氧化锌在蓝宝石上异质外延中化学气相沉积取向关系

用CVD法在氧化锌中的异质外延生长的各向异性进行了研究球面和透镜形状的蓝宝石基板上。 氧化锌的层形成含有蓝宝石基板的各种取向的单结晶许多地区的地图。通过结合等效类型这些地区,在氧化锌和蓝宝石之间的方位关系,六种不同的模式进行区分和分类。还研究了生长温度和对多种气体的反应速度和这些区域的程度的影响。结果,通过立体投影画,可提供用于选择和准备基板飞机取得高品质,即表面光滑,完美的高,高电子迁移率等具体的氧化锌的实用指南。

化学气相蓝宝石上(SOS)的低温沉积硅0.25 μm厚植入28Si +和通过炉内退火(FA ),并在实验室红外快速热退火(RTA)进行重结晶在固相上。可以同时使用退火方法得到的结晶质量的改善。 FA之后,就很难保持固有的高电阻率值( Ω 104-105厘米)中观察到的生长的SOS膜,所以改进的过程,不能投入实际使用有效。然而,可以证明,通过适当地调节注入和RTA的条件下,在两种膜质量和膜自动搀杂显著改善可以完成。这项工作介绍了改性双固相外延,其中作为土生土长的SOS薄膜的内在高电阻率被保留的过程。抑制铝自掺杂的机理进行了讨论。


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钛掺杂蓝宝石(Al2O3)的由泡生技术及光学特性生长单晶

使用维尔纳和泡生法生长的蓝宝石(α-Al2O3)的单晶用电子顺磁共振和γ-射线光谱学,12 MeV的轫致辐射激发了分蓝宝石单晶析。它是建立在由泡生法在钼 - 钨坩埚中生长的最终蓝宝石单晶不受控制的杂质都从初始材料,并从炉和坩埚的材料供给。

透明的高光学质量和大型钛蓝宝石(TI3 +掺杂Al2O3)的单晶已经为光放大长大的泡生法(KT)。本工作表明,通过KT生长技术的使用和生长条件的优化是可能的生长的Ti掺杂的氧化铝,直径100毫米和5公斤重量。我们已经证明,大量的Ti(0.25原子%)掺Al2O3晶体显示出高的化学均匀性和良好的光学性能和放大能量没有任何特殊的退火。钛掺杂的蓝宝石晶体的高功率激光应用,特别是对曾经从激光振荡器产生的最短脉冲。


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大面积的独立的氮化镓基板由氮化镓构成的天然应力诱发的分离和蓝宝石形成

涉及独立式氮化镓衬底由一种天然分离机构,有效地省去了后期生长工艺如激光剥离,化学蚀刻或机械研磨,以形蓝宝石基板成独立式的氮化镓衬底的形成。一个数字的氮化镓厚膜的由氢化物气相外延(HVPE)方法,从200微米到3.8毫米使用一个低温氮化镓或氮化铝缓冲的成核步骤厚度不同生长到蓝宝石基板上。我们已经发现,生长在低温氮化镓缓冲样品自然从蓝宝石基板生长后剥离在所研究的整个厚度范围内。此外,我们还观察到,较薄的膜具有高的裂纹密度导致几个较小的独立的片层间剥离。作为在氮化镓厚度的增加,剥离片的面积也增加,最终导致初始蓝宝石衬底面积和独立氮化镓区域之间的1对1的关系。然而,上生长的氮化铝缓冲的氮化镓薄膜没有脱层。这些结果是通过计算热应力的氮化镓薄膜和衬底作为使用的Stoney方程薄膜厚度的函数,并假设在氮化镓缓冲经历分解在生长温度下评价。

氮化镓纳米线通过氢化物气相外延催化成长是证明。镍 - 金被用作催化剂。纳米线的生长被限制在图案化的催化剂区域。用透射电子显微镜,X-射线衍射和低温光致发光的纳米线的表征表明,该纳米线是化学计量2H-氮化镓单结晶中的方向生长在蓝宝石上生长时,偶尔堆垛层错沿着c轴在大多数的电线作为唯一的缺陷型观察。红移的光致发光观察太大,仅靠观察到的微小应变来解释,而只是轻微受温度影响,提示几个因素的叠加。


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氧化锌晶须/点在蓝宝石衬底上生长的定位

微纳米氧化锌晶须和点都用金/铂催化剂阵列被选择性地生长在蓝宝石衬底。催化剂阵列的制作是采用纳米压痕测试蓝宝石衬底仪,它比传统的微纳米制造技术简单。电流加热(ECH )方法被用于提供氧化锌的来源从加热的氧化锌陶瓷棒至约1000 ℃。胡须和点生长在一个金像炉内的气 - 液 - 固(VLS )生长模式。 SEM图像识别中在940 ℃下生长的晶体结构的巨大差异,具体来说,晶须的金催化剂和点的铂催化剂。

晶须的特征在于直径为10纳米至亚微米,长度从亚微米到几十微米。但是,点具有约100nm的均一直径。我们发现增长开始在阵列金催化剂的位置。与此相反,点形成,但没有晶须周围铂催化剂观察到。这些功能在不同的催化剂熔点的术语解释: VLS生长在940 ℃下实现的金催化剂,但不为铂催化剂卓越的品质氧化锌晶须和点晶是由微型光致发光( PL)测量证实。


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80毫米EFG圆顶蓝宝石毛坯产生高品质低成本的单晶圆顶

密切注意在生长过程中的晶体的热环境的晶体生长参数和特性,导致改善的EFG生长的圆顶坯的晶体结构。这些近蓝宝石毛坯净成形80毫米蓝宝石毛坯已经制造生产出高品质的成品圆顶。热膨胀系数(CTE) ,导热系数,光学散射,雨水冲刷和折射率(DN/DT )的热膨胀系数作为波长的函数的新的测量已经完成和数据列。

压力和不断增长的薄壁,多边形管的变形动态三维有限元模拟。作为一个例子,八角硅管由边缘限定薄膜供给生长(EFG )方法的生长选择。在用厚管中的几100μm量级生长过程中不断增加的应变能由壁的挠度以规则间隔周期性地减小。对变形行为的各种温度分布的影响进行了研究。这种模式的EFG生长硅八角形的适用性是通过实验观察的方式进行讨论。


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