物，總之通過半導體的複合，能使光生電子或者空穴分別聚集於兩種半導體導帶或者價帶上，從而使電子與空穴有效地分離，進而提高複合半導體光電轉換效率。為了提升半導體的光電轉換效率。除了採用金屬氧化物，還能採用石墨烯，經研究採用石墨烯作為電子傳遞介質，可以提高半導體材料中電子的遷移速度的同時降低光生再留在複合的概率。從而提升WO₃半導體材料的光電轉化效率。

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以貴重金屬作為三氧化鎢（WO₃）的表面負載能提高光電性能。比較常見負載貴金屬的方式為濺射法、光沉積法、液相吸附法、氫磞化物還原以及脈衝電沉積法等。負載貴金屬並不是只能負載一種，曾經有學者研究報導了採用多種貴金屬一同沉積於WO₃表面或者採用分層方式依次沉積。經過眾多學者的研究發現當負載貴金屬為Ag時，WO₃的光電性能提升最為明顯，當光線照射在WO₃表面時，電子得到能量會先從價帶躍遷到 導帶上，然後再遷移到Ag納米顆粒上，使光生電子富集，降低電子-空穴複合的概率。

摻雜離子可提高WO₃的光電性能。離子摻雜主要是通過陽離子與陰離子進入到WO₃晶格內部，替代WO₃半導體中的W+鎢離子或者O₂-氧離子來影響電子的激發以及電子-空穴分離。研究發現摻雜Cr、Mo這些等價金屬替代晶格中的W原子，不但對晶格的幾何結構影響小，而且使導帶的底部下移，減小帶隙；當摻雜Ti、Zr、Hf，這些價態小於W金屬的金屬材料時，會在O氧原子的2P軌道上形成兩個空位，形成氧空穴，並且使價帶的頂端上移，由於這三種金屬的原子半徑都大於W原子，會造成導帶的底部上移，但是從整體上來說禁帶寬度因為摻雜而減少。

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三氧化鎢（WO₃）是一種半導體材料，半導體材料在進行光電轉換主要分為三個步驟：材料吸收光、電子從光子得到能量發生躍遷與空穴分離以及電子傳輸到外部電路。作為光電轉換材料的WO₃受到許多研究工作者的關注，對WO₃的光電轉換性能進行優化與改進，最經常出現的有以下幾種方式：對WO₃維度與形貌進行調控、貴重金屬作為WO₃表面負載、摻雜其他物質、表面敏化、製成複合材料等。

對WO₃的維度與形貌進行調控，提高光電轉換效率。一維的納米結構材料相比塊狀材料具有更大的表面積以及提供了定向傳輸電子，因此會表現出更好的光電性能。同時學者們也製備出了具有相同優點的二維材料、多孔材料等。
（1）一維WO₃材料，學者們通過對一維納米WO₃的大量研究與實驗，發現以NaWO₄•2H₂O為鎢源，NaCl、NaSO₄、EDTA和草酸等為添加劑或者結構導向劑；或者採用六氯化鎢作為鎢源添加到乙醇中，都能製備出一維 WO₃納米棒；
（2）二維握材料，二維WO₃比較常見的製備兩種方式為：直接生長二維WO₃或者在導電玻璃上負載，而且大多數都為片狀陣列；
（3）花狀WO₃材料，採用水熱法製備，以偏酸銨作為原料，鹽酸酸化後以十六烷基三甲基溴化銨（CTAB）為結構的導向劑，就能製備出花狀正交晶系的WO₃；
（4）多孔WO₃材料，多孔WO₃薄膜具有更高的表面積比；
（5）其他形貌，如樹葉狀顆粒、海膽狀的絮狀物。

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鎢絲作為電光源的配套材料在照明行業中發揮著重要作用。鎢絲在電光源中的應用主要是照明燈，其中用於燈泡中作各種發光體的鎢絲需要在製備過程中加入少量的鉀、矽和鋁等氧化物，因此這種鎢絲也被稱為摻雜鎢絲或不下垂鎢絲。隨著經濟和生產技術的發展，製備出來的鎢絲除了能應用於普通燈泡外，也能應用於各種高性能燈泡。例如在純鎢粉中摻雜一定量的K、Al、Si等元素製成的摻雜鎢絲，不僅可以提高燈絲的色溫、發光效率和使用壽命，且該鎢絲具有良好的高溫抗下垂性能，因此可以作為鹵素燈等特殊的高溫燈絲使用。另外在摻雜鎢絲中添加一些合金元素如Co，可製成高強度耐震鎢絲，用於振動環境下的照明，如摩托車、汽車、火車、飛機等的照明及軍事用途的特種燈泡、航空航太發動機用加熱絲等。

鎢絲除了廣泛應用於電光源領域，在其他其他領域也有所發展。在純鎢粉或摻雜鎢粉中添加一些合金元素，如釷、錸、鈰、釔、鑭或鋯等元素可以製成合金鎢絲，合金鎢絲可以作為氬弧焊接電極、熱電偶、顯像管陰極絲、電子發射管燈絲，用於各種不同的領域。

另外，鎢絲還少量用作高溫爐的發熱材料、電子管的熱子和複合材料的加強筋。

鎢絲在常溫下有較好的耐酸、堿能力，但是在潮濕的空氣中容易被氧化，所以不能將其放置與潮濕的環境中貯存過久的時間。

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