离子交换能力是离子膜的重要特性，这一特性随着离子交换材料的添加而增强。由于磺酸基（SO3H）的贡献，纯SPEEK膜的IEC值为1.9meq g^-1。在磺化聚醚醚酮（SPEEK）膜中增加钨酸氧化钛纳米管（W-TNT）的含量可提高燃料电池离子交换能力。

二碲化钨纳米片（WTe2纳米片）凭借着其良好的半金属性能、较强的电子传输能力以及较多的活性位点等优势，有望成为电化学析氢反应的重要催化剂。因此，文档序号为23479949的专利的研究者提供了一种操作简单、成本低廉且程序可控的生产方法，具体步骤如下：

二碲化钨（Tungsten ditelluride，WTe2）是过渡金属钨的一种重要化合物，除了具有良好的超导性、热电性、催化性和热化学稳定性之外，还具有极为出色的巨磁阻效应。

作为过渡金属硫族化合物的典型层状材料，二碲化钨（WTe2）具有与石墨烯（C）和二硫化钨（WS2）相似的层状结构，即层与层之间是靠范德瓦尔斯相互作用耦合的，每一层都会沿着c轴堆叠，层内上下碲原子层中间是钨原子层，钨原子和碲原子之间用共价键连接，一个钨原子被6个碲原子和两个钨原子包围。结构的特殊性，赋予了WTe2材料良好的热学、力学、光学、电学和化学等性能，使之广泛应用于光电领域。

二碲化钨（WTe2）是具有层状结构的过渡金属硫族化合物，具有良好的超导电性、热电性能和巨磁阻效应，广泛应用于在存储器、电容器和传感器等产品中。但是，目前所制备的WTe2产品基本上是二维结构，很少有一维结构的纳米线。因此，专利号为CN109267036B的研究者提供了一种二碲化钨纳米线的生产方法，具体步骤如下：

在各种二维材料中，氧化钛纳米管（TiO2纳米管）是稳定和环保的，其电子、光学和介电性能可以通过表面改性来调整。研究人员利用钨酸与氧化钛纳米管（W-TNT）共价键合，首次作为离子交换填料用于制造质子交换复合膜。钨酸基（H2WO4）含有类似磺酸基（SO3H）的可交换质子，也可以作为离子交换器。

研究人员通过水热法合成了氧化钛纳米管（Titanium oxide nanotubes, TNT），并在其表面共价接枝了钨酸（离子交换基）。合成的钨酸功能化TNT（W-TNT）通过SEM、TEM、XRD分析表征了纳米管的形态，并通过FTIR和固态核磁共振技术确认是否成功接枝。

二硅化钼电热元件是一种以二硅化钼（MoSi2）为基础的发热元件，具有耐高温、抗腐蚀、气密性好、耐热冲击、使用寿命长等优良特性，可以用作陶瓷、玻璃、冶金、磁性材料、耐火材料等工业高温炉的加热元件。

二硅化钼电热元件也称作硅钼棒或二硅化钼发热元件，是一种以二硅化钼（MoSi2）为基础的优良电阻发热元件，具有耐高温、低老化、抗氧化等特点，常用于各种热处理炉、义齿烧结炉、实验电炉、真空炉、隧道窑、辊道窑、铸造炉、冶炼炉、玻璃窑炉等各种高温设备。

与二硅化钨（WSi2）粉末一样，二硅化钼粉也是由1个过渡金属原子（钨与钼均属￿过渡金属元素）和2个非金属硅原子共同组合成的一种无机化合物，是一种黑色粉末，英文名为Molybdenum disilicide powder，化学式为MoSi2，分子量152.11，纯度高达99.9%，晶体结构为四方形，CAS号为12136-78-6。