为了提高氧化钨的光电化学性能，通常从以下几个方面出发：
(1)在WO₃上负载贵金属单质，如Pt，Ag，Au等。把WO₃涂在嵌有Ag网格的FTO上，测得的光电流密度是没有嵌Ag网格时的2倍；
(2)在WO₃体内掺杂适量的金属离子或非金属离子，用Ta⁵⁺离子掺杂WO₃光电极，实验表明Ta5+掺杂后的WO₃比纯的WO₃的光电转换效率更高；
(3)将WO₃与其他无机半导体材料复合，采用浸渍法制备得到CuO/WO₃复合材料，光催化实验表明，可见光下CuO/WO₃比TiO2表现出更高的光催化降解乙醛活性。
(4)将WO₃与有机材料进行复合。可通过电化学方法分别合成制备出PBrT/WO₃和PMOT/WO₃复合材料，通过电化学测试表明这两种复合材料与单纯的WO₃、PBrT以及PMOT相比，电化学活性均得到显著提高。

本文主要研究Zn离子对电沉积纳米WO₃薄膜光电极的光电化学性能影响。采用简单的阴极电沉积－浸渍法，在空气中经450℃热处理3h后制备得到锌修饰氧化钨（记作Zn-WO₃）薄膜光电极。经过光电化学和光电催化活性测试，发现适量的Zn修饰WO₃光电极，其光电流和光电催化活性与纯的WO₃相比，均有显著提高。

制备方法：
（1）Pt电极为对电极，饱和的甘汞电极（SEC）为参比电极，清洗干净的氧化铟锡导电玻璃为工作电极。电沉积在室温条件下进行，所加电压为-0.6V，沉积时间为1h，得到蓝色无定形的WO₃-x·nH₂O薄膜。
（2）在空气中晾干后，将无定形的WO₃-x·nH₂O薄膜置于马弗炉中，在450℃下退火3h，升温速率约为2℃·min-1，最后得到WO3薄膜光电极。
（3）Zn修饰WO3电极（记作Zn-WO₃）制备采用电沉积-浸渍法，即将上述电沉积得到的无定形WO₃-x·nH₂O薄膜置于5mM的Zn(NO₃)₂溶液中浸渍。在空气中晾干后，将含有Zn的WO₃薄膜置于马弗炉中在上述相同条件下退火，最后得到锌修饰氧化钨薄膜电极。

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钨铜合金材料因其具有钨高硬度、高密度、高强度、低热膨胀系数以及优良的耐磨耐蚀性，还具有铜优良的可塑性以及导电导热性，在高压开关、断路器以及仪器仪表中担负着负载电流以及电路的连通与断开的重要角色。由于原材料以及生产工艺中存在着一定的缺陷，使得材料的机械性能和物理性能受到一定的影响，从而在电弧侵蚀过程中发生熔化和飞溅并在热力作用下产生裂纹或扩展，最终整个电触头发生工作失效，电气设备发生故障。因此，分析钨铜触头材料裂纹产生的主要因素，在实际生产中有着十分重要的意义。

通常来说，钨铜触头的主要生产工艺包括固相烧结-复压-复烧、液相烧结-复压-复烧、熔渗-机加工以及预烧W骨架-熔融浸渍-机加工等。这几种工艺在电弧作用以前也会存在一定的显微缺陷， 如闭孔、W颗粒内部裂纹、W/Cu界面等。而通过实验发现，预烧W骨架的工艺对材料的机械和力学性能最为有利。因为此时的W颗粒不再是单独分散的粒子，而是经过高温烧结作用形成的骨架，这样的结构对于抵抗机械冲击以及抵抗裂纹扩展都是十分有效的。在电弧燃烧的过程中钨铜触头内部因存在一定的孔隙缺陷而形成裂纹的起源以及裂纹的扩展。常温下，孔隙中的气体相对稳定，但是在电弧高温作用下，气体压力大幅增加，对已存在的微裂纹产生撕裂力，促使其发生扩展。另外，W粉的在烧结作用也不能忽视。当钨和铜所形成的毛细管中的Cu在电弧作用下飞溅或蒸发，表面的某些W粒子会裸露与介质中并发生在烧结的现象。表面效应使得W粒子球化或表面转移，不可避免地会产生W骨架之间的裂纹，并逐渐深入至触头内部。

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