本发明提供一种适用于切削工具的超细晶金刚石涂层的制备方法。具体步骤如下：

1）将切削工具基体装入沉积反应室内；

2）将沉积反应室抽成真空状态；

3）在沉积反应室内形成磁场；

4）向安装在沉积反应室内的阴极、阳极之 间施加高电流直流电弧以及向沉积反应室内通入氩气Ａｒ、氢气Ｈ2和甲烷ＣＨ4三种气体；其中，施加的电弧电流为１５０Ａ～２５０Ａ；通入的甲烷ＣＨ4／氢气Ｈ2的比例为０．５～１０％；通入的氩气Ａｒ流量 为２０００～４０００ｓｃｃｍ；

5）在沉积反应室中，气体ＣＨ4在电弧的作用下会产生碳Ｃ自由基，在一定的温度条件下碳Ｃ自由基沉积到切削工具基体表面转换成多晶金刚石薄膜；其中，沉积反应室内的温度为６００℃～１０００℃；工作压力为０．９ｍｂａｒ～２ｍｂａｒ；沉积时间为３～３０ｈ。

本发明通过控制沉积反应室内的温度（６００℃～１０００℃）、工作压力（０．９ｍｂａｒ～２ｍｂａｒ）、气体流量、沉积时间（３～３０ｈ）等工艺参数，从而控制金刚石晶粒生长，得到大约为０．３～１μｍ晶粒细小的金刚石涂层，从而使得涂有该金刚石涂层的切削工具性能更佳、加工寿命更长。

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本发明提供一种粉末压力烧结制备铬钨固溶体合金材料的方法，其特征在于：

该材料的显微组织为单相铬钨固溶体。

具体步骤如下：

1）选取粒径为６～１０μｍ，纯度大于９９．９％，含氧量为５００～８００ｐｐｍ的钨粉；选取粒径为４５～１００μｍ，纯度大 于９９．９％，含氧量为８００～１５００ｐｐｍ的铬粉，按质量比钨粉５０％～９３％、铬粉７％～５０％的比例放入混料机中；

2）在混料机的钨粉、铬粉中按钨粉、铬粉总质量的２～５％添加过程控制剂，在混料机中混合３．５～５小时，所述的过程控制剂 为易挥发性有机溶剂；

3）将上步混合均匀的粉料制粒；

4）将制粒后的粉料进行模压或冷等静压，压力不小于５０ＭＰａ，坯料尽量压实；

5）将压制好的坯料在氢气保护下９００℃～９８０℃还原５０～９０分钟后，１４５０℃～１６００℃ 热压烧结或热等静压烧结２～４小时，即制成铬钨固溶体合金材料。

本发明制备得到的铬钨固溶体合金组织细小，结构致密，具有高的硬度，低的截流值和很高的耐电压强度。

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本发明提供一种单质钨膜的制备方法，其包括以下工艺：

将基体加热至１００～１５０℃；然后在磁控溅射设备中，氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜。

由本发明方法制备的单质钨膜纳米力学性能均匀优异，纳米硬度是钨块硬度的三倍以上，组织紧密，分布均匀，防护性能良好且钨膜晶粒较细，具有较多的晶界，与基体结合良好，从而更有利于进一步渗硫处理时得到ＷＳ2固体润滑薄膜，本发明所述磁控溅射方法操作简便，技术可靠，可适用广泛的薄膜制备。

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本发明提供一种细晶无磁钨－铜合金的活化烧结制备方法。其特征在于：

采用钨铜复合粉末为原料，然后将钨铜粉末模压成型为所需形状的坯体，再经冷等静压处理，制备成相对密度为５０％－７０％的坯体，将坯体放在烧结炉中，在氢气气氛或氢气和保护性气氛混合气氛下，保护性气氛为高纯氮气或氩气，再以５℃／分钟的升温速率生温至３７５－４００℃，保温１小时脱出成型剂，最后低温活化烧结而成。

其中，低温活化烧结工艺要求如下：

１）以５℃／分钟的升温速率从３７５－４００℃升温到８００℃，保温１小时；

２） 以５℃／分钟的升温速率从８００℃升温到９００℃，保温１小时；

３）以１℃／分钟的升温速率从９００℃升温到１０９０℃；

４）以３℃／分钟的升温速率从１０９０℃升温到烧结温度１１００－１３４０℃，保温时间为４０－６０分钟；

５）当温度降低到１０００℃时，通入高纯氩气或氮气一种作保护气氛，消除氢脆影响，随炉冷却至室温。

本发明制备的高密度钨－铜合金具有优良的力学性能和热导率，有效防止了铜的偏析，具有晶粒度细，高强度、高塑性和热导率。

本发明工艺简洁、容易控制、没有污染、投资成本低、能耗小、适合于工业化规模生产。

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