本发明提供一种改进的钨插销结构的工艺流程。传统的钨插销工艺是随着集成电路工艺特征线宽缩小的要求而发展起来的，主要解决铝物理气相沉积而产生的现象。步骤如下：

1）采用物理气相沉积的方法淀积钨和其化合物作为扩散阻挡层；

2）经退火后，仅用氢气还原六氟化钨的化学气相沉积方法填充接触孔（CONTACT）和对接孔（VIA），形成钨插销（PLUG）结构。

该技术从而简化了流程，提高了生产率，降低了费用，提高了安全性，具有填充效果好、集成度高的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、价格昂贵、生产效率低和控制困难的问题，其中较为突出的是在钛和氮化钛淀积、钨的化学气相沉积方法中需要多步进行而导致的问题。

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本发明提供一种形成钨布线的方法。在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模，以减少对钨结层的厚度限制。步骤如下：

1）在半导体衬底上形成金属布线；

2）形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露金属布线层上相应于将形成金属布线的部分；

3）固化光致抗蚀剂膜图形；

4）在金属布线层暴露的部分上选择性地形成金属薄膜；

5）利用氯基等离子体对金属薄膜进行处理，从而形成金属氯化物薄膜；

6）除去光致抗蚀剂膜图形；

7）将金属氯化物薄膜作为掩模对金属布线层进行刻蚀；

8）除去金属氯化物薄膜形成钨布线。

本发明提供足够的工艺余量，从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。

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本发明提供一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法。步骤如下：

1）提供一半导体基底，其包含有至少一钨插塞及一内金属介电层；

2）钨金属的化学机械研磨制程的前段研磨，采用标准钨研磨浆，于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行； 

3）钨金属的化学机械研磨制程的后段研磨，采用一氧化物研磨浆（使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量），于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行。

本发明可以避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。

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本发明提供一种钨基高比重合金板的制备方法。步骤如下：　　　　

1）将Fsss费氏平均粒度在2.8~3.2μｍ的钨（W）粉与镍（Ni）粉、铁（Fe）粉、微量的钴（Co）粉和钇（Y）粉混料机内混料压坯；

2）将坯料在氢气体保护下，烧结炉内在以15℃/min速率升温至1490℃~1500℃保温2小时制得板坯；

3）将制得的板坯用不锈钢板作为包套材料，进行包套轧制。

注：轧制温度为700℃~900℃，开坯时第一道次的加工率为25%~30%，随后每道次加工率为18%~23%，总加工率达45%~50%时在真空度为6×10^-3Pa，温度为1000℃~1250℃条件下，保温1~2ｈ进行真空热处理来消除应力；随后选择在700℃~900℃进行轧制，每道次加工率达到20%~25%之间，总加工率达到70%~80%时可获得良好的中间板材；再采用1000℃~1100℃温度退火，进行最终轧制后。

本发明获得的钨基高比重合金板具有优异机械性能，可广泛应用于医疗电子、核军工、化学冶金、机械加工等行业的生产流程少，适于批量化生产W-Ni-Fe板材。

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