磁気空のスパッタリング法を通して三酸化タングステンナノフィルムを調製する。その平均の粒度径は100nmより小さい。三酸化タングステンナノフィルムの大きさと磁気射条件と処理温度に関する。研究者の実験を経て発見して、スパッタリングは三酸化タングステンナノフィルム時、スパッタガス量と割合はガス敏特性をを高めるが大切な影響を持つ。

XPSの分析を通じて分かて、スパッタ混合ガス（O2/Ar）の割合が違うけど、W4f/2とOlsの結合は変化なく、それが35.5eVと530.6eVである。そして、WO3ナノフィルムは化学計量の変化を起きていない。しかし、O2の分圧の違うによって、WO3ナノフィルムのマイクロ構造が大きく変化がある。この現象は団欒の減少で解釈することができる。つまりO2の分圧が増えた時、結晶の粒径が小さくなる。しかし、もしO2の分圧は50％より大きく、空隙率の低下につながて、オリジナルの感度も低下する。この説明はベストスパッタリング混合割合は1：1である。だから、スパッタ混合ガス（O2/Ar）の比は1：1時、直流反応マグネトロンスパッタ法を採用して三酸化タングステンナノフィルムを調製するのはガスの鋭さが最高だ。

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三酸化タングステンの電界変色フィルムは現代社会に広く使われるので、その性能を高めてその広範な使用が重要な作用がある。三酸化タングステンの電界変色の応答性能を高めるのはイオンが材料内の拡散と輸送時間を短縮する。しかも、ゾルゲル法とマグネトロンスパッタ法を運用するのほか、研究が深く入るにとともに、今はたくさんの調製方法が三酸化タングステン電界変色フィルムを高めいるに大きく改善がある。例えばフィラメント化学気象堆積法で電界変色のフィルムを調製する。

実験を経て、マグネトロンスパッタ法で調製するの三酸化タングステンナノフィルムは二つの熱処理をして調製したWO3ナノ膜の性能をより安定する。だから熱処理の温度はWO3ナノフィルムの調製が重要な影響がある。

基片にスパッタリングのフィルムは最初に無定型の構造で、いかなるガスもない敏感ので、フィルムを熱処理が必要する。熱処理を後にフィルムは多結晶構造で、安定性が改善する。

実験を通して発見したのは熱処理の温度300℃の時に、サイズが20～70nmのWO3のナノ結晶のフィルムを生成して、更に600℃を経て熱処理は性能が良いナノフィルムを得られる。熱処理は300℃以上で時、平均の粒度と裂けサイズも増加で、感度が低下させる。だが、二つの熱処理はその現象を避けることができる。しかも、実験を通して第二の熱処理は600℃の条件で処理してフィルム粒径が大きくなったり割れの出現を発見しない。これ見ると、二つの熱処理法で調製したの三酸化タングステンフィルムは高温で調製したのフィルムの性能がより良いことである。

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三酸化タングステンの電界変色の応答時間はイオンあるいわ電子によって材料内部の拡散、輸送のスピートに決まる。イオンのサイズは電子より大きくから、イオンの輸送と拡散は全体の電界変色の過程の中で最も緩やかなコーナーである。だから、三酸化タングステンの電界変色の応答性能を高めるのはイオンが材料内の拡散と輸送時間を短縮する。

イオンは注入/抽出の速度を抑えるの要素が主に二つである。一方、イオンの拡散の係数である。次はイオンの拡散のルートである。研究が深く入るに従って、、現在WO3フィルムの高速応答性能を高めるのは、主からWO3フィルムのミクロ構造を変化に着手する。例えばゾルゲル法を利用してWO3・H 2Oを調製する。（WO4）2の週りに水の分子を取り囲むので、活性のイオン（H +、Li +）がより拡散しやすい。それによってそれなりの時間を短縮する。電界変色メカニズムはイオン、電子双注入/抽出電界の変色薄膜ので、アップフィルムの表面積をフィルムの電界変色性能を高めることができる。実験を表明し、三酸化タングステンフィルムの安定性と応答速度も大きな向上がある。

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