为什么掺杂三氧化钨陶瓷
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年12月21日 星期一 18:02
- 作者:huahuo
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三氧化钨为一种常用的金属陶瓷,金属陶瓷具有密度小、硬度高、耐磨、导热性好,兼有陶瓷和金属的优点,金属陶瓷既具有金属的韧性、高导热性和良好的热稳定性,又具有陶瓷的耐高温 、耐腐蚀和耐磨损等特性。三氧化钨陶瓷不仅具有一般金属陶瓷的特性还具有压敏特性,研究者为了提高三氧化钨陶瓷的压敏特性,一般会选择掺杂的方式,合适的添加掺杂物对陶瓷优良压敏特性的形成起了关键的作用。一般情况会下压敏陶瓷中添加掺杂元素主要要以下三个目的:
(1)三氧化钨陶瓷烧结性能差,掺杂的方式能改变三氧化钨陶瓷烧结性能,达到助烧结目的,没有掺杂烧结三氧化钨陶瓷不能致密化。例如,低熔点金属氧化钨能在三氧化钨陶瓷烧结的过程中形成液相来促进三氧化钨陶瓷的致密化。(2)三氧化钨陶瓷之所以存在压敏特性,是因为晶粒内部与外表面存在不同的缺陷,使得内外电阻率不同,通过控制掺杂元素的种类、掺杂量等间接控制缺陷的种类与分布,缺陷对压敏特性其至关重要。(4)掺杂元素能控制晶粒生长的情况,调节压敏电压大小。Bi、Co、Sb和Pr等过渡金属是能显著地改善陶瓷结烧性能与压敏性能的掺杂元素。
掺杂Bi2O3和Pr6O11可以有效地提高三氧化钨的烧结性能但是为了能获得高致密性以及压敏特性优良的三氧化钨陶瓷,需要在其基础上,进一步寻找合适的掺杂元素来提高三氧化钨陶瓷的压敏特性。
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三氧化钨陶瓷压敏特性2/2
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- 发布于 2015年12月21日 星期一 18:00
- 作者:huahuo
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三氧化钨陶瓷压敏特性明显不同于传统的压敏陶瓷(如ZnO与SnO2基陶瓷),传统压敏陶瓷之所以产生压敏行为是由晶界掺杂的元素作用形成势垒。而三氧化钨陶瓷的压敏行为可解释为:晶粒表面发生氧化作用形成势垒。这种势垒主要起源于烧结陶瓷过程中晶粒内部与表面热处理后温度下降时间与氧含量情况不同造成晶粒表面与内部存在不同的缺陷,使得晶粒表面与晶粒内部形成巨大的电阻值差异。因此三氧化钨陶瓷晶粒表面与内部形成一个结,外加电场时,电子穿过该结时会形成势垒,导致三氧化钨陶瓷出现压敏行为。
当三氧化钨陶瓷经过高温淬火,晶粒的内部与外表面的缺陷受热后会被迅速降温,此时可以认为晶粒内外部缺陷与高温时差别不大,所以三氧化钨陶瓷电阻率极低却不存在压敏行为。在氮气中对三氧化钨陶瓷进行热处理也能使其无压敏行为,三氧化钨陶瓷内外缺陷主要是由于与氧气发生氧化反应而形成。在氮气中热处理缺失氧气,无法发生氧化反应,晶粒表面与内部电子值差异小;而在空气或氧气中热处理的三氧化钨陶瓷,晶粒表面发生氧化反应形成高阻抗,三氧化钨陶瓷具有压敏特性。正是由于三氧化钨晶粒内外巨大的电阻值差异,在晶界中形成电子势垒,所以三氧化钨陶瓷才具有非线性(压敏特性)。
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三氧化钨陶瓷压敏特性1/2
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- 发布于 2015年12月21日 星期一 17:57
- 作者:huahuo
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三氧化钨陶瓷是一种具有低的压敏电压、良好的介电特性以及较低的介电损耗的低压压敏材料,同时也因为其具有简单的化学组成成分和微观结构,被作为理想的压敏特性材料而受到关注。早在1994年的时候三氧化钨陶瓷的压敏特性就被Makarov等人发现,但是三氧化钨陶瓷的电学稳定性没有得到改善,压敏系数也低于传统掺杂的ZnO与SnO2基的压敏陶瓷,因此三氧化钨陶瓷想要得到广泛的应用,其压敏特性还必须进行一步的改善。从此以后研究者为了提高其压敏特性,展开大量的研究工作,其中最为重要的方式为通过掺杂其他元素来提高其压敏特性。
经过Markaov以及羊新胜等许多研究者做了相关实验与研究发现:使用多种稀土元素来作为掺杂元素,无法明显地改善三氧化钨陶瓷的压敏特性和电学稳定性,后来早期的研究者得出了:掺杂对三氧化钨陶压敏特性无明显改善。但是却有些研究表明:掺杂Sb2O3、Mn2O3、Cr2O3这些过渡金属氧化物,能使ZnO与SnO2基的压敏陶瓷得压敏性能与致密性得到改善,而在三氧化钨陶瓷中掺杂以上元素后其压敏特性却无明显作用。根据上述结果可以得出一种假设:ZnO与SnO2基的压敏陶瓷与三氧化钨陶瓷有着不同的压敏机理?
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钨合金屏蔽材料在iPad中的应用
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- 发布于 2015年12月21日 星期一 17:58
- 作者:yaqing
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iPad的风靡在为全球使用者带来便利的同时也带来了潜藏的安全隐患---电磁辐射。现今对于不少家庭来说可谓是人手一部iPad,有些学校为了改变传统的课堂教学模式,在引入多媒体教学模式的同时,也将iPad引进课堂,开启了一股新的风潮。许多人都知道电子产品是有辐射的,随着使用时间的持久和电子产品的增多,辐射也越来越强,因此必然会对人们的身体健康造成伤害。长时间暴露在电磁辐射下,会出现偏头痛、疲劳、失眠等多种症状。而在这个现代化的社会中,人们一直处于各种无线电通信的电磁辐射的包围之中,辐射是不可避免,然而可以通过一些有效的方式来减弱辐射的程度。
传统的金属类屏蔽材料屏蔽阻挡电磁辐射是一种有效的防护电磁辐射的措施。主要是指利用屏蔽材料将元部件,电路,组合件,电缆或整个系统的电磁辐射源等包围起来,将各空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场。这种金属类屏蔽材料主要是由铁、银、铜、铝以及镍等材料制成。但这些金属材料都有各自存在的不足和缺陷,而利用钨合金屏蔽材料制作iPad屏蔽壳既可以较好地解决电磁辐射的问题,由于钨合金具有无磁性、耐磨、良好的延展性和高密度等等的特性,也起到了环保的作用,符合当代人们环保的观念。钨合金屏蔽材料相对于其他金属材料来说,钨合金也更为环保,不会在使用的过程中产生其他的问题。
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三氧化钨电致变色与气敏性应用2/2
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- 发布于 2015年12月21日 星期一 17:55
- 作者:huahuo
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三氧化钨作为电致变色显示材料(EC display)。早期EC显示的电子钟和电子表,其使用寿命与循环次数为主要的缺陷,通过采用三氧化钨作为电致变色显示材料可制备出循环次数可达到5百万次,刷新时间为一秒以内的显示器件,虽然氧化钨作为电致变色显示材料存在不能快速刷新的问题,但是三氧化钨变色材料在仍在EC显示上获得应用。

三氧化钨作为一种金属氧化钨半导体气敏材料而受广泛应用,氮氧化物与硫化氢气体是主要的大气污染物,三氧化钨在探测这些大气污染物呈现出良好的气敏特性。气敏材料之所以能实现对气体的检测,主要的原理为被探测的气体会与三氧化钨表面发生接触时,会在三氧化钨表面发生吸附与脱吸附反应,材料的电阻率发生改变,通过检测材料的电阻值就能实现对被探测气体的检测。
如果增大气敏材料与被探测气体的有效接触面积不仅能得到更高的灵敏度,而且更大的接触面积具有更好的散热,能减少工作温度的变化,避免工作温度变化过大影响气敏材料的灵敏度。通过减少气敏材料的晶粒尺寸,使晶粒纳米化是增大气敏材料的有效工作面积的主要方式之一,而纳米级的三氧化钨具有非常高的灵敏度,甚至在低温情况下也具有较好的灵敏度。同时研究者们也相继发现了三氧化钨对多种气体,如臭氧与有机物挥发性气体都具有良好的气敏特性。
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